专利名称：借助于阴极溅射用合金涂覆基材的制作方法
借助于阴极溅射用合金涂覆基材本发明涉及借助于阴极溅射，特别是磁控管阴极溅射在基材上制备薄层。本发明特别涉及用合金涂覆基材，所述合金具有给定的合金组成和/或横贯基材表面的合金材料的合金组成给定的变化，即给定的浓度梯度。用于借助于阴极溅射涂覆基材的方法和设备例如从WO 03/071579已知。所述文献公开了一种溅射阴极，借助于该阴极尤其通过使用磁性和/或可磁化材料可以制备基材的涂层。该溅射阴极包括阴极基体、布置在基体上的靶和布置在靶后方的磁铁装置。为了能够使待施加的材料的易磁化轴对齐，该溅射阴极进一步包括用于产生外磁场的装置，所述磁场具有在基材的平面中基本平行延伸的磁场线。该阴极优选为具有对应于至少基材直径的长度的长阴极。为了实现均匀的涂覆，在阴极溅射期间，待涂覆的基材在长阴极下方以相对于长阴极的纵向侧横向的方向在基材平面中移动。为了在使用以该 方式施涂的薄层时获得特定的层性能，可能需要非常特别的沉积层的组成。这些层的例子是Ni(1_x)Fex，其中X = 0.18 …0.45，或Pt(1_x)Mnx，其中 x ^ 0.5,其中层的特殊性能取决于确切的值X。为了制造这类层，使用由待施加的合金以所希望的比例组成的靶。然而，在研究和开发领域中在大多数情形下不知道具体的层的何种合金组成导致用于特定目的的最好结果。另一个问题是一主要是在使用具有明显不同的原子质量的材料的情形中一在阴极溅射期间，合金组成在沉积期间可能变化。因此，与例如使用PtMn时的溅射靶中的合金组成相比，沉积在基材上的层的合金组成可能或多或少地变化。此外，该变化取决于涂覆工艺的参数，例如工艺压力、涂覆率等。由于重要的是最终基材上的合金组成，因此确定溅射靶的合金最佳组成通常是困难的。用于调节借助于阴极溅射沉积的薄层的合金的通常使用但非常不灵活的方法基于使用一系列具有不同合金组成的溅射靶，所述不同的合金组成可以彼此非常接近。该方法费用非常大，特别是在使用昂贵材料(PtMruFePt等)的情形中。必须制造和/或购买多个具有相应合金的靶，其中在使用不同靶进行相应的系列试验后，最终只有其中的一个靶接近于最佳合金并且实际上可以使用。在这些系列试验中，必须将相应的靶插入和从相应的真空系统中移去，这非常费时。与此相比，借助于涂覆工艺本身，即借助于外部可调节的涂覆工艺和/或涂层几何形状的变化来调节基材上合金层的合金组成，是明显更简单、更快并且通常还更成本有效的方法。在这方面，一个非常常用的方法是所谓的共溅射。根据该方法，通常用各自使用不同靶材料的两个(或更多个)溅射阴极同时涂覆基材。通过改变两个阴极的功率比，基材上两种材料量的比例，即合金组成也改变。尤其在使用相对大的基材时，与该技术相关的是难以在基材上制得均匀的合金并且同时实现均匀的层厚。为了改进层厚的均匀性，在沉积期间旋转基材。
根据另一种方法，将两种(或者还多于两种)材料的多层交替地施加于基材上并且然后一通常在真空中一暴露于合适的高温下(“回火”)。据说这引起扩散过程，该过程导致材料混合或均化并且因此最终制得希望的合金。通过选择最初的层厚度来调节合金的组成。为了使该方法有效，必须能够在合适的温度下并且在合理的短时间内进行该扩散过程。因此，该方法限于有限数量的材料一也包括金属。另外的现有技术从US 5, 190, 630 A、US 4, 505, 798 A、EP I 626 432 AU US2005/0274610 Al 和 WO 03/71579 Al 获知。本发明的 一个目的是提供一种用于将均匀合金的薄层施涂于基材上的设备和方法，其中可以调节或有控制地改变合金组成。本发明的另一个目的是局部改变基材上的合金组成，即产生合金梯度，以便取决于在基材上的位置以控制的方式改变在经施涂的层中合金组分各自的浓度。