专利名称：Pecvd上下同时镀膜方法
技术领域：
本发明涉及PECVD镀膜设备技术领域，特别是一种提高硅片镀膜效率的PECVD上 下同时镀膜方法。
背景技术：
现有的太阳能电池载板式PECVD镀膜设备均采用单一的上镀膜或下镀膜，不能够 完全利用空间工艺腔空间。同时在成膜过程中，等离子体会溢过载板，造成电池背面沉积薄 膜，对电池转换效率产生不良影响。PECVD上镀膜设备和下镀膜设备仅在工艺腔体的微波源安装存在区别，两种类型 的设备均同时具有的上镀膜和下镀膜微波源安装预留口。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是增加单台PECVD镀膜设备的产能，降低生产成本， 同时提高电池转换效率。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种PECVD上下同时镀膜方法，在 PECVD上下同时镀膜设备的石墨载板上同时放置上下叠加的两张硅片，PECVD上下同时镀 膜设备在叠加的两张硅片的两上下外露面上同时镀膜。PECVD上下同时镀膜设备由PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备改造而来，利 用在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备的微波源安装预留口，在PECVD上镀膜设备或 PECVD下镀膜设备上安装双套微波源以及相应的气路，实现上下同时镀膜。本发明的有益效果是将单一的上镀膜设备或下镀膜设备改造成上下同时镀膜设 备，可在单一腔体内实现产能的100%提升；同时硅片的上下叠加放置，减少了硅片背面的 污染，提高电性能。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。图1是本发明的改造后的PECVD上下同时镀膜设备的结构示意图；图中1. PECVD上下同时镀膜设备，2.石墨载板，3.硅片，4.微波源。
具体实施例方式如图1所示，一种PECVD上下同时镀膜方法，在PECVD上下同时镀膜设备1的石墨 载板2上同时放置上下叠加的两张硅片3，PECVD上下同时镀膜设备1在叠加的两张硅片3 的两上下外露面上同时镀膜。PECVD上下同时镀膜设备1由PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备改造而来，利 用在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备的微波源安装预留口，在PECVD上镀膜设备或 PECVD下镀膜设备上安装双套微波源4以及相应的气路，实现上下同时镀膜。
Roth&Rau公司的太阳能电池载板式PECVD镀膜设备加工156mm* 156mm准方形多晶 硅太阳能电池为例，在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备上安装双套微波源以及相应 的气路，同一个石墨载板2可携带上下叠加的硅片3两片.当石墨载板2通过设备时，一次 可以完成两片硅片的镀膜。
权利要求
1.一种PECVD上下同时镀膜方法，其特征是在PECVD上下同时镀膜设备(1)的石墨 载板( 上同时放置上下叠加的两张硅片(3)，PECVD上下同时镀膜设备(1)在叠加的两张 硅片(3)的两上下外露面上同时镀膜。
2.根据权利要求1所述的PECVD上下同时镀膜方法，其特征是，所述的PECVD上下同时 镀膜设备(1)由PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备改造而来，利用在PECVD上镀膜设 备或PECVD下镀膜设备的微波源安装预留口，在PECVD上镀膜设备或PECVD下镀膜设备上 安装双套微波源以及相应的气路，实现上下同时镀膜。
全文摘要
本发明涉及PECVD镀膜设备技术领域，特别是一种提高硅片镀膜效率的PECVD上下同时镀膜方法。该方法是将单一的上镀膜设备或下镀膜设备改造成PECVD上下同时镀膜设备，在石墨载板上同时放置上下叠加的两张硅片，PECVD上下同时镀膜设备在叠加的两张硅片的两上下外露面上同时镀膜。可在单一腔体内实现产能的100％提升；同时硅片的上下叠加放置，减少了硅片背面的污染，提高电性能。
文档编号C23C16/44GK102094184SQ20101029478
公开日2011年6月15日 申请日期2010年9月28日 优先权日2010年9月28日
发明者张瞩君 申请人:常州天合光能有限公司