专利名称：气相沉积反应器以及用于形成薄膜的方法
技术领域：
本公开涉及一种气相沉积反应器以及用于使用该反应器来形成薄膜的方法。
背景技术：
一般而言，淋浴头型反应器用于在化学气相沉积(CVD)中注入前驱物。在淋浴头型的反应器中，通过在淋浴头的内部内将源前驱物和反应剂前驱物进行混合并且然后将经混合的前驱物注入到衬底上来执行沉积。另一方面，在用于原子层沉积(ALD)的反应器中， 源前驱物和反应剂前驱物被交替喷射以使得它们彼此不会混合。基于前驱物喷射的方向， 反应器被划分为(i)错流或行波类型的反应器以及(ii) 一种将前驱物垂直注入至衬底表面类型的反应器。错流或行波类型的反应器在平行于衬底表面的表面的方向上注入前驱物以便沉积前驱物。ALD应用了与物理吸附层的键合力不同的化学吸附层的键合力。在ALD中，前驱物被吸入到衬底表面中并且然后使用惰性气体吹扫。结果，前驱物的物理吸附分子(通过范德瓦尔斯力键合)从衬底中解吸。然而，前驱物的化学吸附分子共价键合，并且因此这些分子极强地吸附在衬底中。因此，化学吸附分子不会从衬底中解吸。ALD通过使用前驱物的化学吸附分子(吸附在衬底中)与反应剂前驱物反应和/或替换反应剂前驱物的特性来执行。更具体地，源前驱物注入到腔室中，以使得源前驱物过量地吸附在衬底上。然后， 通过注入吹扫气体和/或对通过腔室抽气来移除过量的前驱物或物理吸附分子，从而使得仅有化学吸附分子保留在衬底上。化学吸附分子导致单分子层。随后，反应剂前驱物(或置换剂)注入到腔室中。然后，通过注入吹扫气体和/或通过对腔室抽气来移除过量的前驱物或物理吸附分子，从而得到最终的原子层。在ALD中，由这四个工艺构成的基本单元通常称为周期。如果得到了处于饱和态的化学吸附层，就得到了约每周期1人的沉积速率。但是，当前驱物未以饱和态吸附在衬底上时，沉积速率低于约每周期1人。如果物理吸附分子层未完全移除而是有部分物理吸附分子层保留在衬底上，则沉积速率增加。在ALD中，通常每个周期形成一个原子单层。在ALD中，源前驱物、反应剂前驱物和吹扫气体重复地注入到腔室中，并且阀门和泵用于抽气。例如，ALD技术已经在美国专利 No. 7，422，636、No. 7，402，210、No. 6，511，539 和 No. 6，820，570 中公开，这些专利通过引用全文并入本文。如果在每个工艺步骤中注入到腔室中的前驱物保留在腔室中，则通过源前驱物和反应剂前驱物的反应而发生气相反应(称作CVD反应)。因此，仅需要以高速工作的用于 ALD的阀门来执行ALD，并且必须要执行吹扫和/或抽气以便使得没有前驱物保留在腔室内。此时，用于ALD的阀门需要大量的操作次数。例如，对于注入源前驱物、吹扫、注入反应剂前驱物、吹扫等等的每个工艺，通常需要超过IO3的操作次数来沉积具有IOOnm厚度的原子层。结果，阀门的寿命缩短，其可靠性也降低。当以高速操作的阀门的操作次数增加时，就会发生与阀门寿命相关的问题，例如误操作或颗粒。然而，当使用ALD来形成薄膜时，重要的是形成具有满足器件的需求的均勻特性 (即，物理特性、化学特性和电学特性)的薄膜。就这一点而言，在注入源和反应剂前驱物的过程中，相应的源前驱物和反应剂前驱物到达衬底的次数需要相等。在其中用于ALD的前驱物平行注入至衬底的错流或行波类型的反应器中，当衬底从邻近前驱物注入部分的一侧移至排气部分一侧时，逐渐发生吸附现象。因此，吸附现象体现为时间的函数。具体地， 对于大面积衬底而言，这种现象变得更明显，并且因此薄膜的组分、厚度或特性依赖于衬底每个部分而变化。具体地，分别定位于注入和排气部分处的薄膜的组分、厚度或特性相互不同。