合金组成的变化和合金梯度的调节这两者均导致合金比例的变化。根据本发明，这些目的通过权利要求的特征得以实现。本发明基于这样的原则性思路:借助于磁控管阴极溅射用合金涂覆具有一定宽度和长度的基材，其中所述宽度和长度可以相等，其中使用靶和从待涂覆的基材观察布置在靶后方的磁控管磁铁装置。根据本发明，使用一种特殊的靶，其表面由至少两个区制成，每个区由不同的材料制成，这些材料将形成层的合金。不同的材料布置在靶的表面上，使得在工作期间，在侵蚀区或沟槽中，来自两个区的材料同时脱离。通过相对于靶的两个材料区之间的边界线适宜地定位侵蚀区或沟槽来改变被侵蚀区或沟槽覆盖的两个靶区的份额和因此相应地改变基材上的合金比例。根据本发明，该定位通过相对于靶的材料边界线移动、旋转和/或倾斜磁铁装置而实现。如果两个区之间的边界线平行于侵蚀区的行进方向延伸，则沿着侵蚀区的长度脱离恒定量的两种材料，并且在基材上在侵蚀区的纵向上形成恒定的合金。通过相对于边界线横向移动侵蚀区，可以改变合金比例。如果在移动基材之前移动侵蚀区，则可调节合金组成。在运行操作期间移动侵蚀区并且同时移动基材使得在基材上沿着基材的移动方向形成合金梯度。如果两个区之间的边界线相对于侵蚀区的方向以锐角，例如小于20°延伸，则在经涂覆的基材上在侵蚀区的方向上形成合金梯度，因为沿着侵蚀区的走向两种材料的脱离量不同并且因此在一侧脱离更多的一区的材料，在另一侧脱离更多的另一区的材料，由此在其间实现了合金组成的连续过渡。通过调节磁铁装置的表面与朝向基材的靶表面之间的角度β，也可以实现合金比例的变化。根据本发明，等离子体也可以具有圆形或椭圆形横截面，以至于侵蚀区相应地形成为圆形或椭圆形。通过相对于靶边界线横向移动等离子体来改变经涂覆的基材上的合金组成。如果意欲由具有多于两种材料的合金形成层，则可以在靶表面上以不同的方式布置不同材料的区。例如，可以将不同材料的区以星形的方式布置在靶表面上。通过相对于这样的星形布置平行于靶的表面移动圆形或椭圆形侵蚀区，可以自由地选择形成合金的材料的各自的量。根据本发明的实施方案，通过相对于基材的表面移动磁铁装置和/或通过相对于磁铁装置的表面移动基材，优选通过在相对于彼此垂直的方向上移动，可以改变合金比例。如果在移动基材之前移动磁铁装置，则调节了合金组成。移动磁铁装置且同时移动基材导致在基材上沿着相对移动形成合金梯度。根据本发明的一个优选实施方案，当使用长形的磁控管溅射阴极即延伸横贯基材宽度的长阴极，和具有一定宽度和长度的长形的磁铁装置时，通过调整磁铁装置的长度平行于或者相对于靶表面上的边界线呈锐角α来改变合金比例。根据本发明，通过使磁铁装置围绕轴相对于靶表面倾斜角度β，可以改变合金比例。磁铁装置的倾斜相对于彼此改变了在沿着靶形成的两个侵蚀沟槽上的靶脱离的速度，因此可以改变合金的组成或浓度和/或合金梯度。在磁控管溅射阴极中，通常使用永久磁铁用于磁铁装置。根据本发明，作为替代还可以使用电磁铁代替永久磁铁。根据本发 明的一个优选实施方案，所述靶实质上为矩形。在涂覆期间，待涂覆的基材在靶下方在朝向远离磁铁装置的一侧以平行于靶的横向的方向移动。为了实现两个区之间的边界线相对于侵蚀区的方向以锐角α延伸，靶表面的区可以是梯形的，其中如此布置这些梯形区，以至于在矩形靶的表面上形成不同材料的条，这些条的边界线相对于靶的纵向侧倾斜一定角度。在用于大面积阴极溅射和特别是用于使用长阴极的磁控管阴极溅射的典型构建的设备中，在靶上形成跑道形侵蚀区，其中在靶的纵向上形成两个长形的沟槽。对于这两个沟槽，将实现材料之间的均匀过渡。因此，优选提供三个梯形区。因此可以实现这样的结构:其中不同材料的区之间的边界相对于跑道形侵蚀区的直线区方向以锐角α延伸，使得在一端一个区的更多材料和在另一端另一个区的更多材料脱离。在基材的相对运动基本上垂直于长阴极的纵向的情形中，在基材的横向获得相应不同的合金组成。