溅射装置制造方法
【专利摘要】在溅射过程中能够有效减少目标损害的溅射装置包括：第一磁组件，第一磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，第一磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第一侧面和第二侧面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁组件的第一侧面上；以及第一支撑件，第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，第一圆柱管状目标具有平行于第一方向的第一纵轴，第一圆柱管状目标容纳第一磁组件和第一屏蔽件。
【专利说明】溅射装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年3月28日向韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请第10-2013-0033662号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
【技术领域】
[0003]本发明涉及溅射装置，更具体地，涉及在溅射过程中能够有效减少目标损害的溅射装置。
【背景技术】
[0004] 通常，溅射装置用于沉积薄膜并且是用于加速气体(例如，等离子体中电离的氩气)、允许气体碰撞目标，从而喷射出期望的原子以在位于装置附近的衬底上形成薄膜的装置。例如，磁控管溅射装置可以通过使用磁场和感应连续离子化而允许电子停留在目标附近以产生集中溅射，从而增加沉积率。
[0005]然而，通过使用上述的溅射装置，等离子体也可能形成在不期望的区域中。形成在不期望的区域中的等离子体被称为寄生等离子体并在目标的朝向支撑部分的端部引起电弧放电。
【发明内容】
[0006]本发明提供的溅射装置能够有效减少在溅射过程中目标的损害。然而，本发明并不限制于此。
[0007]根据本发明的一个方面，通过了一种溅射装置包括:第一磁组件，第一磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，第一磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第一侧面和第二侧面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁组件的第一侧面上；以及第一支撑件，第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，第一圆柱管状目标具有平行于第一方向的第一纵轴，第一圆柱管状目标容纳第一磁组件和第一屏蔽件。
[0008]第一支撑件可包括第一电机，第一电机被配置为使第一圆柱管状目标绕第一纵轴旋转。
[0009]第一屏蔽件可沿着第一磁组件的第一侧面在第一方向上延伸。
[0010]第一屏蔽件可从第一磁组件的第一底面突出。
[0011]第一屏蔽件可位于第一磁组件的第一底面的至少一部分上。
[0012]溅射装置还可包括位于第一磁组件的第二侧面上的第一附加屏蔽件。
[0013]第一屏蔽件可被配置为减少关于第一磁组件的第一屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。
[0014]溅射装置可进一步包括:第二磁组件，第二磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第三侧面和第四侧面，第二磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第三侧面和第四侧面的第二底面，第三侧面邻近第一磁组件的第二侧面；第二屏蔽件，第二屏蔽件位于第二磁组件的第四侧面上；以及第二支撑件，第二支撑件用于支撑第二圆柱管状目标的第一端和第二端，第二圆柱管状目标具有平行于第一方向的第二纵轴，第二圆柱管状目标容纳第二磁组件和第二屏蔽件。
[0015]第二支撑件可包括第二电机，第二电机被配置为使第二圆柱管状目标绕第二纵轴旋转。
[0016]第二屏蔽件可从第二磁组件的第二底面突出。
[0017]第二屏蔽件可位于第二磁组件的第二底面的至少一部分上。
[0018]溅射装置可进一步包括位于第二磁组件的第三侧面上的第二附加屏蔽件。
[0019]第二屏蔽件可被配置为减少关于第二磁组件的第二屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。