在用于接收前驱物的反应器中，前驱物沿垂直于衬底的方向注入以便避免该问题。然而，当前驱物的注入部分(通常为淋浴头)与衬底之间的距离较短时，薄膜的厚度会由通过其注入前驱物的淋浴头的孔洞的邻近区域中的邻近现象而增大或减小，并因此得到具有淋浴头的孔洞图案的不规则薄膜。因此，注入部分与衬底之间的距离必须足够大。结果，增加了腔室的空间部分。此外，因为为了前驱物在衬底表面上的饱和吸收，需要足够量前驱物填充在腔室内部，所以要求大量的前驱物。此外，源前驱物和反应剂前驱物不能彼此接触，以避免CVD反应。因此，花费大量时间执行足够的吹扫和/或抽气以便防止源前驱物或反应剂前驱物保留在腔室内。此外，因为源前驱物和反应剂前驱物从相同的排气管线排出，所以这些前驱物反应产生反应副产品(例如粉末、胶等等)。因此，不但产出了更薄的薄膜，而且器件的可靠性、耐用性和经济性也下降。在美国专利No. 6，821，563中，例如，流经多个气体端口的气流供应至衬底，并且吹扫端口和抽气端口相互邻近安装，以使得通过连续注入前驱物的同时进行吹扫和抽气来执行ALD。然而，安装了用于使端口相互隔离或分隔的隔墙，并且抽气端口分别定位在每个分区的两侧。因此，其结构是复杂的。此外，因为分区仅作为用于使端口相互隔离的物理屏蔽，因此存在结构性限制，该结构限制在于抽气端口必须定位在每个前驱物经其注入或吹扫的端口的两侧(或左侧和右侧)上。
发明内容
各个实施例提供了一种闭合环路类型的气相沉积反应器，该反应器在其内部执行一系列工艺，即在衬底上吸附源前驱物或反应剂前驱物，解吸源前驱物或反应剂前驱物的物理吸附层，以及向外排出所解吸的分子层。在一个实施例中，气相沉积反应器包括至少一个第一注入部分。该至少一个第一注入部分注入第一材料。气相沉积反应器的第一部分具有形成在其中的第一凹槽。该第一凹槽连接至至少一个第一注入部分以接收第一材料。第二部分邻近于该第一部分并且具有形成在其中的第二凹槽。该第二凹槽连接至该第一凹槽以便使该第一材料经由第一凹槽。 第三部分具有在其中形成的第三凹槽，第三凹槽连接至第二凹槽并且经由第二凹槽接收第一材料。通过排气部分，将第三凹槽的压力维持为低于第一凹槽的压力。衬底移动经过第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽，以便在其表面中吸附该第一材料。在一个实施例中，第一部分包括多个第一凹槽，并且第二部分包括多个第二凹槽。 气相沉积反应器可以通过顺次地连接第一凹槽中的一个、第二凹槽中的一个、第三部分的第三凹槽、第一凹槽的另一个以及第二凹槽的另一个来配置。在一个实施例中，气相沉积反应器进一步包括附加的第一部分和附加的第二部分。附加的第一部分和附加的第二部分具有分别形成在其中的附加的第一凹槽以及附加的第二凹槽。在附加的第二凹槽中的压力低于在附加的第一凹槽中的压力。附加的第一凹槽和附加的第二凹槽用第二材料填充。衬底移动经过该第一凹槽和第二凹槽以在衬底上吸附该第二材料。
从结合附图的所给出的优选实施例的以下描述中，本发明的上述方面以及其他方面、特征和优点将变得明显，其中图IA是根据一个实施例的气相沉积反应器的剖视图。图IB是根据一个实施例的、图IA的气相沉积反应器的底视图。图IC是根据一个实施例的、图IA的气相沉积反应器中的第一部分的剖视图。图ID是根据一个实施例的、图IA的气相沉积反应器中的第二部分的剖视图。图IE是根据一个实施例的、图IA的气相沉积反应器中的第三部分的剖视图。图2A至图2D是根据一些实施例的气相沉积反应器的局部剖视图。图3是根据一个实施例的气相沉积反应器的底视图。图4A至图4C是根据一个实施例的、图3的气相沉积反应器的局部剖视图。