本发明涉及一种镀层表面平滑的磁盘基板用铝合金板、能够以低成本制造该铝合金板的制造方法以及使用该铝合金板的磁盘的制造方法。
背景技术：
用于计算机存储装置的铝合金制磁盘由使用了具有良好的镀层性并且机械特性和加工性优异的JIS5086(Mg：3.5～4.5mass％、Fe≤0.50mass％、Si≤0.40mass％、Mn：0.20～0.70mass％、Cr：0.05～0.25mass％、Cu≤0.10mass％、Ti≤0.15mass％、Zn≤0.25mass％，剩余部分由Al和不可避免的杂质构成)的铝合金基板、另外通过限制JIS5086中作为杂质的Fe、Si等的含量从而减少了基体中的金属间化合物的铝合金基板、或者添加Cu或Zn从而改善了镀层性的铝合金基板等制造。一般的铝合金制磁盘通过首先制作圆环状铝合金基板、对该圆环状铝合金基板实施镀层、之后在该基板表面附着磁性体这样的方法制造。例如利用上述JIS5086合金得到的铝合金制磁盘可以通过如下的工序制造。首先，铸造铝合金，对其的铸块进行热轧，之后实施冷轧。另外，根据需要实施退火，制作轧制材料。接下来，将该轧制材料冲切成圆环状，将圆环状铝合金板进行叠层。进一步，通过加压退火制作圆环状铝合金基板，该加压退火是从叠层体的上下加压并实施退火从而进行平坦化的工序。对于这样制作的圆环状铝合金基板，作为前处理实施切削加工、磨削加工、脱脂、蚀刻、锌酸盐处理(Zn置换处理)，接下来，作为底层处理，将作为硬质非磁性金属的Ni-P进行无电解镀，对该镀层表面实施抛光后，溅射磁性体，从而制得铝合金制磁盘。但是，近年来，出于多媒体等的需求，对磁盘要求大容量化和高密度化，在最近的将来，面记录密度将达到2Tb/in2。于是，为了提高磁盘的记录密度，需要更加减少数据读取时成为错误的原因的磁盘表面的镀层坑(孔)，要求镀层表面具有高的平滑性。作为镀层坑的产生原因，已知在铝合金基板表面存在的大的凹陷是原因之一，判断该大的凹陷是由于在磨削加工或镀层前处理时，存在于基板表面的粗大的非金属夹杂物和金属间化合物等的异物脱落导致的。出于这样的情况，近年来，要求减少存在于铝合金基板的异物，并正在进行研究。专利文献1公开了一种在铸造的凝固时提高冷却速度，使Al-Fe-Mn系金属间化合物等的异物微细化的方法。专利文献2中公开了一种在对作为铝熔液的杂质的Ti、V和Zr进行偏析精制前，通过有效利用与B的反应使其降低的方法。通过使用以该方法制造的高纯度基体金属作为磁盘基板用铝合金板的原料，抑制TiB2、VB2、ZrB2等异物的产生。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开昭56-105846号公报专利文献2：日本特开2002-173718号公报但是，在专利文献1所述的方法中，虽然能够将Al-Fe-Mn系金属间化合物微细化，但由于不能减少粗大的夹杂物，从而存在不能得到目标的高平滑性的问题。另外，如专利文献2所述，通过实施多次的精炼达到高纯度，减少粗大的夹杂物，但是与通常的精炼相比，工序多，从而存在成本增加的问题。
技术实现要素：
发明所要解决的课题本发明是为了解决上述问题而完成的发明，其目的在于：提供具有高平滑性的镀层表面、能够以低成本制造的磁盘基板用铝合金板以及使用了该铝合金板的磁盘。用于解决课题的方法本发明人为了解决上述问题，着眼于作为夹杂物的Ti-V-B-Zr系夹杂物，对该夹杂物的分布状态和镀层表面平滑性的关系、以及该夹杂物的生成和制造条件的关系，进行精心调查研究。其结果发现，(Ti+V+Zr)的含量和B的含量、铸造前的保持炉中的熔液温度和保持时间、以及铸造开始时的熔液温度对于Ti-V-B-Zr系夹杂物的生成和磨削面的平滑性具有大的影响，以至于完成本发明。即，本发明的第一方面为一种磁盘基板用铝合金板，该磁盘基板用铝合金板由以下的铝合金构成，该铝合金含有Mg：3.0～8.0mass％、Cu：0.005～0.150mass％、Zn：0.05～0.60mass％、Cr：0.010～0.300mass％、Fe：0.001～0.030mass％、Si：0.001～0.030mass％，还含有(Ti+V+Zr)：0.0010～0.0100mass％、B：0.0001～0.0010mass％，剩余部分由Al和不可避免的杂质构成，该磁盘基板用铝合金板中，具有超过5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度为0个/6000mm2，具有3～5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度为1个/6000mm2以下。