[0020]根据本发明的一个方面，提供了一种溅射装置包括:第一磁组件，第一磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，第一磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第一侧面和第二侧面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁组件的第一侧面上并从第一磁组件的第一底面突出；第一附加屏蔽件，第一附加屏蔽件位于第一磁组件的第二侧面上并从第一磁组件的第一底面突出；第二磁组件，第二磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第三侧面和第四侧面，第二磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第三侧面和第四侧面的第二底面，第三侧面邻近第一磁组件的第二侧面；第二屏蔽件，第二屏蔽件位于第二磁组件的第四侧面上并从第二磁组件的第二底面突出；第二附加屏蔽件，第二附加屏蔽件位于第二磁组件的第三侧面上并从第二磁组件的第二底面突出；第一支撑件，第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，第一圆柱管状目标具有平行于第一方向的第一纵轴，第一圆柱管状目标容纳第一磁组件和第一屏蔽件；以及第二支撑件，第二支撑件用于支撑第二圆柱管状目标的第一端和第二端，第二圆柱管状目标具有平行于第一方向的第二纵轴，第二圆柱管状目标容纳第二磁组件和第二屏蔽件。
[0021]第一屏蔽件可被配置为减少关于第一磁组件的第一屏蔽件的外部区域中的磁场的强度；并且第二屏蔽件可被配置为减少关于第二磁组件的第二屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。
[0022]根据本发明的一个方面，提供了一种溅射装置，包括:第一磁组件，第一磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，第一磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第一侧面和第二侧面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁组件的第一侧面上并位于第一磁组件的第一底面的至少一部分上；第一附加屏蔽件，第一附加屏蔽件位于第一磁组件的第二侧面上并位于第一磁组件的第一底面的至少一部分上；第二磁组件，第二磁组件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互对应的第三侧面和第四侧面，第二磁组件还包括在第一方向上延伸并连接第三侧面和第四侧面的第二底面，第三侧面邻近第一磁组件的第二侧面；第二屏蔽件，第二屏蔽件位于第二磁组件的第四侧面上并位于第二磁组件的第二底面的至少一部分上；第二附加屏蔽件，第二附加屏蔽件位于第二磁组件的第三侧面上并位于第二磁组件的第二底面的至少一部分上；第一支撑件，第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，第一圆柱管状目标具有平行于第一方向的第一纵轴，其中第一圆柱管状目标容纳第一磁组件和第一屏蔽件；以及第二支撑件，第二支撑件用于支撑第二圆柱管状目标的第一端和第二端，第二圆柱管状目标具有平行于第一方向的第二纵轴，第二圆柱管状目标容纳第二磁组件和第二屏蔽件。
[0023]第一屏蔽件可被配置为减少关于第一磁组件的所述第一屏蔽件的外部区域中的磁场的强度；并且第二屏蔽件可被配置为减少关于第二磁组件的所述第二屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]通过参考附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的上述和其它特征以及方面将会变得明显，其中:
[0025]图1是示出了根据本发明实施方式的溅射装置的部分立体图；
[0026]图2是示出了使用图1所示的溅射装置将薄膜形成在衬底上的概念图；
[0027]图3是示出了图1所示溅射装置的部分平面图；
[0028]图4是示出了使用根据可比较示例的溅射装置产生寄生等离子体的概念图；
[0029]图5是示出了图4所示的溅射装置的磁场线的概念图；
[0030]图6是示出了图4所示的溅射装置产生寄生等离子体的图；
[0031]图7是示出了图1所示的溅射装置不产生寄生等离子体的图；
[0032]图8是示出了根据本发明另一个实施方式的使用溅射装置将薄膜形成在衬底上的概念图；
[0033]图9是示出了根据本发明另一个实施方式的使用溅射装置将薄膜形成在衬底上的概念图。
【具体实施方式】
[0034]将参考示出了实施方式的附图更全面地描述本发明的方面和特征。本发明可以被实施为多个不同的形式并且不应被解释为受限于文中陈述的实施方式；而是，这些实施方式被提供以使本公开更周密和完整，并将本公开完全传达给本领域的技术人员。