图5是根据又一实施例的气相沉积反应器的底视图。图6A至图6C是根据一个实施例的、图5的气相沉积反应器的局部剖视图。图7A至图7C是根据一个实施例的气相沉积反应器的局部剖视图。图8A是根据一个实施例的气相沉积反应器的底视图。图8B和图8C是根据一个实施例的、图8A的气相沉积反应器的局部剖视图。图9A和图9B是根据一个实施例的气相沉积反应器的局部剖视图。图IOA是根据一个实施例的气相沉积反应器的剖视图。图IOB是根据一个实施例的、图IOA的气相沉积反应器的底视图。图11是根据一个实施例的气相沉积反应器的剖视图。图12是根据一个实施例的气相沉积反应器的剖视图。图13A是根据一个实施例的气相沉积反应器的剖视图。图13B是根据一个实施例的、图13A的气相沉积反应器的底视图。图14是根据一个实施例的气相沉积反应器的剖视图。图15A是根据一个实施例的气相沉积反应器的剖视图。图15B是根据一个实施例的、图15A的气相沉积反应器的底视图。图16A至图16C是图示了根据实施例的用于形成薄膜的方法的流程图。图17A至图17E是根据实施例的、包括气相沉积反应器的原子层沉积(ALD)设备的示例性剖视图。图18A至图18D是根据实施例的包括气相沉积反应器的ALD设备的示例性平面图。图19是根据一个实施例的使用气相沉积反应器的实验设备的示意图。
图20是根据一个实施例的、图19的实验设备中的气相沉积反应器的一部分的示意透视图。图21A是根据一个实施例的、图19的实验设备的示意性剖视图。图21B是根据一个实施例的、图19的实验设备的同轴等离子体发生器的示意性剖视图。图22A至图22D是根据一个实施例的、使用气相沉积反应器形成的TiN薄膜的扫描电镜(SEM)照片。图23A至图23D是根据一个实施例的、使用气相沉积反应器形成的TiN薄膜的透射电镜(TEM)照片。图24A至图24D是根据一个实施例的、使用气相沉积反应器形成的TiN薄膜的TEM 照片。
具体实施例方式以下将参照在其中示出了示例性实施例的附图来更完全描述示例性实施例。然而，本发明可体现为多种不同形式，并且不应当被解释成限定于在此阐述的示例性实施例。 相反，提供这些示例性实施例以使得本公开透彻和完整，并且向本领域技术人员传达本公开的范围。在说明书中，将省略对公知特征和技术的细节以避免不必要地模糊本发明实施例。在此所用的术语目的仅在于描述特定实施例并且不意在限制本公开。如在此所用的，除非上下文明确给出相反指示，否则单数形式“一”、“一个”、“所述”意在也包括复数形式。此外，术语“一”、“一个”等的使用不表示数量的限定，而是表示存在所参考的至少一个所述项目。术语“第一”、“第二”等等的使用并非暗示任何特定顺序，而是包括它们来标识各个元件。此外，术语第一、第二等的使用并非表示任何顺序或重要性，而是用于将一个元件与另一个元件加以区分。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包括了”、或“包含”和/或“包含了”时，这些术语指定了存在所阐述的特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除一个或多个其他特征、区域、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。除非相反限定，否则在此所用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有本领域技术人员通常理解的相同含义。