反过来，为了沿着靶的长度和因此横贯基材的宽度实现恒定的合金组成，必须保证侵蚀区基本平行于并且沿着两个区之间的边界线延伸。为了该目的，优选使用其表面由多个单独的矩形区组成的靶，使得区的材料交替。因此，在靶的表面上形成不同材料的条，这些条的边界线平行于靶的纵向延伸。如果使用四个区，其中两个区总由相同的材料制成，则在靶上可以实现在两种材料之间两条均匀的边界线，这在侵蚀区的跑道形结构的情形下是希望的。通过在靶的横向上，即垂直于区之间的边界线移动侵蚀区，则可以根据存在于靶的一个或另一个材料区上的侵蚀区部分的尺寸来调节两种材料之间的比例。为了实现由不同的区组成的靶表面结构，该靶可由多个单独的片组成，所述单独的片的表面形成靶表面的区。在该情形中，至少一个所述单独的片由第一材料制成并且至少另一个单独的片由第二材料制成。代替组合不同的单独的靶片的靶，也可以制备一种材料的靶并且将第二材料的层施加于希望的位置，以便至少在靶表面形成各种区。在所希望的合金的两种材料中的一种是非-铁磁性的情形中这是特别有利的。在该情形中，靶由铁磁性材料制成并且将第二非-铁磁性材料施加于基础材料上。还可以制备多于两种材料的合金。为了该目的，必须将多个所希望的材料的区以合适的方式布置在靶上。由磁控管磁铁装置的位置决定的侵蚀区的位置可以通过相对于靶的表面，例如横向于靶的纵向或边界线的方向移动磁铁装置而移动。当借助于相应实现的靶产生浓度梯度时，可以通过这样的移动调节浓度梯度的陡度。
根据本发明，相对于长阴极的纵向，可以在基材上在合金层中相对于经涂覆的基材中的位置产生合金梯度，即例如二元合金的合金组成的变化。根据本发明，通过改变机器参数可以调节合金梯度的陡度或者材料浓度的平均值。此外，还可以用不同的值调节横贯基材表面的给定的均匀的合金浓度。合金比例取决于在基材上方的磁控管溅射阴极的位置而变化。下面，将参照附图更详细地解释本发明，其中
图1a展示了根据本发明使用的阴极溅射设备的示意图和图1b展示了涂覆期间待涂覆基材的移动的俯视 图2a展示了在磁 控管阴极溅射期间在靶表面上形成的侵蚀区；图2b展示了根据本发明的在靶表面上的侵蚀区的一部分，和图2c展示了解释根据本发明的另一个实施方案在涂覆期间待涂覆的基材和磁铁装置的相对移动的俯视 图3a和3b各自展示了根据本发明的另一个实施方案的靶的结构的俯视 图4是根据本发明的涂覆设备的示意性侧视图，以展示磁铁装置的移动；
图5是根据本发明的涂覆设备的示意性侧视图，以展示磁铁装置的倾斜；
图6是圆形基材的示意性俯视图，该基材具有根据本发明制备的具有浓度梯度的涂
层；
图7a和7b是相对于具有两种不同梯度的基材位置的合金组成的两个例子；
图8展示了相对于具有给定平均值的基材位置的合金组成；
图9a是本发明的另一个实施方案的靶的结构的俯视图，和图9b是根据本发明的具有所述靶的涂覆设备的示意 图10展示了相对于基材位置保持恒定的两种合金组成；和 图11示意性展示了根据本发明的另一个实施方案的靶的横截面。本发明基于所谓的线型动态沉积(LDD)技术，其例如同样在SingulusTechnologies AG的TIMARIS型涂覆体系中使用。其中使用的基本原理例如从前已述及的WO 03/071579中获知。图1示意性展示了相应的阴极溅射体系的结构，该体系也可根据本发明来使用。长阴极形式的设备包括长靶I和相应布置在其上的长形的磁控管磁铁装置2。具有磁极N-S-N的磁铁装置2产生磁场，该磁场在图1a中由靶I下方所示的磁场线M示出。从磁铁装置的方向观察时，可以将靶I的材料的层施加于布置在靶I的下方的基材3上。图1b以俯视图阐明了在靶I下在涂覆区中实现的静态涂覆率。为了在基材3上产生均匀的层，基材3在靶的下方在其平面内移动，如图1a和Ib中借助于箭头所示。