[0035]为了便于说明，附图中的部件可被放大。例如，为了便于说明，附图中部件的尺寸和厚度可任意提供，并且不限制本发明的范围。
[0036]在下面的实施方式中，x，y和z轴并不限于正交坐标系统的三个轴，而是可以被解释为更广的含义。例如，X，y和Z轴可以彼此正交或者可以彼此不正交。
[0037]可以理解，当元件或层被称为位于另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，该元件或层可直接位于另一元件或层上或直接连接或联接至另一元件或层，或者可存在中间元件或层。
[0038]文中所使用术语“和/或”包括相关的所列条目中的一个或多个的任意或者全部组合。
[0039]图1是示出了根据本发明实施方式的溅射装置的部分立体图。图2是示出了使用图1所示的溅射装置将薄膜形成在衬底500上的概念图。图3是示出了图1所示溅射装置的部分平面图；
[0040]根据本实施方式的溅射装置包括第一磁组件110、第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二磁组件120、第二屏蔽件220、第二附加屏蔽件222、第一支撑件310以及第二支撑件320。
[0041]在本实施方式中,第一磁组件在第一方向(例如，+y方向)上延伸。这里，第一磁组件具有在第一方向(例如，+y方向)上延伸且互相对应的第一侧面ill和第二侧面112、以及在第一方向上(例如，+y方向)延伸并连接第一和第二侧面111和112的第一底面115。第一磁组件110可包括平行于第一方向(例如，+y方向)延伸的多个磁体。
[0042]第一圆柱管状目标410可被安装在第一磁组件110周围。第一圆柱管状目标410可被安装以使第一磁组件I1位于其中。如下所述，除了第一磁组件110，第一屏蔽件210或第一附加屏蔽件212也可位于第一圆柱管状目标410内。
[0043]第一圆柱管状目标410具有可平行于第一方向(例如，+y有方向)的第一纵轴。第一磁组件I1可在与其安装在一起的第一圆柱管状目标410的外表面的周围形成磁场，因此可允许等离子体定位在第一圆柱管状目标410的外表面周围，从而增加溅射效率。在这种情况下，第一圆柱管状目标410的目标材料与第一圆柱管状目标410分离并且移动到衬底500上，使得由目标材料形成的薄膜形成在衬底500上。
[0044]在本实施方式中，第二磁组件120像第一磁组件110 —样在第一方向(例如，+y方向)上延伸，并且具有在第一方向(例如，+y方向)上延伸且互相对应的第三侧面123和第四侧面124、以及在第一方向(例如，+y方向)上延伸并连接第三和第四侧面123和124的第二底面125。第二磁组件120可包括平行于第一方向(例如，+y方向)延伸的多个磁体。
[0045]第二圆柱管状目标420可安装在第二磁组件120周围。第二圆柱管状目标420可被安装以使第二磁组件120位于其中。如下所述，除了第二磁组件120，第二屏蔽件220或第二附加屏蔽件222也可位于第二圆柱管状目标420内。
[0046]第二圆柱管状目标420具有可平行于第一方向(例如，+y有方向)的第二纵轴。第二磁组件120可在与其安装在一起的第二圆柱管状目标420的外表面的周围形成磁场，因此可允许等离子体定位在第二圆柱管状目标420的外表面周围，从而增加溅射效率。在这种情况下，第二圆柱管状目标420的目标材料与第二圆柱管状目标420分离并且移动到衬底500上，使得由目标材料形成的薄膜形成在衬底500上。
[0047]第二磁组件120可设置在第一磁组件110邻近。如图1和图2所示，第二磁组件120的第三侧面123可设置在第一磁组件110的第二侧面112邻近。在这种情况下，当第一和第二圆柱管状目标410和420安装在溅射装置中时，第一和第二圆柱管状目标410和420可设置为互相邻近并彼此间隔预设距离。
[0048]如果第一圆柱管状目标410被安装以使第一磁组件110位于其中，则第一圆柱管状目标410的末端(例如,一个末端和另一个末端,或第一末端和第二末端)可被第一支撑件310支撑。第一支撑件310具有用于支撑第一圆柱管状目标410的一个末端(例如，沿-y方向)的第一一末端支撑件311、以及用于支撑第一圆柱管状目标410的另一个末端的第一另一末端支撑件313，其中第一一末端支撑件313可包括使所安装的第一圆柱管状目标410绕第一纵轴旋转的第一电机。
[0049]相似地，如果第二圆柱管状目标420被安装以使第一磁组件120位于其中，则第二圆柱管状目标420的末端(例如，一个末端和另一个末端)可被第二支撑件320支撑。第二支撑件320具有用于支撑第二圆柱管状目标420的一个末端(例如，沿_y方向)的第二一末端支撑件321、以及用于支撑第二圆柱管状目标420的另一个末端的第二另一末端支撑件323，其中第二一末端支撑件323可包括使所安装的第二圆柱管状目标420绕第二纵轴旋转的第二电机。