还将理解的是，这些术语(例如那些经常使用的字典中所定义的)应当被解释为具有与它们在相关领域以及本发明的上下文中含义一致的含义， 并且并不应当以理想的或过度正式的意义解释，除非在此特别限定。在附图中，图中类似的附图标记表示类似元件。附图的形状、大小和区域等等为了清晰起见可能夸大。图IA是根据实施例的气相沉积反应器的剖视图。图IB是图IA的气相沉积反应器的底视图。气相沉积反应器的本体9包括第一部分10、第二部分20和第三部分30。在第一部分10、第二部分20和第三部分30中形成的凹槽或空间可相互连接以允许气体连通。气相沉积反应器可以包括一个或多个注入部分11，以用于将反应材料注入到第一部分10中。 注入部分11可连接至通道12，反应材料通过通道12输运。例如，当气相沉积反应器用于原子层沉积(ALD)时，反应材料可以为源前驱物或反应剂前驱物。源前驱物可以依赖于最终将要在气相沉积反应器中形成的薄膜的种类来决定。例如，源前驱物可以为包含了用于形成金属、绝缘体或半导体薄膜的原子的化合物，并且有机化合物或无机化合物也都可用作源前驱物。反应剂前驱物是通过与源前驱物反应和 /或将源前驱物置换为反应剂前驱物而形成金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体用材料等等的材料，由此得到薄膜。例如，反应剂前驱物可包括H20、H2O2, 02、N2O, NO、03、0*自由基、 NH3> NH2-NH2, N* 自由基、CO、CO2, CH4, C2H6, H2 和 H* 自由基的一个或多个。在一个实施例中，可以通过将衬底移动经过气相沉积反应器来将衬底(未示出) 从第一部分10传递至第三部分30，以使得原子层或分子层薄膜形成在衬底上。例如，衬底可邻近气相沉积反应器的下部而以线性或旋转方式移动，以使得薄膜形成在衬底上。在另一实施例中，衬底固定，而气相沉积反应器可相对于衬底移动。第一部分10和第二部分20包括形成在气相沉积反应器本体9的底部上的方柱形凹槽并且具有预定的宽度We和W。、高度H和Z以及长度L。第三部分30可以具有预定的宽度Wx和长度L，并且第三部分30的上部可连接至排气部分32，在排气部分32中形成排气部分31。气相沉积反应器的结构仅为示意性的。也就是说，第一部分10至第三部分30的形状可依赖于气相沉积反应器的目的而被配置成不同于上面所述的。第一部分10至第三部分30的每个的宽度在此指的是形成在第一部分10至第三部分30中的凹槽的平行于衬底移动方向上的尺度。此外，第一部分10至第三部分30的每个的长度指的是第一部分10至第三部分30中的每一个在垂直于衬底移动方向上的尺度。 此外，第一部分10和第二部分20的每个的高度指的是本体9的下表面与在第一部分10和第二部分20中的相应的凹槽的内部上表面之间的距离。形成在衬底上的薄膜的特性可至少部分地基于第一部分10的宽度We和高度H、第二部分20的宽度We和高度Z、第三部分30的宽度Wx以及衬底的移动速率ν来确定。例如， 假设衬底的移动速率是v，并且衬底穿过其从第一部分10传递到第三部分30的对应部分的宽度是X，则衬底针对对应部分的暴露时间由以下方程确定t = χ/ν(1)第一部分10的凹槽可以用通过注入部分11注入的反应材料填充。如果衬底以移动速率ν移动经过第一部分10的下部，则衬底暴露于反应材料的时间为ffE/v。结果，反应材料的物理吸附和化学吸附层可以形成在衬底上。当第一部分10的宽度We增大时，增大量的反应材料被供应至第一部分10。当第一部分10的宽度We减小时，反应材料吸附在衬底上的概率降低。因此，在设计气相沉积反应器时，第一部分10的宽度We可基于反应材料的特性而确定。