专利名称：El器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及EL器件的制造方法，特别地，涉及用于EL器件制造过程中的气相沉积的方法和装置。
背景技术：
近年来，有机EL显示器件已开始被安装于具有各种功能的移动电话等中。有机EL显示器件具有图像质量高、能够显示影像、功耗低等的优点，因此，除了移动电话以外，还已开始被用于电视系统、数字照相机和车内显示器等中。有机EL显示器件被以如下方式制造，即与液晶显示器件同样地，在玻璃基板上形 成薄膜晶体管(TFT)阵列，在其上沉积像素电极和用作发光层的有机膜。一般通过真空沉积形成有机膜。为了制造彩色显示器件，通过具有开口的掩模在各像素位置上真空沉积红色、绿色和蓝色有机发光材料。显示器的分辨率变得越来越精细，并且，3英寸VGA显示器正投入使用。在这种情况下，像素间距为约100 μ m。因此，用于真空沉积的掩模的开口的尺寸和间距的精度被设为极闻。在气相沉积中，基板和掩模被紧密接触地放置或被以充分小于开口的尺寸的距离紧邻地放置。基板与掩模之间的长距离导致蒸镀物(evaporant)到达掩模开口缘边(rim)周围并沉积于其上，由此损害沉积图案的边缘的锐度。这也导致相邻的像素之间的颜色混
口 ο由于掩模由具有ΙΟΟμπι或更小的厚度的薄金属箔形成以获得精确的沉积图案，因此，当掩模被保持紧邻基板时，畸变易于出现。并且，由于从蒸镀源(evaporationsource)产生的辐射热，掩模易于膨胀和变形。畸变和变形导致掩模的开口的位置偏移或导致其形状变形，由此降低气相沉积的精度。掩模一般被固定于框架(框架部件)上，并且通过张力的施加被保持以消除畸变和变形。日本专利公开No. 2003-068453公开了沿狭缝状开口的纵向施加张力使得可维持开口的位置和形状，由此增加沉积图案的精度。考虑到生产效率的提高，玻璃基板的尺寸正变大；例如，使用具有G4Q尺寸(365mmX 460mm)、G3尺寸(550 X 670mm)和G4尺寸(730 X 920mm)的大基板。但是，增加掩模尺寸以适于这种大基板使得开口间距的精度降低。并且，难以使得掩模与基板均匀地紧密接触或紧邻该基板。日本专利公开No. 2010-116591公开了一种气相沉积方法，其中大的基板的沉积区域被分割成多个区段。每当逐步移动基板时，通过使用比基板小的掩模重复进行气相沉积。但是，其中大的基板的沉积区域被分割成多个区段的气相沉积方法在分割后的区段中的每一个上执行气相沉积，因此花费许多时间以执行气相沉积。并且，由于一般从水平放置的基板执行气相沉积，因此，掩模被放置为与基板的下表面紧密接触或紧邻该下表面。因此，大的基板当被水平保持时偏斜，因此，在各个分割后的区段上执行气相沉积导致基板与掩模的之间距离根据沉积位置改变，由此使得难以跨着整个基板执行均匀的气相沉积。
发明内容
本发明提供了一种在基板上以矩阵形式排列的多个区段中的每一个中形成的EL器件的制造方法，该方法包括以下的步骤通过保持于基板和与基板相对的蒸镀源之间的掩模将蒸镀物沉积于基板上，该掩模具有列方向的所有区段的沉积图案作为开口，其中，在一次一列地沿区段的行方 向移动基板的同时重复该步骤。本发明提供了一种用于在基板上以矩阵形式排列的多个区段中的每一个中形成沉积图案的气相沉积方法，该方法包括以下的步骤通过保持于基板和与基板相对的蒸镀源之间的掩模将蒸镀物沉积于基板上，该掩模具有列方向的所有区段的沉积图案作为开口，其中，在一次一列地沿区段的行方向移动基板的同时重复该步骤。