专利名称：一种适用于被动元件之双面覆膜方法
技术领域：
本发明是关于一种适用于被动元件之双面覆膜方法。
背景技术：
现有的被动元件双面电极层成膜是于被动元件本体的表面上网版印刷银浆，之后进行150到200摄氏度的预烤，另一面电极层亦使用相同制程，再以高温炉加热约800至900摄氏度的高温烧结此被动元件以确保银浆附着。然而，使用网版双面印刷制程耗时接近一小时，相对于使用双面沉积方法而言不仅耗时费工，且成本极高，对于高温制程所造成的环保问题也是一大诟病。即现有的网版双面印刷制程需高温加热达数十分钟，不但耗费能源且造成环境温度升高。
发明内容
鉴于背景技术提及的各项问题，本发明提出一种适用于被动元件之双面覆膜方法，以解决现有技术存在的问题。本发明提出一种适用于被动元件之双面覆膜方法，包括下列步骤:(a)提供一适用于被动元件之双面覆膜设备，该适用于被动元件之双面覆膜设备包括:第一低压腔体；至少一个空间的制程腔体，第一低压腔体以及制程腔体之间具有闸门；
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第二低压腔体，制程腔体以及第二低压腔体之间具有闸门；以及，输送系统，输送系统位于第一低压腔体、制程腔体、以及第二低压腔体的内部，输送系统可输送一待镀物，使得待镀物依序通过第一低压腔体、制程腔体以及第二低压腔体，当制程腔体包括若干个空间时，制程腔体的各个空间分别为第一沉积空间以及第二沉积空间，第一沉积空间以及第二沉积空间彼此连通，待镀物被传输而进入制程腔体后，待镀物依序通过第一沉积空间以及第二沉积空间，尔后再进入第二低压腔体，第一沉积空间具有单个或多个靶材，当第一沉积空间具有的靶材为多个时，第一沉积空间的各靶材的材料选择性地彼此相同或相异，第二沉积空间具有单个或多个靶材，当第二沉积空间具有的靶材为多个时，第二沉积空间的各靶材的材料选择性地彼此相同或相异；(b)使得待镀物位于输送系统上； (C)使输送系统输送待镀物至第一低压腔体；(d)进行一抽高真空动作以及一加热动作于第一低压腔体；(e)打开第一低压腔体以及制程腔体之间的闸门，以使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第一沉积空间，关闭第一低压腔体以及制程腔体之间的闸门，再进行一沉积制程于待镀物的单一表面或若干个第一表面；(f)使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第二沉积空间，再进行另一沉积制程于待镀物的另一单一表面或若干个第二表面，另一单一表面与单一表面彼此背对背对应；
(g)打开制程腔体以及第二低压腔体之间的闸门，以使输送系统输送已被覆膜的待镀物至第二低压腔体；以及，(h)关闭制程腔体以及第二低压腔体之间的闸门。其中，该适用于被动元件的双面覆膜设备还包括:载入腔体；等离子清洁腔体；以及，载出腔体，载入腔体以及等离子清洁腔体的间具有闸门，等离子清洁腔体以及第一低压腔体之间具有闸门，第二低压腔体以及载出腔体的间具有闸门，输送系统位于载入腔体、等离子清洁腔体、第一低压腔体、制程腔体、第二低压腔体以及载出腔体的内部，输送系统可输送待镀物，使得待镀物依序通过载入腔体、等离子清洁腔体、第一低压腔体、制程腔体、第二低压腔体以及载出腔体，第一沉积空间及第二沉积空间为辉光放电沉积腔体、蒸镀腔体、离子镀腔体、电弧镀腔体或化学气相沈积腔体，第一低压腔体及第二低压腔体之压力系介于10_2托(torr)至10_6托(torr)之间，沉积制程为辉光放电沉积制程、蒸镀制程、离子镀制程、电弧镀制程或化学气相沈积制程。其中，步骤(b)还包括送入待镀物于载入腔体内，并使得待镀物位于输送系统上。