本发明的第二方面为一种磁盘基板用铝合金板的制造方法，用于制造第一方面所述的磁盘基板用铝合金板，该制造方法包括：熔液保持工序，将上述铝合金的熔液在保持炉中以700～850℃保持30分钟以上；铸造工序，由在该熔液保持工序中保持的熔液铸造铸块，其中，将铸造开始时的熔液温度设为700～850℃；热轧工序，对铸造出的铸块进行热轧；和冷轧工序，对热轧板进行冷轧。本发明的第三方面为一种磁盘的制造方法，包括：将第一方面所述的磁盘用铝合金板冲切成圆环状，制备盘坯的工序；对上述盘坯进行加压退火使其平坦化的工序；对平坦化后的盘坯实施切削加工、磨削加工、脱脂处理和蚀刻处理的加工处理工序；对加工处理后的铝合金板进行锌酸盐处理的工序；对锌酸盐处理后的铝合金板进行镀底层处理的工序；和在镀底层处理后的铝合金板的表面附着磁性体的工序。发明效果本发明涉及的磁盘基板用铝合金基板可以在不使用高纯度基体金属的情况下也能够得到优异的镀层表面的平滑性，因此可以以低成本提供能够大容量化和高密度化的磁盘基板用铝合金板。进一步而言，通过使用这样的铝合金板，能够提供大容量和高密度的磁盘。附图说明图1是从本发明涉及的铝合金板的制造工序到制造磁盘的工序的流程图。具体实施方式以下，对于本发明进行详细说明。首先，按照图1所示的流程，对从铝合金板的制造工序到磁盘的制造工序进行说明。在此，步骤1～5是铝合金板的制造工序，步骤6～11是将制造出的铝合金板成形为磁盘的工序。1.制造工序(1)步骤1：将在熔化炉中配合成所期望组成的铝合金(例如，配合成后述表1所示的组成)而得到的熔液转移至保持炉。进一步在保持炉中，将熔液以规定温度保持规定时间。(2)步骤2：对配合成的铝合金熔液进行铸造。(3)步骤3：对铸造出的铸块进行平面切削，实施均质化处理(均质化处理工序不是必须的)。(4)步骤4：对平面切削后或均质化处理后的铸块进行热轧，制成轧制板。此处，板厚成为3.0mm左右。(5)步骤5：对热轧后的轧制板进行冷轧，制成铝合金板。其中，在冷轧之前或途中实施退火(退火不是必须的)。(6)步骤6：将铝合金板冲切成圆环状，制作盘坯。(7)步骤7：通过加压退火对盘坯进行平坦化。(8)步骤8：对平坦化后的盘坯实施切削加工、磨削加工、脱脂、蚀刻，制成磁盘用铝合金基板。(9)步骤9：在磁盘用铝合金基板的表面实施锌酸盐处理(Zn置换处理)。(10)步骤10：对锌酸盐处理后的表面进行底层处理(镀Ni-P)。(11)步骤11：在底层处理后的表面，利用溅射附着磁性体，制成磁盘。2.铝合金组成首先，对于步骤1的铝合金的各组成配合进行详细说明。铝合金的成分组成限定理由如下。Mg：3.0～8.0mass％Mg是主要具有提高铝合金板强度的效果的元素。另外，由于使锌酸盐处理时的锌酸盐被膜均匀、薄且致密地附着，所以在作为锌酸盐处理工序的下一工序的底层处理工序中，由Ni-P构成的镀层表面的平滑性提高。将Mg的含量规定为3.0～8.0mass％(以下，简单表示为“％”)的理由是因为，少于3.0％时，强度不充分，进而通过锌酸盐处理生成的锌酸盐被膜变得不均匀，镀层的密合性和平滑性减低。超过8.0％时，生成粗大的Al-Mg系金属间化合物，在蚀刻时、锌酸盐处理时、切削和磨削加工时，金属间化合物脱落，产生大的凹陷，镀层表面的平滑性降低。从兼备强度和制造性的观点考虑，Mg的含量优选为3.5～7.0％。Cu：0.005～0.150％Cu是具有在锌酸盐处理时使Al熔化量减少，另外，使锌酸盐被膜均匀、薄、且致密附着的效果的元素。由于这样的效果，在作为锌酸盐处理工序的下一工序的底层处理工序中，由Ni-P构成的镀层表面的平滑性提高。将Cu的含量规定为0.005～0.150％的理由是因为，少于0.005％时，不能充分得到上述效果。另一方面，超过0.150％时，生成粗大的Al-Cu-Mg-Zn系金属间化合物，在蚀刻时、锌酸盐处理时、切削和磨削加工时，金属间化合物脱落，产生大的凹陷，镀层表面的平滑性降低。另外，在超过0.150％的情况下，使材料自身的耐腐蚀性降低，通过锌酸盐处理生成的锌酸盐被膜变得不均匀，镀层的密合性和平滑性降低。优选Cu含量为0.005～0.100％。Zn：0.05～0.60％Zn与Cu同样，使锌酸盐处理时的Al熔化量减少，另外，使锌酸盐被膜均匀、薄、且致密地附着，因此在作为锌酸盐处理工序的下一工序的底层处理工序中，由Ni-P构成的镀层表面的平滑性提高。