本发明提供一种气相沉积装置，该气相沉积装置包括蒸镀源；矩形掩模；固定矩形掩模的短边并通过沿纵向施加张力保持矩形掩模的掩模框架；基板支撑单元，该基板支撑单元沿矩形掩模的两个短边的延长线被设置，并且通过基板支撑单元的相对的两个边支撑长度比矩形掩模的短边大的基板；以预定的距离沿基板的长度方向移动基板支撑单元的移动机构；以及调整矩形掩模和基板的相对位置的对准单元。根据本发明的实施例，对于大的基板，也可在短时间内以高的精度形成沉积图案。参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。
图I是示出根据本发明的实施例的EL器件制造过程中的气相沉积过程的示图。图2是示出在各区段中形成的有机EL显示器件的示图。图3是示出基板上的气相沉积区段的示图。图4是示出掩模的开口的形状和布置的示图。图5是示出掩模框架的示图。图6是示出对准单元的配置的示图。图7是示出基板支撑单元的配置和用于移动基板的方法的示图。图8A SE是示出用于各个列的气相沉积过程的示图。图9是示出整个表面的分批气相沉积的示图。图10是示出膜厚分布的测量结果的示图。图11是示出布置多个蒸镀源的配置的示图。
具体实施例方式将参照附图描述根据本发明的实施例的EL器件的制造方法。虽然以有机EL显示器件为例进行描述，但是，本发明可被应用于使用有机EL或无机EL的所有发光器件，诸如使用无机EL的EL显示器件和照明单元。对于没有在本说明书中特别示出和描述的部件应用公知或已知的技术。以下描述的实施例仅是本发明的实施例，并且，本发明不限于此。
图I示出本发明的EL器件制造过程中的气相沉积过程。诸如被加热成蒸汽的有机化合物的蒸镀物从蒸镀源107被排出并通过掩模103的开口附着于玻璃基板105。已附着的蒸镀物被沉积在玻璃基板105上以形成有机化合物的膜等。具有相同图案的有机发光层被沉积在单个玻璃基板105的以矩阵形式排列的各个区段106上，以一次全部地(in a lump)在玻璃基板105上形成多个有机EL显示器件。在单个基板上沉积一种颜色的有机发光层之后，通过气相沉积方法在同一玻璃基板上沉积另一颜色的有机EL层，因此可制造彩色有机EL显示器件。在所有颜色的气相沉积已完成之后，玻璃基板105被切割成区段106，每个区段106用作一个有机EL显示器件。图2示出了在各区段106中形成的彩色有机EL显示器件。彩色有机EL显示器件包括由以矩阵形式排列的RGB颜色的有机EL元件10形成的像素11。各个有机EL元件10被配置为使得有机发光物质(未示出)被夹在所有像素共用的被构图的阳极电极12和阴极电极13之间。·阳极电极12连接到像素电路(未示出)。该像素电路连接到沿列方向延伸的电源线14并且被供给电源电压。电源线14变为像素阵列区域外面的共用电源线15，通过该共用电源线15，阳极电极12与端子16连接。阴极电极13通过接触部分17变为像素阵列区域外面的阴极电源线18，通过该阴极电源线18，阴极电极13与端子19连接。除端子16和19以外的整个显示器件被密封罐(未示出)覆盖，该密封罐通过密封部21 (由两个虚线包围的部分)与玻璃基板105接合，由此与外部空气隔离。另外，虽然用于控制像素电路的控制电路和向像素电路发送图像信号的信号产生电路被设置在像素11的阵列周围，但是，它们在图2中被省略。控制电路和信号产生电路通过端子20从外面接收控制信号和图像信号的输入。图3示出玻璃基板105上的沉积区域的布置。与图I中的那些部件相同的部件被赋予相同的附图标记。这也适用于以下的图。玻璃基板105具有位于第一至第五行中以及列A至E中的总共25个区段。图3是从沉积表面看的玻璃基板105的示图。