其中，步骤(b)以及步骤 (C)之间还包括下列步骤:(i)进行一初步抽真空动作于载入腔体；(j)打开载入腔体以及等离子清洁腔体之间的闸门，以使输送系统输送待镀物至等离子清洁腔体；(k)关闭载入腔体以及等离子清洁腔体之间的闸门，再进行一等离子清洁动作于待镀物；以及，(I)打开等离子清洁腔体以及第一低压腔体之间的闸门。其中，步骤(d)还包括:关闭等离子清洁腔体以及第一低压腔体之间的闸门，再进行抽高真空动作以及加热动作于第一低压腔体。其中，制程腔体的各空间分别为第一沉积空间、第二沉积空间、第一缓冲空间以及第二缓冲空间，第一缓冲空间、第一沉积空间、第二沉积空间以及第二缓冲空间彼此连通，待镀物被传输而进入制程腔体后，待镀物依序通过第一缓冲空间、第一沉积空间、第二沉积空间以及第二缓冲空间，尔后再进入第二低压腔体。其中，步骤(e)还包括:使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第一缓冲空间。其中，步骤(e)以及步骤(f)之间还包括步骤:(m)关闭第一低压腔体以及制程腔体之间的闸门，并进行第一缓冲动作于待镀物；以及，步骤(f)以及步骤(g)之间还包括步骤:(η)使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第二缓冲空间，并进行第二缓冲动作于已被覆膜的待镀物。其中，第一缓冲动作为令待镀物于原处等待或者调整输送系统的传输速度，第二缓冲动作为令已被覆膜的待镀物于原处等待或者调整输送系统的传输速度。其中，步骤(h)之后还包括下列步骤:(O)打开第二低压腔体以及载出腔体之间的闸门，以使输送系统输送已被覆膜的待镀物至载出腔体，再进行一通气体回常压动作于载出腔体；以及，(P)取出载出腔体中已被覆膜的待镀物。依据本发明提供的适用于被动元件之双面覆膜方法，待镀物于制程腔体内即可完成被动元件的双面覆膜之制程。本发明适用于被动元件的双面覆膜方法无需反复地进行破真空动作、抽真空动作或加热动作，进一步精简了被动元件的双面覆膜之制程周期，进而降低了制程之复杂度以及成本。另外，本发明的待镀物是于制程腔体内完成被动元件的双面覆膜的制程，亦即进行双面覆膜的制程时，可维持制程腔体内的低压的一致性，待镀物的双面覆膜层不易产生彼此的膜特征相异的情形。此外，待镀物可于第一缓冲空间或第二缓冲空间内，被进行缓冲动作，可进一步增加进行被动元件的双面覆膜之制程时的流畅度。
图1为本发明实施例的被动元件之双面覆膜设备的结构示意图。图2为本发明实施例的被动元件之双面覆膜方法之部分步骤示意图。图3为本发明实施例的被动元件之双面覆膜方法之部分步骤示意图。图4为本发明实施例的被动元件之双面覆膜方法之部分步骤示意图。图中:1:载入腔体、2:等离子清洁腔体、3:第一低压腔体、4:制程腔体、41:第一缓冲空间、42:第一沉积空间、43:第二沉积空间、44:第二缓冲空间、5:第二低压腔体、6:载出腔体、7:输送系统、001:步骤、100 101:步骤、200 201:步骤、300 301:步骤、400 404:步骤、500 501:步骤、600 601:步骤、A:待镀物、B:革巴材。
具体实施例方式以下将参照相关 附图，说明本发明实施例提供的被动元件之双面覆膜方法，为使便于理解，下述实施例中相同元件是以相同的符号标示来说明。首先，如附图1所示，本实施例所采用的适用于被动元件之双面覆膜设备包括载入腔体1、等离子清洁腔体2、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5、载出腔体6以及输送系统7。载入腔体I以及等离子清洁腔体2之间具有闸门。等离子清洁腔体2以及第一低压腔体3之间具有闸门。第一低压腔体3以及制程腔体4之间具有闸门。制程腔体4以及第二低压腔体5之间具有闸门。第二低压腔体5以及载出腔体6之间具有闸门。输送系统7位于载入腔体1、等离子清洁腔体2、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5以及载出腔体6的内部。