用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备与方法
【专利摘要】本发明涉及太阳能领域，尤其涉及用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备与方法。本发明采取如下技术方案：用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备，其特征在于，包含镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备，镀层工作运行轨道贯穿过抽真空传动装备和镀膜工作室，镀层工作运行轨道由一根以上平行的旋转拖轴组成，镀膜工作室对应的镀层工作运行轨道上有铝靶，镀膜工作室外部有换气管道，换气管道连接氩气管，镀膜工作室上方有高压电极，还包含可将正离子驱动向铝靶的磁场发生装置。采用如上技术方案的本发明，具有如下有益效果：镀膜效果好，冷却效果好，抽真空效果好。
【专利说明】用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备与方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及太阳能领域，尤其涉及用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备与方法。
【背景技术】
[0002]磁控溅射是为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。
【发明内容】
[0003]发明的目的:为了提供一种镀膜效果好，冷却效果好，抽真空效果好的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备与方法。
[0004]为了达到如上目的，本发明采取如下技术方案:用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备，其特征在于，包含镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备，镀层工作运行轨道贯穿过抽真空传动装备和镀膜工作室，镀层工作运行轨道由一根以上平行的旋转拖轴组成，镀膜工作室对应的镀层 工作运行轨道上有铝靶，镀膜工作室外部有换气管道，换气管道连接氩气管，镀膜工作室上方有高压电极，还包含可将正离子驱动向铝靶的磁场发生装置。
[0005]本发明进一步技术方案在于，所述位于其两端的抽真空传动装备分别连接上料支架。
[0006]本发明进一步技术方案在于，所述铝靶为矩形，其平行于镀层工作运行轨道的平面。
[0007]本发明进一步技术方案在于，所述镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备均连接独立的抽真空装置。
[0008]本发明进一步技术方案在于，所述铝靶邻接有冷却水管。
[0009]本发明进一步技术方案在于，所述抽真空传动装备有一组以上。
[0010]利用如上任意所述装备的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射的方法，其特征在于，包含如下步骤:
[0011]在无氧环境中将氩气电离使其带正电荷；
[0012]将氩正电荷在磁场中定向加速撞向铝靶；
[0013]将待镀的面板放在镀层工作运行轨道上匀速运行通过镀膜工作室。
[0014]采用如上技术方案的本发明，具有如下有益效果:镀膜效果好，冷却效果好，抽真空效果好。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]为了进一步说明本发明，下面结合附图进一步进行说明:
[0016]图1为发明的整体结构示意图；[0017]图2为发明的镀膜工作室内断面的结构示意图；
[0018]其中:1.镀层工作运行轨道；2.铝靶；3.高压电极；4.上料支架；5.真空室；6.换气管道；7.氩气管。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图对本发明的实施例进行说明，实施例不构成对本发明的限制:
[0020]为了达到如上目的，本发明采取如下技术方案:用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备，其特征在于，包含镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备，镀层工作运行轨道I贯穿过抽真空传动装备和镀膜工作室，镀层工作运行轨道I由一根以上平行的旋转拖轴组成，镀膜工作室对应的镀层工作运行轨道I上有铝靶2，镀膜工作室外部有换气管道6，换气管道6连接氩气管7，镀膜工作室上方有高压电极3，还包含可将正离子驱动向铝靶2的磁场发生装置。
[0021]所述磁场发生装置即制造磁场的磁铁就在电极四周，本处为优选位置，但是不限于该位置。
[0022]所述位于其两端的抽真空传动装备分别连接上料支架4。
[0023]待镀膜的板子经过上料支架4然后经过抽真空的装置后进入镀膜工作室。
[0024]所述铝靶2为矩形，其平行于镀层工作运行轨道I的平面。
[0025]保证铝靶2的形状和保证冲击的均匀性。
[0026]所述镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备均连接独立的抽真空装置。
[0027]所述抽真空装置由以下几种部件:机械真空泵，目的是进行初步抽空；分子真空泵，目的是在初步抽空的基础上进行抽高真空；维持泵，目的是维持高真空的状态。
[0028]所述铝靶2邻接有冷却水管。所述抽真空传动装备有一组以上。
[0029]利用如上任意所述装备的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射的方法，其特征在于，包含如下步骤:
[0030]在无氧环境中将氩气电离使其带正电荷；
[0031]将氩正电荷在磁场中定向加速撞向铝靶2 ；
[0032]将待镀的面板放在镀层工作运行轨道I上匀速运行通过镀膜工作室。从而保证每个待镀膜的板子的经过时间是一致的，进一步保证镀膜的均匀性。
[0033]以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本领域的技术人员应该了解本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明 精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的范围内。
【权利要求】
1.用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备，其特征在于，包含镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备，镀层工作运行轨道(I)贯穿过抽真空传动装备和镀膜工作室，镀层工作运行轨道(I)由一根以上平行的旋转拖轴组成，镀膜工作室对应的镀层工作运行轨道(I)上有铝靶(2)，镀膜工作室外部有换气管道(6)，换气管道(6)连接氩气管(7)，镀膜工作室上方有高压电极(3 )，还包含可将正离子驱动向铝靶(2 )的磁场发生装置。
2.如权利要求1所述的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备，其特征在于，所述位于其两端的抽真空传动装备分别连接上料支架(4)。
3.如权利要求1所述的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备，其特征在于，所述铝靶(2)为矩形，其平行于镀层工作运行轨道(I)的平面。
4.如权利要求1所述的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备，其特征在于，所述镀膜工作室和位于其两端的抽真空传动装备均连接独立的抽真空装置。
5.如权利 要求1所述的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备，其特征在于，所述铝靶(2)邻接有冷却水管。
6.如权利要求1所述的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射设备，其特征在于，所述抽真空传动装备有一组以上。
7.利用权利要求1-6任意所述装备的用于非晶硅背面铝膜沉积的磁控溅射的方法，其特征在于，包含如下步骤: 在无氧环境中将氩气电离使其带正电荷； 将氩正电荷在磁场中定向加速撞向铝靶(2)； 将待镀的面板放在镀层工作运行轨道(I)上匀速运行通过镀膜工作室。
【文档编号】C23C14/35GK103774102SQ201210403119
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2012年10月19日 优先权日:2012年10月19日
【发明者】陈五奎, 雷晓全, 任红耀, 王斌 申请人:陕西拓日新能源科技有限公司