当反应材料的气流压力增大时，第一部分10的宽度We可以降低，和/或衬底的移动速率ν可以增大。结果，可以调整吸附在衬底上的反应材料的量，这是因为衬底驻留在第一部分10处的时段减小。经过第一部分10的下部的衬底随后经过第二部分20的下部。第二部分20的凹槽中的压力Pc可以相对低于第一部分10的凹槽中的压力Pe (Pc < Pe)。结果，吸附在衬底上的反应剂前驱物的一部分可以在衬底经过第二部分20的下部的时间Wc/v期间解吸。例如，当衬底经过第二部分20的下部时，反应材料的物理吸附层可从衬底的表面解吸。经过第二部分20的下部的衬底随后经过第三部分30的下部。当衬底经过第二部分20时从衬底解吸的反应材料可通过排气部分31以衬底经过第三部分30的下部的时间Wx/V被排出至气相沉积反应器的外部。结果，反应材料的物理吸附层至少部分地从衬底移除，但是反应材料的化学吸附层保留在衬底上。在一个实施例中，第三部分30中的压力Px 可相对低于第一部分10中的压力Pe (Px < PE)。如上所述，当衬底经过气相沉积反应器的第一部分10至第三部分30时，执行一系列工艺。在该系列工艺期间，衬底暴露于诸如源前驱物和/或反应剂前驱物的反应材料，并且反应材料吸附在衬底的表面中。然后，反应材料的物理吸附层至少部分地从衬底移除从而从衬底解吸，而反应材料的化学吸附层则形成在衬底上。上述工艺可以通过在一个气相沉积反应器中使用源前驱物作为反应材料而执行， 并且上述工艺可通过在后续气相沉积反应器中使用反应剂前驱物作为反应材料而执行。结果，衬底经过了吸附源前驱物、移除物理吸附层、吸附反应剂前驱物以及移除物理吸附层的四个工艺，从而在衬底上形成薄膜。所产生的薄膜可以为原子层或单分子层或者可以包括多个分子层。衬底经过填充有源前驱物的气相沉积反应器的移动速率可以被控制为等于或不同于衬底经过填充有反应剂前驱物的气相沉积反应器的移动速率。上述工艺也可以通过使用单个气相沉积反应器而将源前驱物和反应剂前驱物交替注入到气相沉积反应器的第一部分10的凹槽中来执行。例如，用于ALD的阀门(未示出)及其驱动单元可以连接至通道12。源前驱物和反应剂前驱物可根据阀门的开启或关闭而以交替方式喷入。此外，惰性气体可在源前驱物和反应剂前驱物的每个的注入之后作为吹扫气体注入。在此情况下，经过第一部分10的衬底经受以下四个步骤吸附源前驱物、注入惰性气体、吸附反应剂前驱物以及注入惰性气体。结果，原子层薄膜可以形成在衬底上。 当衬底经过第二部分20和第三部分30时，吸附在衬底上的前驱物和/或惰性气体的一部分可以从衬底解吸并且排出。当源前驱物、惰性气体和反应剂前驱物以交替方式注入到单个气相沉积反应器中时，经过单个气相沉积反应器的衬底的移动速率可相对小于经过另一个在其中仅有源前驱物和反应剂前驱物之一被注入的气相沉积反应器的衬底的移动速率。例如，当衬底经过第一部分10时，衬底移动速率可以被控制为使得衬底依次暴露于源前驱物、惰性气体、反应剂前驱物和惰性气体。当根据上述工艺执行ALD时，原子层薄膜可通过使用单个气相沉积反应器来形成。因此，使用相同数目的气相沉积反应的原子层薄膜的数目可以增加。同时，气相沉积反应器的下部可以与衬底隔开。例如，气相沉积反应器的下部可以与衬底隔开为约0. 5mm至几毫米。备选地，气相沉积反应器的下部与衬底之间的间距可以为约1mm。当气相沉积反应器的下部与衬底之间的间距足够小时(例如，当气相沉积反应器下部和衬底之间的间距为约Imm或更小时)，从气相沉积反应器泄漏到外部的反应材料的量可以忽略。然而，为了最小化泄漏的反应材料的量，惰性气体可以注入在气相沉积反应器周围，或者可以在气相沉积反应器周围执行抽气。