一种等离子体增强化学气相沉积匀流板的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种等离子体增强化学气相沉积匀流板，其特征在于：其材质为铝合金，表面分布有460个大小不一的孔。所述的匀流板厚度为300-500微米，形状呈圆形。所述的460个大小不一的孔，包括中间1/9面积处直径为3.9毫米的均匀分布的16个孔，中间1/4面积除了上述1/9面积外分布的直径为3.95毫米的均匀分布的20个孔，以及其他均匀分布的直径大小为4毫米的孔。与现有技术相比，本实用新型解决了现有技术中匀流板下面的芯片中间沉淀的物质较多，外围沉淀的物质较少问题。
【专利说明】一种等离子体增强化学气相沉积匀流板
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及光通讯领域，尤其是一种等离子体增强化学气相沉积匀流板。
【背景技术】
[0002]等离子体增强化学气相沉积(plasmaenhanced chemical vapor deposition,PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应。
[0003]匀流板主要用来控制反应箱中气体的均匀性，使进入沉淀箱中的气体均匀分布在芯片表面。考虑到气体是由上电极中间处产生，而现阶段的等离子体增强化学气相沉积匀流板的孔都是均匀分布在匀流板上，必然会导致下面的芯片中间沉淀的物质较多，外围沉淀的物质较少，这样达不到均匀分布的目的。
【发明内容】
[0004]本实用新型提供了一种等离子体增强化学气相沉积匀流板，解决了现有技术中匀流板下面的芯片中间沉淀的物质较多，外围沉淀的物质较少问题。
[0005]一种等离子体增强化学气相沉积匀流板结构，其特征在于:其材质为铝合金，表面分布有460个大小不一的孔。
[0006]所述的勻流板厚度为300-500微米,形状呈圆形。
[0007]所述的460个大小不一的孔，包括中间1/9面积处直径为3.9毫米的均匀分布的16个孔，中间1/4面积除了上述1/9面积外分布的直径为3.95毫米的均匀分布的20个孔，以及其他均匀分布的直径大小为4毫米的孔。
[0008]本实用新型和已有技术相比较，其效果是积极和明显的。本实用新型匀流板在原来匀流板的基础上不改变孔的数量，改变了孔的分布密度，匀流板中间面积的区域内的孔适当减少其密度，并且孔的直径稍微减小，越往外围，孔的分布密度越大，孔的直径也适当变大。这样就使得沉淀分布均匀，解决了匀流板下面的芯片中间沉淀的物质较多，外围沉淀的物质较少问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是现有匀流板的结构示意图。
[0010]图2是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
[0012]如图1所示，一种等离子体增强化学气相沉积匀流板结构，其特征在于:其材质为铝合金，表面分布有460个大小不一的孔。[0013]所述的匀流板厚度为300-500微米，形状呈圆形。
[0014]所述的460个大小不一的孔，包括中间1/9面积处直径为3.9毫米的均匀分布的16个孔，中间1/4面积除了上述1/9面积外分布的直径为3.95毫米的均匀分布的20个孔，以及其他均匀分布的直径大小为4毫米的孔。
[0015]当然，上述说明并非是对本实用新型的限制，本实用新型也并不仅限于上述举例，本【技术领域】的普通技术人员在本实用新型的实质范围内做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种等离子体增强化学气相沉积匀流板，其特征在于:其材质为铝合金，表面分布有460个大小不一的孔。
2.如权利要求1所述的一种等离子体增强化学气相沉积匀流板，其特征在于:所述的匀流板厚度为300-500微米，形状呈圆形。
3.如权利要求1所述的一种等离子体增强化学气相沉积匀流板，其特征在于:所述的460个大小不一的孔，包括中间1/9面积处直径为3.9毫米的均匀分布的16个孔，中间1/4面积除了上述1/9面积外分布的直径为3.95毫米的均匀分布的20个孔，以及其他均匀分布的直径大小为4毫米的孔。
【文档编号】C23C16/513GK203683663SQ201320819433
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2013年12月13日 优先权日:2013年12月13日
【发明者】吕耀安, 翟继鑫 申请人:无锡宏纳科技有限公司