在图I中，沉积表面被向下放置。各区段106被设有用于显示器件的驱动电路以及有机EL元件10的一个电极。在气相沉积的过程中，5X5的区段106中的一列被一次全部地沉积。在玻璃基板105和掩模103被相对移动的同时,从列A到列E —次一列地执行气相沉积。因此，在各个区段106中形成沉积图案。沿区段106的行的方向(还被称为行方向)被称为X轴，沿区段106的列的方向(还被称为列方向)被称为I轴，并且玻璃基板105的法线方向被称为z轴。玻璃基板105移动的方向为X轴上的负方向。沉积图案由掩模103确定。掩模103为具有与玻璃基板105中的一列的大小基本相同的大小的矩形，其长边具有与该列的长度基本相同的长度，并且其短边具有与该列的宽度基本相同的宽度。掩模103被设有与区段106的沉积图案对应的一列开口区域104。图4是单个开口区域104中的掩模103的放大图。掩模103具有沿一列的开口 301。开口 301与RGB颜色的蓝色(B)有机EL元件IOB的位置对应，并且分别具有沿列方向延伸的细长狭缝形状。通过使用图4中的掩模103沉积蓝色(B)有机发光物质。用于沉积红色(R)和绿色(G)有机发光物质的掩模也具有与相应的有机EL元件IOR和IOG对应的类似的开口。开口区域104与玻璃基板105的区段106中的一个的沉积图案对应。图I中的掩模103具有沿垂直方向布置的5个图4中的开口区域104。掩模103具有区段106中的一列的所有沉积图案，使得可以一次全部地沉积一个列。开口 301是沿y方向的细长的狭缝。并行地设置与显示器件的像素的列数相同数量的开口 301。各个狭缝在玻璃基板105上形成条带沉积图案。掩模103是具有40 μ m的厚度的因瓦合金(invar)板,其中，通过以120 μ m的间距进行蚀刻来形成40 μ m的狭缝。可以使用可被微加工的任何薄金属板；但是,使用具有低的热膨胀系数的材料以防止在气相沉积期间掩模103由于掩模103的温度升高所导致的热膨胀而变形。掩模103被固定于掩模框架102上。图5详细示出掩模框架102。掩模103和掩·模框架102以下被称为掩模组件101。考虑到掩模103的偏转量和当玻璃基板105被放置在掩模103上时的偏转量，掩模框架102的在长边的肋部403的高度被设为比在短边的肋部402的高度小，以防止肋部403与玻璃基板105接触。掩模框架102的材料可以是诸如不锈钢(steel use stainless,SUS)的金属。类似于掩模103，掩模框架102由具有低的热膨胀系数的材料形成，以防止在气相沉积期间由于由掩模103的温度升高导致的热膨胀而导致变形。在本实施例中，掩模框架102由因瓦合金材料形成。在气相沉积期间，玻璃基板105被放置为与固定于掩模框架102的掩模103紧密接触。蒸镀源107被设置在关于掩模103与玻璃基板105相反的位置。蒸镀源107的数量不限于一个；它可根据沿Y方向的沉积区域的长度而增加。出于简化和说明的目的，图I示出以比实际距离长的距离分隔开的掩模103和玻璃基板105。图6示出调整掩模103和玻璃基板105的相对位置的对准单元501和用于将它们对准到预定的位置的方法。对准单元501包括对准台架(未示出)和控制机构(未示出)，在该对准台架上安装有两个CCD照相机509和掩模103，并且该对准台架使掩模103相对于玻璃基板105移动非常小的距离，该控制机构分析CCD照相机509的图像并移动该对准台架。掩模103和玻璃基板105分别具有用于定位沉积图案的对准标记507和508。CXD照相机509被设置在两个位置，以测量设置在掩模103的两端的对准标记507。