一种板式pecvd制备背面点接触太阳能电池的方法
【专利摘要】本发明公开了一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，石墨框环绕硅片开透气孔，在硅片的背面盖上一个挡板将硅片背面需要留出的点挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜，工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面，同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。本发明不需要正反面进行两次镀膜，同时省略了背面开孔需要的激光打孔工序，而且同样可以起到背面氮化硅的钝化和大铝背场效果，最终大幅提升太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率。
【专利说明】—种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法。
【背景技术】
[0002]现有技术中板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法包括如下步骤:(I)硅片去损伤层并制绒；(2) P扩散；(3)边缘刻蚀及去磷硅玻璃(PSG) (4)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；(5)正面SiN减反射薄膜生长；(6)背面激光开孔；(7)丝网印刷背银，背铝，正银；(8)烧结，测试。
[0003]其存在的缺陷为:(I)背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长、激光开孔需要添加2台价格昂贵的设备，二次镀膜工艺气体使用量增加，最终导致生产成本增加；(2)两次镀膜和激光开孔对硅片的内部损伤很大，影响电池片效率；(3)激光开孔硅片碎片率很高。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题就是提供一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，简化工艺，降低成本，降低能耗，提升转换效率。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案:一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，石墨框环绕硅片开透气孔，在硅片的背面盖上一个挡板将硅片背面需要留出的点挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜，工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面，同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。
[0006]优选的，所述透气孔呈蜂窝状分布。
[0007]本发明在石墨框四周开设透气孔，使得工艺气体能均匀覆盖硅片的正反两面，通过微波法PECVD (Rothfcau)在硅片的正反面形成均匀的等离子体，同时在硅片的背面盖上一个挡板将背面硅片需要留出的点挡住，这样可以一次性在硅片正反面都镀上SiN薄膜，同时背面由于挡板作用形成了点接触的点。
[0008]该发明不需要正反面进行两次镀膜，同时省略了背面开孔需要的激光打孔工序，而且同样可以起到背面氮化硅的钝化和大铝背场效果，最终大幅提升太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步描述:
[0010]图1为石墨框开透气孔结构示意图；
[0011]图2为硅片背面设置挡板结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]下面结合图1和图2对本发明做出具体说明。一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，其他步骤与现有技术相同。
[0013]具体的,石墨框I环绕娃片2开透气孔3,在娃片的背面盖上一个挡板4将娃片背面需要留出的点5挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜，工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面，同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。
[0014]本发明的优点:
[0015]1、工艺相对简单，容易批量生产，不需要增加任何新的设备(200万)，降低了能耗，降低了生产成本；
[0016]2、电池片转换效率提升0.3%以上，一片电池片可以提升功率0.0464W,按照现在3元/瓦计算，一片可以增收0.139元，一个月两条线以150万片产量计算可以增收
0.139*150 万=20.85 万元，一年可以增收 20.85*12=250.2 万元。
【权利要求】
1.一种板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，包括采用微波法在硅片正面及背面镀SiN薄膜的步骤，其特征在于:石墨框环绕硅片开透气孔，在硅片的背面盖上一个挡板将硅片背面需要留出的点挡住，在对硅片正面镀SiN薄膜的过程中工艺气体透过透气孔也对硅片背面镀SiN薄膜，工艺气体均匀覆盖硅片的正面及背面，同时硅片背面由于挡板作用形成点接触的点。
2.根据权利要求1所述的板式PECVD制备背面点接触太阳能电池的方法，其特征在于:所述透气孔呈蜂窝状分布。
【文档编号】C23C16/04GK103515486SQ201310513237
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年10月25日 优先权日:2013年10月25日
【发明者】倪建林 申请人:浙江光普太阳能科技有限公司