一种smd石英晶片尺寸修磨方法
【专利摘要】本发明涉及一种SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步骤：S1、清洗：将光面研磨盘用的酒精清洗，再用无尘布擦拭光面研磨盘表面；S2、平面处理；S3、预热；S4、贴膜：取出带背胶的抛光膜，撕下背胶，并将抛光膜贴在光面研磨盘上；S5、安装光面研磨盘：将贴有抛光膜的光面研磨盘安装在研磨机上；S6、研磨加工：将待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盘上进行研磨，同时向SMD晶坨与光面研磨盘的接触面上喷洒砂液，按照尺寸加工要求研磨成型；S7、清洗：将研磨后的SMD晶坨用清水冲洗干净，晾干。本发明的优点在于：能明显改善石英晶片外观缺陷、能有效地预防尺寸修磨过低和研磨机使用寿命长。
【专利说明】—种SMD石英晶片尺寸修磨方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及石英晶片的研磨工艺，特别是一种SMD石英晶片尺寸修磨方法。
【背景技术】
[0002]石英晶片元器件是利用石英晶片的压电效应实现频率控制、稳定或选择的关键电子元器件。包括石英晶片谐振器、石英晶片振荡器和石英晶片滤波器。主要应用于通讯、家电及其它各类工业及消费类电子产品中。
[0003]随着电子技术的发展，市场对高精度、高稳定性石英谐振器需求量增加，由于石英晶片谐振器、振荡器的闻精度和闻稳定性与石英晶片的频率寄生和切割角度有密切关系，它们要求石英晶片频率寄生远，晶片角度集中，但是目前石英晶片在研磨加工过程中，容易出现研磨后角度中心出现偏移，大方片切割成小条片后角度的离散度增大，而且高频频率寄生多，使大量晶片无法满足成品加工的要求，从而造成生产上的浪费。
[0004]目前市场对石英晶片的尺寸、外观要求比较高，特别是目前主流的SMD系列晶片，其外观、尺寸要求愈发的严格。由于晶片尺寸较小，其外形尺寸加工通常是采用多片晶片粘接成晶坨再进行采用双面研磨机进行尺寸加工。双面研磨机一般采用球墨铸铁材质的研磨盘，盘面均匀分布深度1.5?2mm深的沟槽，作业时通过游星轮带动晶坨在上、下研磨盘之间运动，通过研磨砂液和研磨盘以及晶坨的相互磨削，达到修磨尺寸的目的。但此方法存在不少对品质隐患:金属盘易生锈，造成砂液污染，影响石英晶片外观；金属盘与晶坨直接接触，因硬度较大，修磨过程中易造成石英晶片边缘缺口。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种能明显改善石英晶片外观缺陷、能有效地预防尺寸修磨过低和研磨机使用寿命长的SMD石英晶片尺寸修磨方法。
[0006]本发明的目的通过以下技术方案来实现:一种SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步骤:
51、清洗:将光面研磨盘用浓度为75%?80%的酒精清洗，再用无尘布擦拭光面研磨盘表面；
52、平面处理:光面研磨盘通过修盘机上进行修磨，使得光面研磨盘的平面度<5μπι/
m2；
53、预热:对光面研磨盘进行预热，使光面研磨盘表面温度达到35°C?45°C；
54、贴膜:取出带背胶的抛光膜，撕下背胶，并将抛光膜贴在光面研磨盘上；
55、安装光面研磨盘:将贴有抛光膜的光面研磨盘安装在研磨机上；
56、研磨加工:将待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盘上进行研磨，将研磨机转速设置为20rpm?30rpm，同时向SMD晶坨与光面研磨盘的接触面上喷洒GC#3000研磨砂配置的砂液，按照尺寸加工要求研磨成型；
57、清洗:将研磨后的SMD晶坨用清水冲洗干净，晾干。[0007]所述的步骤S4贴膜完成后还包括将光面研磨盘的研磨上下盘相互压合24h~30h。
[0008]所述的步骤S6中砂液的各组分的质量比为研磨砂冰:悬浮剂=1kg:2L:0.4L。
[0009]本发明具有以下优点:
1、在光面研磨盘上贴抛光膜，能有效防止研磨盘生锈，对砂液起到了保护作用，防止砂液被污染，加工过程中出现的缺口、缺角、亮点等异常缺陷有明显的改善效果。
[0010]2、用抛光膜进行尺寸修磨，其修磨速度得到有效的控制，能有效的预防尺寸修磨过低的现象。
[0011]3、石英晶片与抛光膜直接接触，光面研磨盘不易受到磨损，研磨机的使用寿命大幅度提升，抛光膜磨损不能使用时，只需更换抛光膜，操作简单、方便。
【具体实施方式】
[0012]下面结合实施例对本发明做进一步的描述，但本发明的保护范围不局限于以下所述。
[0013]【实施例1】:
一种SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步骤:
51、清洗:将光面研磨盘用浓度为80%的酒精清洗，再用无尘布擦拭光面研磨盘表面；
52、平面处理:光面研磨盘通过修盘机上进行修磨，使得光面研磨盘的平面度达到
4μ m/m2 ；
53、预热:对光面研磨盘进行预热，使光面研磨盘表面温度达到35°C；
54、贴膜:取出带背胶的抛光膜，撕下背胶，并将抛光膜贴在光面研磨盘上，贴膜完成后还包括将光面研磨盘的研磨上下盘相互压合24h ；
55、安装光面研磨盘:将贴有抛光膜的光面研磨盘安装在研磨机上；