在此情况下，惰性气体可包括选自由N2、 Ar和He构成的群组中的一种或多种气体。第一部分10和第二部分20的形状影响吸附在衬底上的反应材料的有效解吸。使用具有各种不同形状的第一部分10和第二部分20来进行实验，以导出与反应材料的解吸有关的参数。例如，三甲基铝(TMA) —秒内足够地吸附在维持在约250°C下的衬底上，并且衬底然后传递经过气相沉积反应器的下部。此时，例如Ar气的惰性气体可以注入到第一部分10中。因为当衬底经过第二部分20的下部时Ar气的压力降低，所以吸附在衬底上的TMA分子解吸，并且解吸的TMA分子与Ar气一起经由第三部分30排出至外部。在此情况下，在改变第一部分10和第二部分20的形状时检验解吸。备选地，可以使用由气相沉积反应器形成的原子层薄膜的厚度来检验解吸。使用在其中第一部分10的高度H大于第一部分10的宽度We的气相沉积反应器来检验第一部分10的宽度We、第二部分20中的凹槽的高度Z与解吸之间的相关性。结果， 得到以下表1的结果。此时，在其中第一部分10的宽度We等于第三部分30的宽度Wx并且第二部分20的宽度W。约为第一部分10的宽度We的1/2的状态下进行实验。表 权利要求
1.一种气相沉积反应器，包括第一部分，形成有第一凹槽，所述第一凹槽连通地连接至用于将反应材料注入到所述第一凹槽中的至少一个第一注入部分，所述第一凹槽经受第一压力；第二部分，邻近所述第一部分，所述第二部分形成有第二凹槽，所述第二凹槽连通地连接至所述第一凹槽，所述第二凹槽经受低于所述第一压力的第二压力；第三部分，邻近所述第二部分，所述第三部分形成有第三凹槽，所述第三凹槽连通地连接至所述第二凹槽；以及排气部分，连接至所述第三凹槽，以用于将所述反应材料从所述气相沉积反应器排出。
2.如权利要求1所述的气相沉积反应器，其中，所述第二部分的宽度大于所述第二部分的高度的一半。
3.如权利要求1所述的气相沉积反应器，其中，所述第二部分的高度不大于所述第一部分的宽度的2/3。
4.如权利要求1所述的气相沉积反应器，其中，所述第二部分的高度不大于所述第一部分的高度的2/3。
5.如权利要求1所述的气相沉积反应器，其中，所述第三部分的宽度大于所述第二部分的高度。
6.如权利要求1所述的气相沉积反应器，其中，所述第三部分经受低于所述第一压力的第三压力。
7.如权利要求1所述的气相沉积反应器，进一步包括第一可调翼，所述第一可调翼被配置为至少部分地改变所述第二部分的高度。
8.如权利要求1所述的气相沉积反应器，进一步包括第二可调翼，所述第二可调翼被配置为改变所述第二部分的宽度与所述第一部分的宽度的比值。
9.如权利要求1所述的气相沉积反应器，其中，所述反应材料包括源前驱物和反应剂前驱物。
10.如权利要求9所述的气相沉积反应器，其中，所述源前驱物包括无机化合物和有机化合物。
11.如权利要求9所述的气相沉积反应器，其中，所述反应剂前驱物包括选自由H20、 H2O2, 02、N2O, NO、O3> 0* 自由基、NH3、NH2-NH2, N* 自由基、CO、CO2, CH4, C2H6, H2 和 H* 自由基构成的群组中的一个或多个。
12.如权利要求1所述的气相沉积反应器，其中，所述第一注入部分进一步将惰性气体注入到所述第一凹槽中。
13.如权利要求12所述的气相沉积反应器，其中，所述惰性气体包括选自由N2、Ar和 He构成的群组中的一个或多个。
14.如权利要求1所述的气相沉积反应器，进一步包括至少一个第二注入部分，所述第二注入部分连接至所述第一凹槽并且被配置为将惰性气体注入到所述第一凹槽中。