输送系统7可输送待镀物A，使得待镀物A依序通过载入腔体1、等离子清洁腔体2、第一低压腔体3、制程腔体4、第二低压腔体5以及载出腔体6。前述第一低压腔体3及第二低压腔体5之压力系介于10_2托(torr)至10_6托(torr)之间。制程腔体4包括至少一个空间。当制程腔体包括若干个空间时，各空间分别为第一缓冲空间41、第一沉积空间42、第二沉积空间43以及第二缓冲空间44。第一缓冲空间41、第一沉积空间42、第二沉积空间43以及第二缓冲空间44彼此连通。待镀物A被传输而进入制程腔体4后，待镀物A依序通过第一缓冲空间41、第一沉积空间42、第二沉积空间43以及第二缓冲空间44，尔后再进入第二低压腔体5。第一沉积空间42具有单个或多个靶材B，当第一沉积空间42具有的靶材B为多个时，第一沉积空间42的各靶材B的材料选择性地彼此相同或相异。同样地，第二沉积空间43具有单个或多个靶材B，当第二沉积空间43具有的靶材B为多个时，第二沉积空间43的各靶材的材料选择性地彼此相同或相异。前述第一沉积空间42及第二沉积空间43例如为辉光放电沉积腔体、蒸镀腔体、离子镀腔体、电弧镀腔体或化学气相沈积腔体。参见图2、图3和图4,本实施例的适用于被动元件之双面覆膜方法包括下列步骤:步骤001:提供如上的适用于被动元件之双面覆膜设备。步骤100:送入待镀物于载入腔体内，并使得待镀物位于输送系统上。步骤101:进行初步抽真空动作于载入腔体。步骤200:打开载入腔体以及等离子清洁腔体之间的闸门，以使输送系统输送待镀物至等离子清洁腔体。步骤201:关闭载入腔体以及等离子清洁腔体之间的闸门，再进行等离子清洁动作于待镀物的表面。步骤300:打开等离子清洁腔体以及第一低压腔体之间的闸门，以使输送系统输送待镀物至第一低压腔体。步骤301:关闭等离子清洁腔体以及第一低压腔体之间的闸门，再进行抽高真空动作以及加热动作于第一低压腔体。步骤400:打 开第一低压腔体以及制程腔体之间的闸门，以使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第一缓冲空间。步骤401:关闭第一低压腔体以及制程腔体之间的闸门并进行缓冲动作于待镀物。前述缓冲动作例如为令待镀物于原处等待或者调整输送系统的传输速度。步骤402:使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第一沉积空间，再进行沉积制程于待镀物的单一表面或多个表面。前述沉积制程例如为辉光放电沉积制程、蒸镀制程、离子镀制程、电弧镀制程或化学气相沈积制程。步骤403:使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第二沉积空间，再进行沉积制程于待镀物的另一单一表面或多个表面。该另一单一表面与步骤402中单一表面彼此背对背对应。前述沉积制程例如为辉光放电沉积制程、蒸镀制程、离子镀制程、电弧镀制程或化学气相沈积制程。步骤404:使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第二缓冲空间，并进行缓冲动作于已被覆膜的待镀物。前述缓冲动作例如为令已被覆膜的待镀物于原处等待或者调整输送系统的传输速度。步骤500:打开制程腔体以及第二低压腔体之间的闸门，以使输送系统输送已被覆膜的待镀物至第二低压腔体。步骤501:关闭制程腔体以及第二低压腔体之间的闸门。步骤600:打开第二低压腔体以及载出腔体之间的闸门，以使输送系统输送已被覆膜的待镀物至载出腔体，再进行破真空动作于载出腔体。前述第一沉积空间及第二沉积空间例如为辉光放电沉积腔体、蒸镀腔体、离子镀腔体、电弧镀腔体或化学气相沈积腔体。步骤601:取出载出腔体中已被覆膜的待镀物。需特别说明，本发明实施例的被动元件是指应用于微小待镀物的被动元件，例如为陶瓷电容、突波吸收器、热敏电阻等被动元件。