图7示出基板支撑单元600和用于逐步移动玻璃基板105的方法。基板支撑单元600包含五五相对的10个L状支撑部件601。玻璃基板105在两边被支撑部件601水平支撑。支撑部件601沿从掩模103的两端与掩模103的短边平行地、即沿X方向延伸的线602被设置在各边的至少两个位置处，以支撑玻璃基板105的两个相对的边。这允许其的沿X方向的长度比掩模103的短边长的玻璃基板105被支撑。虽然通过支撑部件601在与X轴平行的两个边的端部支撑玻璃基板105，但是，与y轴平行的边不被支撑。支撑部件601可向掩模103的后面(沿x轴上的负方向)以及向掩模的前面(沿x轴上的正方向)移动。同样，在后面，支撑部件601类似地沿从掩模103的端部延伸的线602被定位。在全部支撑部件601支撑玻璃基板105的同时，通过移动机构(未示出)使支撑部件601以预定的距离逐步地沿与支撑边平行的方向(沿X轴的方向)移动。这允许玻璃基板105沿行方向移动。移动机构是使支撑部件601与单个臂连结并使它们一起移动的公知的机构。由于移动限于X方向，因此，移动机构可以是简单的。图8A 8E示出由图7中的支撑部件601支撑的玻璃基板105的各个列的气相沉积的步骤。图8A 8E分别是用于列A E的气相沉积过程。当玻璃基板105被传输到气相沉积室中时，玻璃基板105被传到支撑部件601。如图8A所示，支撑部件601首先将玻璃基板105的列A移动到掩模103的位置。在这种状态下，玻璃基板105和掩模103被相互对准。具体地，CXD照相机509测量掩模103的对准标记507和玻璃基板105的对准标记508的位置。通过控制在其上安装 有掩模组件101的对准台架来使对准标记507和508的位置对准。在完成对准之后，所有的支撑部件601向下移动以向下移动玻璃基板105，以使玻璃基板105和掩模103相互接触。如箭头604所示，掩模103正上方的支撑部件601下落到掩模框架102中的凹部603内，以与玻璃基板105分离。但是，玻璃基板105保持由其它的支撑部件601支撑。由于蒸镀源107包含蒸镀物702并通过一般被设置在上部部分的开口排出蒸镀物702，因此，必须在气相沉积表面向下的状态下保持玻璃基板105。因此，玻璃基板105在边缘处被支撑并在中心向下垂直偏转。如果玻璃基板105大，那么偏转明显大，并且，当通过使用比玻璃基板105小的掩模103使其反复经受气相沉积时，根据玻璃基板105的位置使掩模103与玻璃基板105紧密接触是非常困难的。当如图7所示，玻璃基板105通过支撑部件601在相对的两个边的边缘处被水平支撑时，玻璃基板105沿与两个边垂直的方向、即沿y轴偏转。该偏转在X轴的方向上是均匀的。由于掩模103仅在与X轴平行的两个边被固定于掩模框架102,因此,掩模103容易在y-ζ平面中偏转和变形。因此，仅通过在掩模103上放置玻璃基板105使掩模103跟随玻璃基板105变形，由此允许使玻璃基板105和掩模103在掩模103的整个宽度上相互紧密接触。并且，当不使得玻璃基板105和掩模103接触时，由于玻璃基板105和掩模103沿两个边在相同的方向上被支撑，因此，通过调整被施加到掩模103上的y方向的张力，可使整个的掩模103以基本上均匀的距离与玻璃基板105紧邻。在使得玻璃基板105与掩模103紧邻或紧密接触之后，蒸镀源107的蒸镀源闸板(未示出)被打开以将蒸镀物702排出到玻璃基板105上，并由此执行列A的气相沉积。当利用膜厚监视器(未示出)的观察表明膜厚已达到预定的值时，气相沉积停止。在列A的气相沉积完成后，支撑部件601向上移动以使玻璃基板105与掩模103分离，由此使其返回对准位置。并且，如图8B所示，全部支撑部件601沿箭头701的方向移动到相邻的支撑部件601并且使玻璃基板105与列B的位置对准。如同对于列A那样执行列B的对准，并且执行气相沉积。在依次移动玻璃基板105之后，对于图8C、图8D和图8E中的布置执行列C、D和E的气相沉积。在每一列的每一端部处设置一个图7中的支撑部件601，并且，一次的移动距离等于沿X方向的支撑部件601之间的距离。