图2a展示了可用于根据图1a的涂覆设备中的靶。在图2a所示的俯视图中，该靶具有矩形形状并且相应地具有界定了长阴极的纵向和横向的纵向侧和横向侧。通过在靶后方布置磁铁装置2，如图1a中所示，在操作期间形成跑道形侵蚀区或沟槽5，其也被称为跑道。在该位置中或者在产生的沟槽中，材料从靶中脱离并且然后可以沉积在基材上。根据本发明，阴极溅射设备使用其表面包含至少两种不同材料的靶。图2b示例性地显示了具有第一材料的第一区11和第二材料的第二区12的这种靶I的表面的俯视图。两个邻接的区11和12形成边界线4。在操作期间，在靶表面形成侵蚀区(跑道)5，其中图2b示出了侵蚀区5的区域，所述侵蚀区在宽度方向的延伸由点划线表示。为了在基材上形成合金，必须如此布置侵蚀区5，使得两种材料同时脱离，即边界线4位于侵蚀区5的范围内。该侵蚀区5被靶的边界线4分成两个侵蚀子区5-1和5-2 (在图2b中分别在边界线4的上方和下方)，其中分别脱离第一和第二合金材料。图2b示出了这样的情况，其中侵蚀区相对于边界线大致对称存在并且所述两部分的侵蚀区具有大致相同的宽度，使得在每一情形中两种材料基本上等量脱离。如果在运行操作时，在移动基材之前，相对于边界线4移动侵蚀区5的位置，则可以实现一种或另一种材料更多地脱离并且调节合金组成。在运行操作时同时移动磁铁装置2以及因此移动侵蚀区和基材，优选以相对于彼此垂直的方向，导致在基材的移动方向上产生合金梯度，如图2c中所示。第一材料的浓度连续降低，而第二材料的浓度连续增加。在根据图3a的实施方案中，靶I上侵蚀区5的方向相对于边界线4倾斜锐角α，使得侵蚀子区5-1和5-2的宽度在靶I的纵向上变化。取决于在靶I上的位置，由此实现不同的合金组成。图3b展示了根据本 发明的另一个实施方案的靶，所述靶由三个单独的片11、12-1、12-2组成，在图3b的俯视图中各部分具有梯形形状；邻接的区由不同的材料制成:区12-1 (材料2)、区11 (材料I)和区12-2(材料2)。在具有不同材料的区之间，由此形成的边界线4-1和4-2相对于侵蚀区5倾斜锐角α。由于组成根据图3的靶的各片的梯形形状和由于它们的布置，在跑道5的长段上，两种材料同时但以不同的量脱离。特别地，就纵向而言，首先在靶的一侧，即图3a和3b中的右侧，更多的材料I被溅射并且在另一侧，即左侦牝更多的材料2被溅射。在涂覆期间，如果其直径至多相当于靶长度的基材在靶的下方沿靶的横向，即以图3b中所示的Y-方向通过，则在基材上在X-方向形成两种材料的浓度梯度，其中在图3b的示意图中材料2主要在左侧而材料I主要在右侧。从左至右，材料2的浓度连续降低，而材料I的浓度连续增加。图4示意性展示了根据本发明的实施方案的涂覆设备的横截面图。如图4中所示的图3b的靶的横截面是沿图3b的Y-轴的区域。布置在靶上方的磁铁装置2产生磁场，其包含具有极靴N、S和N的永久磁铁的轭板。在靶下方，由靶的材料形成低压等离子体6-1和6-2。基材3放置在此用于涂覆。通过如在磁铁装置上方由箭头所示的永久磁铁2的移动，在基材上形成并且由磁铁装置产生的侵蚀区5-10和5-20可以垂直于靶的纵向延伸移动(在图4中向左或向右)。根据图5，具有磁铁装置的轭板2可以围绕长阴极的纵轴L倾斜(即围绕相对于图5中的图像平面垂直的轴)。通过该倾斜，在沿着靶I形成的两个侵蚀区5-10和5-20上的靶脱离率可以相对于彼此而变化，并且可以因此改变在基材上的合金比例及其梯度。图6示例性地展示了由上述本发明的应用得到的基材上的材料分布。通过用如图3中所不的祀涂覆，其中材料I在本情形中为IE并且材料2为铁，涂覆后在基材3的表面上得到如图6中所示的浓度分布。在基材的左侧主要沉积铁，而在右侧钯的浓度高。其间有连续的过渡，其特征在于，铁浓度降低并且钯浓度增加。图7a和7b展示了沿基材直径的合金的材料之一的浓度，如图6中所示使用钯的例子。