由于并非本发明的要点所在，故于此不再赘述。综上，本发明提供的适用于被动元件的双面覆膜方法至少具有下述优点:1.精简了被动元件的双面覆膜的制程周期，进而降低了被动元件制程的复杂度以及成本:依据本发明的整体设计，待镀物于制程腔体内即可完成被动元件的双面覆膜的制程。因此，无需于待镀物进行单面覆膜完毕后，先在载出腔体内进行通气体回常压动作以将待镀物取出，将待镀物翻面，再将待镀物重新置入制程腔体，并重新加热及抽真空。亦即本发明无需反复地进行破·真空动作、抽真空动作或加热动作，进一步精简了被动元件的双面覆膜的制程周期，进而降低了被动元件的双面覆膜制程的复杂度以及成本。2.进行被动元件的双面覆膜的制程时，可维持制程腔体内的低压的一致性:本发明的待镀物是于制程腔体内完成被动元件的双面覆膜的制程，亦即进行被动元件双面覆膜的制程时，可维持制程腔体内的低压的一致性，待镀物的双面覆膜层不易产生彼此的膜特征相异的情形。3.可增加进行双面覆膜的制程时的流畅度:待镀物可于第一缓冲空间或第二缓冲空间内，被进行缓冲动作。例如已被覆膜的待镀物于原处等待或者调整输送系统的传输速度。如此一来，可增加进行双面覆膜的制程时的流畅度。4.本发明降低了能源损耗，节能又环保:本发明提供的适用于被动元件的双面覆膜方法无需高温加热，可降低能源损耗，节能又环保。以上仅为举例性，而非为限制性实施例。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于本申请专利范围中。
权利要求
1.一种适用于被动元件之双面覆膜方法，其特征在于，包括下列步骤: (a)提供一适用于被动元件之双面覆膜设备，该适用于被动元件之双面覆膜设备包括: 第一低压腔体； 至少一个空间的制程腔体，第一低压腔体以及制程腔体之间具有闸门； 第二低压腔体，制程腔体以及第二低压腔体之间具有闸门；以及， 输送系统，输送系统位于第一低压腔体、制程腔体、以及第二低压腔体的内部，输送系统可输送一待镀物，使得待镀物依序通过第一低压腔体、制程腔体以及第二低压腔体，当制程腔体包括若干个空间时，制程腔体的各个空间分别为第一沉积空间以及第二沉积空间，第一沉积空间以及第二沉积空间彼此连通，待镀物被传输而进入制程腔体后，待镀物依序通过第一沉积空间以及第二沉积空间，尔后再进入第二低压腔体，第一沉积空间具有单个或多个靶材，当第一沉积空间具有的靶材为多个时，第一沉积空间的各靶材的材料选择性地彼此相同或相异，第二沉积空间具有单个或多个祀材，当第二沉积空间具有的靶材为多个时，第二沉积空间的各靶材的材料选择性地彼此相同或相异； (b)使得待镀物位于输送系统上； (C)使输送系统输送待镀物至第一低压腔体； (d)进行一抽高真空动 作以及一加热动作于第一低压腔体； (e)打开第一低压腔体以及制程腔体之间的闸门，以使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第一沉积空间，关闭第一低压腔体以及制程腔体之间的闸门，再进行一沉积制程于待镀物的单一表面或若干个第一表面； (f)使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第二沉积空间，再进行另一沉积制程于待镀物的另一单一表面或若干个第二表面，另一单一表面与单一表面彼此背对背对应； (g)打开制程腔体以及第二低压腔体之间的闸门，以使输送系统输送已被覆膜的待镀物至第二低压腔体；以及 (h)关闭制程腔体以及第二低压腔体之间的闸门。