15.如权利要求14所述的气相沉积反应器，其中，所述惰性气体包括选自由N2、Ar和 He构成的群组中的一个或多个。
16.如权利要求1所述的气相沉积反应器，其中，所述第一部分包括多个第一凹槽，并且所述第二部分包括多个第二凹槽。
17.如权利要求1所述的气相沉积反应器，其中，所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽依次连接。
18.如权利要求1所述的气相沉积反应器，其中，所述反应材料为前驱物、惰性气体、自由基及其组合。
19.一种用于形成薄膜的方法，包括通过经由至少一个注入部分提供第一材料，而在形成在气相沉积反应器的第一部分中的第一凹槽中填充所述第一材料至第一压力；经由所述第一凹槽在形成在所述气相沉积反应器的第二部分中的第二凹槽中接收所述第一材料，所述第二部分邻近于所述第一部分来定位；经由所述第二凹槽在形成在所述气相沉积反应器的第三部分中的第三凹槽中接收所述第一材料，所述第三部分邻近于所述第二部分来定位；经由所述气相沉积反应器的排气部分排出所述第三凹槽中的所述第一材料； 将衬底移动经过所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽。
20.如权利要求19所述的方法，其中，所述第一材料包括选自由源前驱物、反应剂前驱物和惰性气体构成的群组的一个或多个。
21.如权利要求20所述的方法，其中，所述源前驱物包括无机化合物和/或有机化合物。
22.如权利要求20所述的方法，其中，所述反应剂前驱物包括选自由Η20、Η202、02、Ν20、 NO、O3> 0*自由基、NH3、NH2-NH2, N*自由基、CO、CO2, CH4, C2H6, H2和H*自由基构成的群组中的一个或多个。
23.如权利要求20所述的方法，其中，所述惰性气体包括选自由N2、Ar和He构成的群组中的一个或多个。
24.如权利要求19所述的方法，进一步包括在所述气相沉积反应器的附加的第一部分中填充第二材料； 经由所述第一部分在所述气相沉积反应器的附加的第二部分中接收所述第二材料； 经由所述第二部分在所述气相沉积反应器的附加的第三部分中接收所述第二材料； 将所述衬底移动经过所述附加的第一部分、所述附加的第二部分和所述附加的第三部分。
25.如权利要求M所述的方法，其中，所述第二材料包括选自由源前驱物、反应剂前驱物和惰性气体构成的群组的一个或多个。
26.如权利要求25所述的方法，其中，所述源前驱物包括无机化合物和/或有机化合物。
27.如权利要求25所述的方法，其中，所述反应剂前驱物包括选自由Η20、Η202、02、Ν20、 NO、O3> 0*自由基、NH3、NH2-NH2, N*自由基、CO、CO2, CH4, C2H6, H2和H*自由基构成的群组中的一个或多个。
28.如权利要求25的方法，其中，所述惰性气体包括选自由N2、Ar和He构成的群组中的一个或多个。
29.如权利要求19所述的方法，其中，所述反应材料为前驱物、惰性气体、自由基或其组合。
全文摘要
气相沉积反应器和用于形成薄膜的方法。气相沉积反应器包括用于将反应材料注入气相沉积反应器的第一部分中的凹槽内的至少一个第一注入部分。第二部分连接至第一空间并且具有连接至第一部分的凹槽的凹槽。第二部分的凹槽被维持在具有低于第一空间内的压力的压力下。第三部分连接至第二空间，并且排气部分连接至第三空间。
文档编号C23C16/50GK102459695SQ201080025311
公开日2012年5月16日 申请日期2010年6月7日 优先权日2009年6月8日
发明者李相忍 申请人:思诺斯技术公司