[0050]如果第一和第二圆柱管状目标410和420安装在溅射装置上，则第一圆柱管状目标410内的第一磁组件110和第二圆柱管状目标420内的第二磁组件120可以不分别定位在第一圆柱管状目标410的中心和第二圆柱管状目标420的中心。例如，如图2所示，第一和第二磁组件110和120可朝着待形成第一和第二圆柱管状目标410和420的薄膜的衬底500倾斜(例如，沿+z方向)。这样，目标材料可朝向待形成薄膜的衬底500与第一和第二圆柱管状目标410和420分离并且可移动到衬底500上。因为第一和第二圆柱管状目标410和420可在被安装在溅射装置上之后在溅射过程中旋转，目标材料可均匀地与第一和第二圆柱管状目标410和420的表面分离。
[0051]如上所述，第一和第二圆柱管状目标410和420在安装在溅射装置上之后在在溅射过程中可旋转。在这种情况下，第一圆柱管状目标410内的第一磁组件110和第二圆柱管状目标420内的第二磁组件120可以不旋转。
[0052]第一屏蔽件 210定位在第一磁组件110的第一侧面111上。因为第一磁组件110的第一侧面111在第一方向(例如，+y方向)上延伸，故第一屏蔽件210可具有在第一方向的(例如，+y方向)上延伸的形状。而且，第一屏蔽件210可具有从第一磁组件110的第一底面115突出的形状。第一附加屏蔽件212可具有与第一屏蔽件210的形状相似的形状，并且可定位在第一磁组件110的邻近第二磁组件120的第二侧面112上。
[0053]在本实施方式中，第二屏蔽件220定位在第二磁组件120的第四侧面124上。因为第二磁组件120的第四侧面124在第一方向(例如，+y方向)上延伸，故第二屏蔽件220可具有在第一方向(例如，+y方向)上延伸的形状。而且，第二屏蔽件220可具有从第二磁组件120的第二底面125突出的形状。第二附加屏蔽件222可具有与第二屏蔽件220的形状相似的形状，并且可定位在第二磁组件120的邻近第一磁组件110的第三侧面123上。
[0054]在根据本实施方式的上述溅射装置中，因为第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222，寄生等离子体的量可被减少。
[0055]如相关技术中所描述的，溅射装置是用于加速气体(例如，等离子体中电离的氩气)、允许气体碰撞目标，从而喷射期望的原子以在位于装置附近的衬底500上形成薄膜的装置。具体地，磁控管溅射装置可以通过使用磁场和感应连续离子化而允许电子停留在目标附近以产生集中溅射，从而增加沉积率。
[0056]在以上描述的溅射装置中，如果等离子体存在于除了预设(或预定)区域以外的区域中，例如，如果寄生等离子体存在，则例如可在目标的朝向支撑部分的末端部分引起电弧放电。然而，在根据本实施方式的溅射装置中，因为第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222，寄生等离子体无法产生或在其量上可极大地减少，从而可以不产生电弧放电。
[0057]图4是示出了根据可比较示例的使用溅射装置产生寄生等离子体的概念图。参考图4，寄生等离子体SP存在于第一圆柱管状目标41的位于与朝向第二圆柱管状目标42的方向(例如，+X方向)相反的另一方向(例如，-X方向)上的外侧、以及第二圆柱管状目标42的位于与朝向第一圆柱管状目标41的方向(例如,-X方向)相反的另一方向(例如，+X方向)上的外侧。而且，中心寄生等离子体CSP可存在于第一和第二圆柱管状目标41和42之间。
[0058]图5是示出了图4所示的溅射装置的磁场线的概念图。参考图5，磁场存在以将在区域A中进行溅射所需的主要等离子体从第一和第二圆柱管状目标41和42定位在衬底方向(例如，+z方向)上。然而，除了区域A，磁场也存在于区域B中，区域B位于第一圆柱管状目标41的与朝向第二圆柱管状目标42的方向(例如，+X方向)相反的另一方向(例如，-X方向)的外侧、以及第二圆柱管状目标42的位于与朝向第二圆柱管状目标41的方向(例如，-X方向)相反的另一方向(例如，+X方向)的外侧。存在于区域B中的等离子体是图4所示的寄生等离子体SP。
[0059]图6是示出了图4所示的溅射装置产生寄生等离子体的图。在图6中，除了寄生等离子体SP之外的等离子体从第一和第二圆柱管状目标41和42定位于衬底方向(例如，+z方向)上。
[0060]除了寄生等离子体SP之外的等离子体允许第一和第二圆柱管状目标41和42内的目标材料从第一和第二圆柱管状目标41和42分离并且移动到衬底上。寄生等离子体SP也可允许第一和第二圆柱管状目标41和42内的目标材料从第一和第二圆柱管状目标41和42分离。然而，因为其并不邻近衬底，故被分离的目标材料无法移动到衬底上并且朝着第一和第二圆柱管状目标41和42返回以便再沉积。