根据图7a和7b，该浓度(例如Pd浓度)从左至右连续增加。通过磁铁装置的侧向移动实现浓度的不同增加，如图4中所示。图8展示了通过倾斜磁铁装置，如图5中所示，可以调节相对的量。根据本发明的另一个实施方案，横贯基材的整个宽度也可以制得均匀的合金层。为了该目的，可以使用如图9a中所示的靶I。根据图9a的靶例如由四个而不是三个材料片组成，其中两个片11-1和11-2由材料I制成并且两个片12-1和12-2由材料2制成。各靶片均为矩形，因此获得在靶I和基材3的纵向上延伸的材料边界4-1、4-2和4-3。根据图9b的设备相当于图4和5中所示的设备,然而其中在图9b中使用根据图9a的祀。通过移动轭板2，可以调节在基材上形成的合金中材料I和材料2的量。在图9b中所示的调节中，基本上仅材料2从靶上脱离，因此在基材上形成该材料的均匀层。通过向左移动磁铁装置，如图9b中所示，可以以有针对性的方式并且在大范围内控制所得合金中材料I和2的量。由此在两种不同的合金组成中得到的浓度示于图10中。在基材3上的位置上合金组成不变；然而可以以有针对性的方式调节形成合金的其中一种材料的量。通过适宜地构 造靶，还可以获得其他合金组成或梯度。例如，还可以在四-部分靶中使用梯形靶区用于沉积和调节合金梯度。还可以通过使用多于两种的材料制备具有三种或更多种组分的合金。根据本发明，还可以在轭板上使用电磁铁代替永久磁铁。根据本发明的另一个实施方案(图11)，还可以制得单个的基础区12的靶I并且仅将第一材料I施加于基础区12表面的所希望的区11-1和11-2。这样的结构示例性地示于图11中；在该例子中，基础区12由铁磁材料2制成。材料I可以例如是非-铁磁性的。因此，根据本发明，当借助于阴极溅射在基材上制备层时，可以施加具有至少两种合金组分的合金。当根据本发明的第一实施方案使用梯形靶片时，可以相对于基材上的位置产生合金组成的梯度，其中梯形的陡度决定了浓度梯度的基本功能。当使用矩形靶片代替梯形靶片时，横贯基材直径可以产生特定的均匀浓度。在使用梯形靶片时，垂直于靶的纵向延伸的移动侵蚀区可以改变梯度的陡度，所述侵蚀区的移动可通过在靶的横线上移动磁铁装置产生。当使用矩形靶片时，这样的磁铁装置的移动可以造成均匀的合金组成的变化，其中当使用四个而不是三个靶区时该效果特别明显。通过绕平行于靶的纵向的轴倾斜磁铁装置，可以改变垂直于靶的纵向延伸的侵蚀沟槽中的脱离率；由此可以改变平均率或者以及在矩形靶区的情形中改变均匀的合金组成。这样的倾斜还允许补偿合金组分不同的特定溅射率。替代形成单独靶片的靶，还可以将所希望的区中的一种使用的材料施加于靶的基础区上。当使用铁磁性基础区作为一种材料而另一种为非-铁磁性材料时，这特别合适。
权利要求
1.借助于磁控管阴极溅射用合金涂覆基材(3)的方法，所述基材(3)具有一定宽度和长度，所述合金包含至少一种第一和一种第二材料作为合金组分且具有可变的合金比例，所述方法包括 (a)用具有以下物质的磁控管溅射阴极: (al)包含合金组分的靶(1)，和 (a2)当从基材(3)观察时布置在靶(I)后方，用于在靶(I)的表面形成至少一个侵蚀区(5)的磁铁装置(2)， 其中 (b)靶(I)的表面包括至少一个第一材料的第一区(11)和一个第二材料的第二区(12)， (c)所述第一区(11)和第二区(12)彼此邻接并且在靶(I)的表面上形成共有的边界线⑷，和 (d)侵蚀区(5)位于边界线(4)的区域，使得侵蚀区(5)的第一部分(5-1)位于第一靶区(11)上并且侵蚀区(5)的第二部分(5-2)位于第二靶区(12)上， 其特征在于， (e)通过以下方式改变合金比例 : (el)基本上横向于边界线(4)移动侵蚀区(5)， 和/或 (e2)在平行于靶(I)的表面的平面内调节边界线(4)与侵蚀区的纵向之间的锐角α， 和/或 (e3)调节磁铁装置的表面与朝向基材(3)的靶⑴的表面之间的角度β。