根据本发明的实施例的制造方法通过使用掩模103 —次在一列上执行气相沉积，该掩模103具有与和玻璃基板105的一个列对应的所有沉积图案对应的开口。由于支撑部件601下落到掩模框架102的凹部603内，因此，沿X轴的方向逐步地传输玻璃基板105，并且，每次玻璃基板105与掩模103对准，此时执行气相沉积。由于仅沿一个方向移动玻璃基板105就够了，因此,移动机构可被简化。由于一次一个列经受气相沉积，因此，按列的数量重复气相沉积是足够的，因此与逐个区段进行气相沉积的方法相比需要更短的时间。并且，由于玻璃基板105和掩模103沿相同的方向上的两个边被固定，因此，偏转的形状相同，由此允许整体均匀地相互紧密接触。将通过使用例子具体描述本发明。例子I通过具有图I的配置的气相沉积装置在G4Q玻璃基板105 (沿y轴的365mm的宽度X沿X轴的460mm的长度)上沉积有机EL层。·掩模103是被加工成具有90mm的短边和440mm的长边的矩形的厚40 μ m的因瓦合金薄板，其中，形成与玻璃基板105的区段106对应的5个开口区域104。每一开口区域104具有间距为120 μ m的狭缝,该狭缝的与长边平行的宽度为40 μ m。在向两个短边施加6. 0±0. Ikgf的张力的状态下，掩模103被固定于图5中的掩模框架102。由于张力的方向与狭缝的方向相同，因此,掩模103的张力在各个部分处保持均匀，由此增加开口的位置和形状的精度。增加掩模尺寸以适合于大的玻璃基板使得难以保持高的精度。即使通过具有与玻璃基板105相同的尺寸的高精度掩模，也难以通过向其施加均匀的张力而保持高的精度。由于当被施加张力时出现的支撑框架102的轻微的畸变，当将掩模103固定于支撑框架102时出现的小的畸变增加，由此不可避免地导致张力的不均匀。这也适于沿狭缝的纵向的张力被施加到具有沿相同的方向延伸的狭缝开口的掩模103的情况。即使沿横向施加张力以校正沿纵向的张力的不均匀性，张力也不作用于狭缝之间的间隔上，不能向整个掩模103施加均匀的张力。但是，如在本例子中那样，假定宽度充分地比长度小，即使对于具有与玻璃基板105的一个边基本相同的长度的掩模也可施加均匀的张力。假定掩模103不离开掩模框架102或者它不偏离其固定位置，可以使用任何方法以将掩模103固定于掩模框架102。在本例子中，掩模103的两个短边通过电阻焊接被固定于掩模框架102，以制造掩模组件101。制造10个掩模组件101。通过使用2D线标度(line-scale)测量机器SMIC-800 (由Sokkia制造)评价制造的掩模组件101的开口 301的位置精度。在10个掩模组件101中，开口图案的X坐标位置的偏离设计值的最大位移令人满意地为3 μ m。例子2通过使用相同的2D线标度测量机器SMIC-800 (由Sokkia制造)评价在例子I中制造的10个掩模组件101的掩模103的沿长边的偏转的量和形状。所有的掩模103展示在两个边处被支撑的薄板的偏转形状，其最大偏转量为50 μ m 100 μ m。