[0061]在上述再沉积过程中可能产生电弧放电。电弧放电损伤第一和第二圆柱管状目标41和42，从而减少溅射效率。例如，如图4所示，大量的寄生等离子体SP存在于第一支撑件31的_y方向以及第二支撑件32的-y方向附近。这样，电弧放电产生在靠近第一和第二圆柱管状目标41和42的-y方向端附近产生。
[0062]然而，在根据本实施方式的溅射装置中，因为第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222，寄生等离子体无法被产生或在其量上被极大地减少，从而电弧放电无法产生或在其强度和频率上被极大地减少。
[0063]例如，第一屏蔽件210可减少关于第一磁组件110的第一屏蔽件210的外部区域中的磁场的强度(例如，图5中-X方向上的区域B)。如果区域B内的磁场强度减少，则定位在相应的区域B中的等离子体(例如，寄生等离子体)的量可被减少。相似地，第二屏蔽件220可减少关于第二磁组件120的第二屏蔽件220的外部区域中的磁场的强度(例如，图5中+X方向上的区域B)。相应地，定位在相应的区域B中的等离子体(例如，寄生等离子体)的量可被减少。相似地，第一附加屏蔽件212或第二附加屏蔽件222可减少第一和第二磁组件110和120之间的磁场强度从而第一和第二圆柱管状目标410和420之间的中心寄生等离子体CSP无法存在或在其量上可极大地减少。图7是示出了图1所示的溅射装置不产生寄生等尚子体的图。
[0064]如上所述，在根据本实施方式的溅射装置中，因为等离子体仅存在于第一和第二圆柱管状目标410和420与衬底500之间的空间中，因此另一个空间中的寄生等离子体无法存在或在其量上可极大地减少。这样，具有优秀效率且能够防止电弧放电的溅射装置可以实现。
[0065]上述的第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222可包括，例如，铜(Cu)。除了铜之外，任何能够阻断磁场的材料也可被使用。如果第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222由包括铜的材料形成，则它们可具有大约3mm到大约6mm的厚度。根据一些实施方式，当厚度小于约3mm时，磁场不可能被合适地屏蔽，并且如果厚度大于大约6_，则包括磁组件、屏蔽件以及附加屏蔽件的整个结构可能具有较大体积，因此无法容易地容纳进圆柱管状目标中。
[0066]如图5所示，磁场也可存在于区域B中，区域B位于第一圆柱管状目标41的与朝向第二圆柱管状目标42的方向(例如，+X方向)相反的另一方向(例如，-X方向)的外侧、以及第二圆柱管状目标42的与朝向第一圆柱管状目标41的方向(例如，-X方向)相反的另一方向(例如，+X方向)的外侧。存在于区域B中的等离子体是图4所示的寄生等离子体SP。
[0067]在这种情况下，如图5所示，产生寄生等离子体SP的磁场形成在第一圆柱管状目标41中的第一磁组件的-X方向侧面和底面之间、以及第二圆柱管状目标42中的第二磁组件的+X方向侧面和底面之间。相应地，因为用于覆盖第一侧面111的第一屏蔽件210(可以是第一圆柱管状目标410中的第一磁组件110的-X方向侧面)不但覆盖第一侧面111而且从第一底面115突出，并且用于覆盖第四侧面124的第二屏蔽件220(可以是第二圆柱管状目标420中的第二磁组件120的+X方向侧面)不但覆盖第四侧面124而且从第二底面125突出，故引起寄生等离子体的磁场的强度可进一步减少。这是因为，分别从第一和第二底面115和125突出的第一和第二屏蔽件 210和220阻挡了在不存在第一和第二屏蔽件210和220的情况下将要形成的磁场线的路径。
[0068]用于覆盖第二侧面112的第一附加屏蔽件212 (可以是第一圆柱管状目标410中的第一磁组件110的+X方向侧面)也可从第一磁组件110的第一底面115突出，并且用于覆盖第三侧面123的第二附加屏蔽件222 (可以是第二圆柱管状目标420中的第二磁组件120的-X方向侧面)也可从第二磁组件120的第二底面125突出。在这种情况下，在第一和第二圆柱管状目标410和420之间引起中心寄生等离子体CSP的磁场的强度可进一步减少。
[0069]图8是示出了根据本发明另一个实施方式的使用溅射装置将薄膜形成在衬底上的概念图。根据本发明实施方式的溅射装置在第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222的形状上不同于根据前一个实施方式的溅射装置。