56、研磨加工:将待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盘上进行研磨，将研磨机转速设置为25rpm，同时向SMD晶坨光面研磨盘的接触面上喷洒GC#3000研磨砂配置的砂液，砂液的各组分的质量比为GC#3000研磨砂:水:悬浮剂=1kg: 2L: 0.4L，按照尺寸加工要求研磨成型；
57、清洗:将研磨后的SMD晶坨用清水冲洗干净，晾干。
[0014]【实施例2】:
一种SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步骤:
51、清洗:将光面研磨盘用浓度为77%的酒精清洗，再用无尘布擦拭光面研磨盘表面；
52、平面处理:光面研磨盘通过修盘机上进行修磨，使得光面研磨盘的平面度达到3 μ m/m2 ；
53、预热:对光面研磨盘进行预热，使光面研磨盘表面温度达到45°C；
54、贴膜:取出带背胶的抛光膜，撕下背胶，并将抛光膜贴在光面研磨盘上，将光面研磨盘的研磨上下盘相互压合27h ；
55、安装光面研磨盘:将贴有抛光膜的光面研磨盘安装在研磨机上；
56、研磨加工:将待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盘上进行研磨，将研磨机转速设置为30rpm，同时向SMD晶坨与光面研磨盘的接触面上喷洒GC#3000研磨砂配置的砂液，砂液的各组分的质量比为GC#3000研磨砂:水:悬浮剂=1kg: 2L: 0.4L，按照尺寸加工要求研磨成型；
S7、 清洗:将研磨后的SMD晶坨用清水冲洗干净，晾干。
[0015]【实施例3】:
一种SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步骤:
51、清洗:将光面研磨盘用浓度为75%的酒精清洗，再用无尘布擦拭光面研磨盘表面；
52、平面处理:光面研磨盘通过修盘机上进行修磨，使得光面研磨盘的平面度达到5 μ m/m2 ；
53、预热:对光面研磨盘进行预热，使光面研磨盘表面温度达到40°C；
54、贴膜:取出带背胶的抛光膜，撕下背胶，并将抛光膜贴在光面研磨盘上，将光面研磨盘的研磨上下盘相互压合28h ；
55、安装光面研磨盘:将贴有抛光膜的光面研磨盘安装在研磨机上；
56、研磨加工:将待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盘上进行研磨，将研磨机转速设置为20rpm，同时向SMD晶坨与光面研磨盘的接触面上喷洒GC#3000研磨砂配置的砂液，砂液的各组分的质量比为GC#3000研磨砂:水:悬浮剂=1kg: 2L: 0.4L，按照尺寸加工要求研磨成型；
57、清洗:将研磨后的SMD晶坨用清水冲洗干净，晾干。
[0016]【实施例4】:
一种SMD石英晶片尺寸修磨方法，它包括以下步骤:
51、清洗:将光面研磨盘用浓度为78%的酒精清洗，再用无尘布擦拭光面研磨盘表面；
52、平面处理:光面研磨盘通过修盘机上进行修磨，使得光面研磨盘的平面度达到
5μ m/m2 ；
53、预热:对光面研磨盘进行预热，使光面研磨盘表面温度达到41°C；
54、贴膜:取出带背胶的抛光膜，撕下背胶，并将抛光膜贴在光面研磨盘上，将光面研磨盘的研磨上下盘相互压合27h ；
55、安装光面研磨盘:将贴有抛光膜的光面研磨盘安装在研磨机上；
56、研磨加工:将待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盘上进行研磨，将研磨机转速设置为25rpm，同时向SMD晶坨与光面研磨盘的接触面上喷洒GC#3000研磨砂配置的砂液，砂液的各组分的质量比为GC#3000研磨砂:水:悬浮剂=1kg: 2L: 0.4L，按照尺寸加工要求研磨成型；
57、清洗:将研磨后的SMD晶坨用清水冲洗干净，晾干。
【权利要求】
1.一种SMD石英晶片尺寸修磨方法，其特征在于:它包括以下步骤: 51、清洗:将光面研磨盘用浓度为75%?80%的酒精清洗，再用无尘布擦拭光面研磨盘表面； 52、平面处理:光面研磨盘通过修盘机进行修磨，使得光面研磨盘的平面度<5μπι/m2； 53、预热:对光面研磨盘进行预热，使光面研磨盘表面温度达到35°C?45°C； 54、贴膜:取出带背胶的抛光膜，撕下背胶，并将抛光膜贴在光面研磨盘上； 55、安装光面研磨盘:将贴有抛光膜的光面研磨盘安装在研磨机上； 56、研磨加工:将待加工的SMD石英晶片所粘成的晶坨放在光面研磨盘上进行研磨，将研磨机转速设置为20rpm?30rpm，同时向SMD晶坨与光面研磨盘的接触面上喷洒砂液，按照尺寸加工要求研磨成型； 57、清洗:将研磨后的SMD晶坨用清水冲洗干净，晾干。
2.根据权利要求1所述的一种SMD石英晶片尺寸修磨方法，其特征在于:所述的步骤S4贴膜完成后还包括将光面研磨盘的研磨上下盘相互压合24h?30h。
3.根据权利要求1所述的一种SMD石英晶片尺寸修磨方法，其特征在于:所述的步骤S6中砂液的各组分的质量比为GC#3000研磨砂:水:悬浮剂=lkg:2L:0.4L。
【文档编号】B24B1/00GK103991007SQ201410251678
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年6月9日 优先权日:2014年6月9日
【发明者】叶竹之, 邓天将, 曾小金 申请人:成都泰美克晶体技术有限公司