2.如权利要求1所述的适用于被动元件之双面覆膜方法，其特征在于，其中适用于被动元件的双面覆膜设备还包括: 载入腔体； 等离子清洁腔体；以及， 载出腔体，载入腔体以及等离子清洁腔体的间具有闸门，等离子清洁腔体以及第一低压腔体之间具有闸门，第二低压腔体以及载出腔体之间具有闸门，输送系统位于载入腔体、等离子清洁腔体、第一低压腔体、制程腔体、第二低压腔体以及载出腔体的内部，输送系统可输送待镀物，使得待镀物依序通过载入腔体、等离子清洁腔体、第一低压腔体、制程腔体、第二低压腔体以及载出腔体，第一沉积空间及第二沉积空间为辉光放电沉积腔体、蒸镀腔体、离子镀腔体、电弧镀腔体或化学气相沈积腔体，第一低压腔体及第二低压腔体之压力系介于10_2托至10_6托之间，沉积制程为辉光放电沉积制程、蒸镀制程、离子镀制程、电弧镀制程或化学气相沈积制程。
3.如权利要求2所述的适用于被动元件之双面覆膜方法，其特征在于，步骤(b)还包括:送入待镀物于载入腔体内，并使得待镀物位于输送系统上。
4.如权利要求3所述的适用于被动元件之双面覆膜方法，其特征在于，步骤(b)以及步骤(c)之间还包括下列步骤: (i)进行一初步抽真空动作于载入腔体； U)打开载入腔体以及等离子清洁腔体之间的闸门，以使输送系统输送待镀物至等离子清洁腔体； (k)关闭载入腔体以及等离子清洁腔体之间的闸门，再进行一等离子清洁动作于待镀物；以及， (I)打开等离子清洁腔体以及第一低压腔体之间的闸门。
5.如权利要求4所述的适用于被动元件之双面覆膜方法，其特征在于，步骤(d)还包括: 关闭等离子清洁腔体以及第一 低压腔体之间的闸门，再进行抽高真空动作以及加热动作于第一低压腔体。
6.如权利要求2所述的适用于被动元件之双面覆膜方法，其特征在于，其中制程腔体的各空间分别为第一沉积空间、第二沉积空间、第一缓冲空间以及第二缓冲空间，第一缓冲空间、第一沉积空间、第二沉积空间以及第二缓冲空间彼此连通，待镀物被传输而进入制程腔体后，待镀物依序通过第一缓冲空间、第一沉积空间、第二沉积空间以及第二缓冲空间，尔后再进入第二低压腔体。
7.如权利要求6所述的适用于被动元件之双面覆膜方法，其特征在于，步骤(e)还包括: 使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第一缓冲空间。
8.如权利要求7所述的适用于被动元件之双面覆膜方法，其特征在于，步骤(e)以及步骤(f)之间还包括步骤: (m)关闭第一低压腔体以及制程腔体之间的闸门，并进行第一缓冲动作于待镀物；以及， 步骤(f)以及步骤(g)之间还包括步骤: (η)使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第二缓冲空间，并进行第二缓冲动作于已被覆膜的待镀物。
9.如权利要求8所述的适用于被动元件之双面覆膜方法，其特征在于，其中第一缓冲动作为令待镀物于原处等待或者调整输送系统的传输速度，第二缓冲动作为令已被覆膜的待镀物于原处等待或者调整输送系统的传输速度。
10.如权利要求9所述的适用于被动元件之双面覆膜方法，其特征在于，步骤(h)之后还包括下列步骤: (O)打开第二低压腔体以及载出腔体之间的闸门，以使输送系统输送已被覆膜的待镀物至载出腔体，再进行一通气体回常压动作于载出腔体；以及， (P)取出载出腔体中已被覆膜的待镀物。
全文摘要
本发明提供一种适用于被动元件之双面覆膜方法，主要包括下列步骤提供一适用于被动元件的双面覆膜设备；使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第一沉积空间，进行一沉积制程于待镀物的单一表面或多个表面；使输送系统输送待镀物至制程腔体内的第二沉积空间，再进行另一沉积制程于待镀物的另一单一表面或多个表面。本发明降低了制程的复杂度以及成本，更可维持制程腔体内的低压的一致性。本发明可进一步增加进行双面覆膜的制程时的流畅度。
文档编号C23C14/56GK103160787SQ201210138370
公开日2013年6月19日 申请日期2012年5月7日 优先权日2011年12月19日
发明者李智渊, 蔡硕文, 黄耀贤, 蔡俊毅 申请人:钜永真空科技股份有限公司