[0070]在根据前一个实施方式的溅射装置中，第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222分别定位在第一磁组件110的第一侧面111、第一磁组件110的第二侧面112、第二磁组件120的第四侧面124以及第二磁组件120的第三侧面123上。而且，第一屏蔽件210和第一附加屏蔽件212从第一磁组件110的第一底面115突出，并且第二屏蔽件220和第二附加屏蔽件222从第二磁组件120的第二底面125突出。
[0071]在根据本实施方式的溅射装置中，第一屏蔽件210’、第一附加屏蔽件212’、第二屏蔽件220’以及第二附加屏蔽件222’的位置没有改变。然而，并与根据前一个实施方式的溅射装置不同的是，第一屏蔽件210’和第一附加屏蔽件212’被弯曲以进一步定位在第一磁组件110的第一底面115的至少一部分上，第二屏蔽件220’和第二附加屏蔽件222’被弯曲以进一步定位在第二磁组件120的第二底面125的至少一部分上。例如，第一屏蔽件210’和第一附加屏蔽件212’被弯曲以覆盖第一磁组件110的第一底面115的至少一部分，并且第二屏蔽件220’和第二附加屏蔽件222’被弯曲以覆盖第二磁组件120的第二底面125的至少一部分。
[0072]如图5所示，用于产生寄生等离子体SP的磁场形成在第一圆柱管状目标41中的第一磁组件的-X方向侧面和底面之间、以及第二圆柱管状目标42中的第二磁组件的+X方向侧面和底面之间。相应地，因为用于覆盖第一侧面111(即第一圆柱管状目标410中的第一磁组件110的-X方向侧面)的第一屏蔽件210’被弯曲以覆盖第一磁组件110的第一底面115的至少一部分，并且用于覆盖第四侧面124(即第二圆柱管状目标420中的第二磁组件120的+X方向侧面)的第二屏蔽件220’被弯曲以覆盖第二磁组件120的第二底面125的至少一部分，所以引起寄生等离子体的磁场的强度可进一步减少。
[0073]用于覆盖第二侧面112 (即第一圆柱管状目标410中的第一磁组件110的+x方向侧面)的第一附加屏蔽件212’也可被弯曲以覆盖第一磁组件110的第一底面115的至少一部分，并且用于覆盖第三侧面123 (即第二圆柱管状目标420中的第二磁组件120的-χ方向侧面)的第二附加屏蔽件222’也可被弯曲以覆盖第二磁组件120的第二底面125的至少一部分。在这种情况下，在第一和第二圆柱管状目标410和420之间引起中心寄生等离子体CSP的磁场的强度可进一步减少。
[0074]图9是示出了根据本发明另一个实施方式的使用溅射装置将薄膜形成在衬底上的图。
[0075]如上面关于图4所示，在根据可比较示例的溅射装置中，中心寄生等离子体CSP存在于第一和第二圆柱管状目标41和42之间。然而，中心寄生等离子体CSP的量少于存在于第一圆柱管状目标41的位于与朝向第二圆柱管状目标42的方向(例如,+χ方向)相反的另一方向(例如，-χ方向)上的外侧以及第二圆柱管状目标42的位于与朝向第一圆柱管状目标41的方向(例如，-χ方向)相反的另一方向(例如，+χ方向)上的外侧的寄生等离子体SP的量。
[0076]相应地，在根据本实施方式的溅射装置中，与根据前一个实施方式的溅射装置不同的是，上述第一附加屏蔽件212或第二附加屏蔽件222可以不定位在第二侧面112上(SP第一磁组件110的朝向第二磁组件120的侧面)，或可以不定位在第三侧面123 (即第二磁组件120的朝向第一磁组件110的侧面)上。这样，溅射装置可具有简单的配置。
[0077]甚至在根据本实施方式的溅射装置中，因为第一屏蔽件210定位在第一侧面111(即第一磁组件110的与朝向第二磁组件120的方向(例如，+χ方向)相反的另一方向(例如，-χ方向)上的侧面)上，并且第二屏蔽件220定位在第四侧面124 (即第二磁组件120的与朝向第一磁组件110的方向(例如，-χ方向)相反的另一方向(例如，+χ方向)上的侧面)上，所以寄生等离子体SP可以不产生或在其量上可极大地减少。
[0078]在根据本实施方式的溅射装置中，如图9所示，第一屏蔽件210可从第一磁组件110的第一底面115突出并且第二屏蔽件220可从第二磁组件120的第二底面125突出。可选地，第一屏蔽件210’可被弯曲以覆盖第一磁组件110的第一底面115的至少一部分并且第二屏蔽件220’可被弯曲以覆盖第二磁组件120的第二底面125的至少一部分。
[0079]尽管如上所述的溅射装置是双旋转溅射装置，其包括第一和第二磁组件110和120并用于安装和旋转第一和第二圆柱管状目标410和420，但本发明并不限制在这里。
[0080]例如，根据本发明另一个实施方式的溅射装置可以仅包括一个磁组件，并且可在磁组件的仅一个侧面上设置屏蔽件，或者在一个侧面上设置屏蔽件并在另一个侧面上设置附加屏蔽件。在这种情况下，屏蔽件和/或附加屏蔽件可从磁组件的底面突出，或者可被弯曲以覆盖磁组件的底面的至少一部分。