2.根据权利要求1的方法，包括以下步骤:通过相对于基材表面平行移动基材(3)和/或磁铁装置(2)，优选地通过在彼此垂直的方向上移动，改变磁铁装置(2)与基材(3)的表面之间的相对位置。
3.根据权利要求1或2的方法，包括延伸横贯基材(2)的宽度的长形的磁控管溅射阴极，通过在平行于靶(I)的表面的平面内调整磁铁装置(2)以使其纵向相对于边界线(4)平行或者呈锐角α。
4.根据权利要求1一 3任一项的方法，通过使磁铁装置(2)围绕轴相对于靶表面倾斜角度β。
5.根据权利要求1一 4任一项的方法,其中取决于磁控管派射阴极在基材(3)上方的位置来改变合金比例。
6.用于借助于磁控管阴极溅射用合金涂覆基材(3)的设备，所述合金包含至少一种第一和一种第二材料作为合金组分并且具有可变的合金比例，所述设备包括 (a)磁控管溅射阴极，其包括 (al)靶(1)，和 (a2)当从基材(3)观察时布置在靶(I)后方，用于在靶(I)的表面形成侵蚀区(5)的磁铁装置， 其特征在于， (b)靶(I)的表面包括至少一个第一材料的第一区(11)和一个第二材料的第二区，其中第一区(11)和第二区(12)彼此邻接并且在靶(I)的表面上形成共有的边界线(4)，和 (c)磁铁装置(2)(cl)可以在相对于靶表面平行的并且相对于靶(I)的边界线垂直或者相对于边界线(4)呈角度α的方向上移动， 和/或 (c2)可围绕轴相对于靶表面倾斜角度β或者靶表面可围绕轴相对于磁铁装置(2)倾斜角度β， 和/或 (c3)可相对于边界线(4)调节角度α。
7.根据权利要求6的设备，其中所述磁控管溅射阴极作为长的阴极形成。
8.根据权利要求6或7的设备，其中磁铁装置(2)包括永久磁铁或电磁铁。
9.用于借助于磁控管阴极溅射用合金涂覆基材(3)的靶，所述合金包含至少一种第一和一种第二材料作 为合金组分并且具有可变的合金比例，由此在靶表面形成侵蚀区(5)，其中靶(I)的表面包括至少一个第一材料的第一区和一个第二材料的第二区，其中第一区(11)和第二区(12)彼此邻接并且在靶(I)的表面上形成共有的边界线(4)，其中侵蚀区(5)相对于边界线(4)平行地或者以锐角α存在。
10.根据权利要求9的靶，其中靶⑴的表面为矩形。
11.根据权利要求9或10的祀，其中靶(I)的表面的区(11，12)以梯形形状布置，以在靶(I)的表面上形成不同材料的条，所述条的边界线(4)相对于靶的纵向侧倾斜角度α。
12.根据权利要求11的靶，其中靶(I)的表面包括三个区(11，12)，其中一个区(11)由第一材料制成，并且邻接该第一区(11)的两个区(12)由第二材料制成。
13.根据权利要求12的靶，其中靶(I)的表面包括四个区(11，12)，其中两个区(11)由第一材料制成，并且另外两个区(12)由第二材料制成，并且不同材料的区交替布置。
14.根据前述权利要求任一项的靶，其中靶(I)由多个单独的片组成，所述片的表面形成靶的表面的区，并且其中至少一个单独的片由第一材料制成并且至少另一个单独的片由第二材料制成。
全文摘要
本发明涉及用于借助于阴极溅射用合金涂覆基材的靶，所述合金具有至少一种第一材料和一种第二材料作为合金组分。靶的表面具有至少一个由第一材料制成的第一区和一个由第二材料制成的第二区。两个区彼此邻接并且形成共有的边界线。本发明进一步涉及使用根据本发明的靶用于借助于阴极溅射用合金涂覆基材的设备和方法。
文档编号C23C14/34GK103108978SQ201180045760
公开日2013年5月15日 申请日期2011年9月28日 优先权日2010年9月28日
发明者W·马斯, B·奥克, J·朗格 申请人:辛古勒斯技术股份公司