如图7中的箭头604所示，这些掩模组件101和具有365mmX460mmXO. 5mm的尺寸的玻璃基板105相互接触，并且，在玻璃基板105被放置在掩模组件101中的每一个上的状态下，通过使用由KEYENC制造的LT9000激光位移计评价玻璃基板105和掩模103之间的间隙。所有掩模组件101成功地表现小至数μ m的间隙。例子3具有365mm的宽度、460mm的长度和O. 5mm的厚度的玻璃基板105和蒸镀源107被如图9所示地放置，在不逐步移动玻璃基板105的情况下一次在玻璃基板105的整个表面上沉积有机EL材料，并且，评价玻璃基板105的平面中的膜厚分布。以10. Og的Tris (8_羟基喹啉)铝(以下，称为Alq3)作为沉积材料，填充蒸镀源107。通过蒸镀源107的至少一个开口排出在蒸镀源107的坩埚中填充的Alq3。在沉积表面朝下的状态下，蒸镀源107被设置在玻璃基板105的中心的正下方，并且，从开口的中心到玻璃基板105的气相沉积表面的距离被设为370mm。在通过厚度传感器监视膜厚的同时，执行气相沉积以达到IOOnm的厚度。在气相沉积之后，通过椭圆计测量沉积的膜。在图10中表示结果。图10表示沿图9中的X轴的膜厚分布。纵轴被规格化，其中玻璃基板105的中心(X = O)处的厚度被设为100。虽然跨着沿玻璃基板105的长度(X)方向的400mm的长度的膜厚在60nm IOOnm的范围中，但是，在关于玻璃基板105的中心(X = O)的宽度为80mm 90mm的范围中，厚度分布为±2. 0%。作为结果，当将逐列地执行气相沉积时的沉积区域的宽度设定在90mm内提供了 ±2.0%内的良好的厚度分布。例子4通过使用在例子I中制造的掩模组件101，通过图11中的布置在玻璃基板105上执行气相沉积。沿掩模103的纵向方向放置两个蒸镀源107，并且调整它们的位置，使得沿y方向的膜厚分布落入±2. 0%内。以10. Og的Tris (8_羟基喹啉)铝(以下，称为Alq3)作为沉积材料，填充蒸镀源107。通过各蒸镀源107的至少一个开口蒸镀在蒸镀源107的坩埚中填充的Alq3。在气相沉积表面朝下的状态下，玻璃基板105被放置在蒸镀源107的相对侧，而且掩模103位于它们之间。在蒸镀源107被放置在玻璃基板105的正下方的状态下，排出蒸镀物702。从各蒸镀源107的顶部处的开口的中心到玻璃基板105的气相沉积表面的距离被设为370mm。在通过厚度传感器监视膜厚的同时，执行气相沉积以达到IOOnm的厚度。在逐步移动玻璃基板105的同时，对于图3所示的列A E中的每一个执行气相沉积。在气相沉积之后，通过显微镜或原子力显微镜(AFM)观察玻璃基板105上的构图的沉积膜的边缘处的模糊(blur)。通过使用2D线标度测量机器SMIC-800测量沉积图案和电极图案之间的未对准量。并且通过椭圆计测量玻璃基板105的整个图案区域中的膜厚分布。测量结果表示在沉积膜的边缘不存在模糊，并且，整个玻璃基板105和掩模103令人满意地紧密接触。并且，与电极图案的未对准量也有利地最大为约7 μ m。膜厚分布也在整个玻璃基板105上有利地在±2%内。在气相沉积完成之后，在其上面放置另一电极，并且进一步在其上面附着保护膜，并且，将玻璃基板105分割成区段。用于供给电力和输入信号的布线线缆被附接于经分割的玻璃基板105，以完成有机EL显示器件。并且，在分割数大的情况下，一次全部地沿列方向执行气相沉积，由此，与行数成比例的时间足以执行气相沉积，因此允许在短时间内制造有机EL显示器件。如以上的例子中那样逐列地执行气相沉积可消除列之间的膜厚的不均匀性。并且，气相沉积的面积可比整个表面经受气相沉积的情况小，由此允许以最高的沉积速率在位置处执行气相沉积。