[0081]跟据本发明的另一的实施方式的溅射装置可是双旋转溅射装置，其包括两个磁组件，但具有不同于上述结构的结构。在根据本实施方式的溅射装置中，用于覆盖第一侧面111 (即第一圆柱管状目标410中的第一磁组件110的-X方向侧面)的第一屏蔽件210’可以被弯曲以覆盖第一磁组件110的第一底面115的至少一部分，并且用于覆盖第四侧面124(即第二圆柱管状目标420中的第二磁组件120的+χ方向侧面)的第二屏蔽件220’可以被弯曲以覆盖第二磁组件120的第二底面125的至少一部分。可选地，用于覆盖第二侧面112(即第一圆柱管状目标410中的第一磁组件110的+χ方向侧面)的第一附加屏蔽件212可以不弯曲并且可从第一磁组件110的第一底面115突出，并且用于覆盖第三侧面123(即第二圆柱管状目标420中的第二磁组件120的-χ方向侧面)的第二附加屏蔽件222可以不弯曲并且可从第二磁组件120的第二底面125突出。
[0082]在另一个实施方式中，用于覆盖第一侧面111(即第一圆柱管状目标410中的第一磁组件I1的-X方向侧面)的第一屏蔽件210可不以弯曲并且可从第一磁组件110的第一底面115突出，用于覆盖第四侧面124(即第二圆柱管状目标420中的第二磁组件120的+χ方向侧面)的第二屏蔽件220可以不弯曲并且可从第二磁组件120的第二底面125突出，用于覆盖第二侧面112 (即第一圆柱管状目标410中的第一磁组件110的+χ方向侧面)的第一附加屏蔽件212’可以被弯曲以覆盖第一磁组件110的第一底面115的至少一部分，用于覆盖第三侧面123 (即是第二圆柱管状目标420中的第二磁组件120的-χ方向侧面)的第二附加屏蔽件222’可以被弯曲以覆盖第二磁组件120的第二底面125的至少一部分。
[0083]根据以上所述本发明的实施方式，能够有效地减少在溅射过程中目标损害的溅射装置可实现。然而，本发明并受限于上述实施方式。
[0084]虽然已经参考本发明的其示例性实施方式具体示出并描述了本发明，但本领域的技术人员可以理解，在不背离由所附权利要求及其等同所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以作出各种形式上或细节上的改变。
【权利要求】
1.一种溅射装置，包括: 第一磁组件，所述第一磁组件在第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，所述第一磁组件还包括在所述第一方向上延伸并连接所述第一侧面和所述第二侧面的第一底面； 第一屏蔽件，所述第一屏蔽件位于所述第一磁组件的第一侧面上；以及 第一支撑件，所述第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，所述第一圆柱管状目标具有平行于所述第一方向的第一纵轴， 其中，所述第一圆柱管状目标容纳所述第一磁组件和所述第一屏蔽件。
2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一支撑件包括第一电机，所述第一电机被配置为使所述第一圆柱管状目标绕所述第一纵轴旋转。
3.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一屏蔽件沿着所述第一磁组件的第一侧面在所述第一方向上延伸。
4.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一屏蔽件从所述第一磁组件的第一底面突出。
5.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一屏蔽件位于所述第一磁组件的第一底面的至少一部 分上。
6.根据权利要求1所述的溅射装置，包括位于所述第一磁组件的第二侧面上的第一附加屏蔽件。
7.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一屏蔽件被配置为减少关于所述第一磁组件的所述第一屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。
8.根据权利要求1所述的溅射装置，进一步包括: 第二磁组件，所述第二磁组件在所述第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互对应的第三侧面和第四侧面，所述第二磁组件还包括在所述第一方向上延伸并连接所述第三侧面和所述第四侧面的第二底面，其中所述第三侧面邻近所述第一磁组件的所述第二侧面； 第二屏蔽件，所述第二屏蔽件位于所述第二磁组件的第四侧面上；以及 第二支撑件，所述第二支撑件用于支撑第二圆柱管状目标的第一端和第二端，所述第二圆柱管状目标具有平行于所述第一方向的第二纵轴， 其中，所述第二圆柱管状目标容纳所述第二磁组件和所述第二屏蔽件。
9.根据权利要求8所述的溅射装置，其中，所述第二支撑件包括第二电机，所述第二电机被配置为使所述第二圆柱管状目标绕所述第二纵轴旋转。
10.根据权利要求8所述的溅射装置，其中，所述第二屏蔽件从所述第二磁组件的第二底面突出。
11.根据权利要求8所述的溅射装置，其中，所述第二屏蔽件位于所述第二磁组件的第二底面的至少一部分上。
12.根据权利要求8所述的溅射装置，进一步包括位于所述第二磁组件的第三侧面上的第二附加屏蔽件。
13.根据权利要求8所述的溅射装置，其中，所述第二屏蔽件被配置为减少关于所述第二磁组件的所述第二屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。
14.一种溅射装置，包括: 第一磁组件，所述第一磁组件在第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，所述第一磁组件还包括在所述第一方向上延伸并连接所述第一侧面和所述第二侧面的第一底面； 第一屏蔽件，所述第一屏蔽件位于所述第一磁组件的第一侧面上并从所述第一磁组件的第一底面突出； 第一附加屏蔽件，所述第一附加屏蔽件位于所述第一磁组件的第二侧面上并从所述第一磁组件的第一底面突出； 第二磁组件，所述第二磁组件在所述第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互对应的第三侧面和第四侧面，所述第二磁组件还包括在所述第一方向上延伸并连接所述第三侧面和所述第四侧面的第二底面，其中所述第三侧面邻近所述第一磁组件的所述第二侧面； 第二屏蔽件，所述第二屏蔽件位于所述第二磁组件的第四侧面上并从所述第二磁组件的第二底面突出； 第二附加屏蔽件，第二附加屏蔽件位于所述第二磁组件的第三侧面上并从所述第二磁组件的第二底面突出； 第一支撑件，所述第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，所述第一圆柱管状目标具有平行于所述第一方向的第一纵轴，其中所述第一圆柱管状目标容纳所述第一磁组件和所述第一 屏蔽件；以及 第二支撑件，所述第二支撑件用于支撑第二圆柱管状目标的第一端和第二端，所述第二圆柱管状目标具有平行于所述第一方向的第二纵轴，其中所述第二圆柱管状目标容纳所述第二磁组件和所述第二屏蔽件。
15.根据权利要求14所述的溅射装置，其中所述第一屏蔽件被配置为减少关于所述第一磁组件的所述第一屏蔽件的外部区域中的磁场的强度；并且 其中，所述第二屏蔽件被配置为减少关于所述第二磁组件的所述第二屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。
16.一种溅射装置，包括: 第一磁组件，所述第一磁组件在第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互对应的第一侧面和第二侧面，所述第一磁组件还包括在所述第一方向上延伸并连接所述第一侧面和所述第二侧面的第一底面； 第一屏蔽件，所述第一屏蔽件位于所述第一磁组件的第一侧面上并位于所述第一磁组件的第一底面的至少一部分上； 第一附加屏蔽件，所述第一附加屏蔽件位于所述第一磁组件的第二侧面上并位于所述第一磁组件的第一底面的至少一部分上； 第二磁组件，所述第二磁组件在所述第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互对应的第三侧面和第四侧面，所述第二磁组件还包括在所述第一方向上延伸并连接所述第三侧面和所述第四侧面的第二底面，其中所述第三侧面邻近所述第一磁组件的所述第二侧面； 第二屏蔽件，所述第二屏蔽件位于所述第二磁组件的第四侧面上并位于所述第二磁组件的第二底面的至少一部分上； 第二附加屏蔽件，第二附加屏蔽件位于所述第二磁组件的第三侧面上并位于所述第二磁组件的第二底面的至少一部分上； 第一支撑件，所述第一支撑件用于支撑第一圆柱管状目标的第一端和第二端，所述第一圆柱管状目标具有平行于所述第一方向的第一纵轴，其中所述第一圆柱管状目标容纳所述第一磁组件和所述第一屏蔽件；以及 第二支撑件，所述第二支撑件用于支撑第二圆柱管状目标的第一端和第二端，所述第二圆柱管状目标具有平行于所述第一方向的第二纵轴，其中所述第二圆柱管状目标容纳所述第二磁组件和所述第二屏蔽 件。
17.根据权利要求16所述的溅射装置，其中所述第一屏蔽件被配置为减少关于所述第一磁组件的所述第一屏蔽件的外部区域中的磁场的强度；并且 其中，所述第二屏蔽件被配置为减少关于所述第二磁组件的所述第二屏蔽件的外部区域中的磁场的强度。
【文档编号】C23C14/35GK104073772SQ201310361795
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年8月19日 优先权日:2013年3月28日
【发明者】沈载润, 崔丞镐 申请人:三星显示有限公司