即使在不沿y方向移动蒸镀源的情况下执行气相沉积，与移动沉积模式的情况相比，由于沉积的膜的厚度分布小，因此，也可减少用于气相沉积的时间。并且，由于可以沿狭缝的方向施加均匀的张力，因此，可以使沿与狭缝垂直的方向的开口的位置误差最小。 虽然已参照示例性实施例说明了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围 应被赋予最宽的解释以包含所有的这样的变更方式、等同的结构和功能。
权利要求
1.ー种在基板上以矩阵形式排列的多个区段中的每ー个中形成的EL器件的制造方法，该方法包括以下的步骤 通过保持于基板和与基板相対的蒸镀源之间的掩模将蒸镀物沉积于基板上，该掩模具有沿列方向的所有区段的沉积图案作为开ロ， 其中，在一次一列地沿区段的行方向移动基板的同时重复该步骤。
2.根据权利要求I的EL器件的制造方法，其中， 掩模的开ロ对于区段中的每ー个是沿列方向延伸的多个并行的狭縫。
3.根据权利要求I的EL器件的制造方法，其中，通过沿列方向施加张力，保持掩模。
4.根据权利要求I的EL器件的制造方法，其中，掩模被保持与基板紧密接触或紧邻。
5.根据权利要求I的EL器件的制造方法，其中，基板通过与行方向平行的两个边被水平支撑。
6.根据权利要求5的EL器件的制造方法，其中，基板由对于各个列设置的支撑部件支撑。
7.根据权利要求I的EL器件的制造方法，其中，每当沿区段的行方向逐列地移动基板时，基板和掩模被对准。
8.根据权利要求7的EL器件的制造方法，其中，基板具有用于各个列的对准标记。
9.根据权利要求I的EL器件的制造方法，还包括在完成所有区段的气相沉积之后将基板切成区段的步骤。
10.根据权利要求I的EL器件的制造方法，其中，发射不同顔色的光的蒸镀物被沉积到不同的位置。
11.根据权利要求I的EL器件的制造方法，其中，蒸镀物包含有机化合物。
12.一种用于在基板上以矩阵形式排列的多个区段中的每ー个中形成沉积图案的气相沉积方法，该方法包括以下的步骤 通过保持于基板和与基板相対的蒸镀源之间的掩模将蒸镀物沉积于基板上，该掩模具有沿列方向的所有区段的沉积图案作为开ロ， 其中，在一次一列地沿区段的行方向移动基板的同时重复该步骤。
13.—种气相沉积装置,包括 蒸镀源； 矩形掩模； 掩模框架，固定矩形掩模的短边并通过沿纵向施加张カ来保持矩形掩模； 基板支撑单元，该基板支撑单元被沿矩形掩模的两个短边的延长线设置，并且通过基板支撑单元的相対的两个边支撑长度比矩形掩模的短边大的基板； 移动机构，使基板支撑单元沿基板的长度方向移动预定的距离；和 对准单元，调整矩形掩模和基板的相对位置。
14.根据权利要求13的气相沉积装置，其中，基板支撑单元通过沿长度方向平行的两个边水平支撑基板。
15.根据权利要求14的气相沉积装置，其中，基板支撑单元包含对于各个列设置的支撑部件。
16.根据权利要求13的气相沉积装置，其中，沿矩形掩模的长边在多个位置处设置蒸镀源。
全文摘要
本发明公开了EL器件的制造方法。提供了在基板上以矩阵形式排列的多个区段中的每一个中形成的EL器件的制造方法，该方法包括以下的步骤通过保持于基板和与基板相对的蒸镀源之间的掩模将蒸镀物沉积于基板上，该掩模具有沿列方向的所有区段的沉积图案作为开口，其中，在一次一列地沿区段的行方向移动基板的同时重复该步骤。
文档编号C23C14/04GK102956843SQ20121027817
公开日2013年3月6日 申请日期2012年8月7日 优先权日2011年8月11日
发明者唐木哲也 申请人:佳能株式会社