将Zn的含量规定为0.05～0.60％的理由是因为，少于0.05％时，不能充分得到上述效果。另一方面，超过0.60％时，生成粗大的Al-Cu-Mg-Zn系金属间化合物，在蚀刻时、锌酸盐处理时、切削和磨削加工时，金属间化合物脱落，产生大的凹陷，镀层表面的平滑性降低。另外，在超过0.60％的情况下，使材料自身的加工性和耐腐蚀性降低，通过锌酸盐处理生成的锌酸盐被膜变得不均匀，镀层的密合性和平滑性降低。优选Zn含量为0.05～0.50％。Cr：0.010～0.300％Cr是虽然在铸造时生成微细的金属间化合物、但一部分固溶于基体、有助于提高强度的元素。另外，具有提高切削性和磨削性、进一步使再结晶组织微细化、使镀层的密合性提高、抑制镀层坑的产生的效果。将Cr的含量规定为0.010～0.300％的理由是因为，少于0.010％时不能充分得到上述效果。另一方面，超过0.300％时，在铸造时，过剩的部分结晶析出，同时生成粗大的Al-Cr系金属间化合物，在蚀刻时、锌酸盐处理时、切削和磨削加工时，该金属间化合物脱落，产生成为镀层坑的原因的大的凹陷。优选Cr含量为0.010～0.200％。Fe：0.001～0.030％Fe在铝母材中几乎不固溶，以Al-Fe系金属间化合物存在于铝基体金属中。该Al-Fe系金属间化合物在磨削面成为缺陷，所以不优选在铝合金中含有Fe。但是，将Fe去除至少于0.001％，需要将铝基体金属精炼至高纯度从而导致高成本。另一方面，Fe含量超过0.030％时，生成粗大的Al-Fe系金属间化合物，在蚀刻时、锌酸盐处理时、切削和磨削加工时，该粗大的Al-Fe系金属间化合物脱落，产生大的凹陷，镀层表面的平滑性降低。因此，将Fe的含量调整为0.001～0.030％。优选Fe含量为0.001～0.025％。Si：0.001～0.030％Si与本发明铝合金板的必须元素Mg相结合，生成在磨削面成为缺陷的Mg-Si系金属间化合物，所以不优选在铝合金中含有Si。但是，Si作为不可避免的杂质存在于铝基体金属中。在步骤1的铝合金的调制中使用纯度高的、例如纯度为99.9％以上的铝基体金属，但这样的基体金属中也含有Si。若从铝基体金属中将Si去除至少于0.001％，需要将铝基体金属精炼至高纯度从而导致高成本。另一方面，Si含量超过0.030％时，生成粗大的Mg-Si系金属间化合物，在蚀刻时、锌酸盐处理时、切削和磨削加工时，该粗大的Mg-Si系金属间化合物脱落，产生大的凹陷，镀层表面的平滑性降低。因此，将Si的含量调整为0.001～0.030％。优选Si含量为0.001～0.025％。(Ti+V+Zr)：0.0010～0.0100％Ti、V、Zr与B结合，生成在磨削面成为缺陷的Ti-V-B-Zr系夹杂物，因此不优选在铝合金中含有Ti、V、Zr。但是，Ti、V、Zr作为不可避免的杂质存在于铝基体金属中。若使铝基体金属中的Ti、V和Zr的合计含量少于0.0010％，需要将铝基体金属精炼至高纯度从而导致高成本。另一方面，Ti、V和Zr的合计含量超过0.0100％时，生成粗大的Ti-V-B-Zr系夹杂物，在磨削加工时该夹杂物成为起点，产生磨削痕，或者该夹杂物脱落、产生大的凹陷，由此镀层表面的平滑性降低。因此，将Ti、V和Zr的合计含量调整为0.0010～0.0100％。Ti、V和Zr的优选合计含量为0.0010～0.0060％。另外，Ti、V、Zr的各元素的优选含量为Ti：0.0003～0.0050％、V：0.0006～0.0050％、Zr：0.0001～0.0010％。另外，Ti、V和Zr的合计含量是指，在含有这三种元素的全部时为三种的含量的合计，在含有任意两种时为这两种的含量的合计，在仅含有任意一种时为该一种的含量。B：0.0001～0.0010％B与Ti、V、Zr结合，生成在磨削面成为缺陷的Ti-V-B-Zr系夹杂物，因此不优选在铝合金中含有B。但是，B作为不可避免的杂质存在于铝基体金属中。若使铝基体金属中的B的含量少于0.0001％，需要将铝基体金属精炼至高纯度从而导致高成本。另一方面，B的含量超过0.0010％时，生成粗大的Ti-V-B-Zr系夹杂物，在磨削加工时该夹杂物成为起点，产生磨削痕，或者该夹杂物脱落，产生大的凹陷，由此镀层表面的平滑性降低。因此，将B的含量调整为0.0001～0.0010％。优选B含量为0.0001～0.0005％。其他元素在铸造时，为了抑制Mg的熔液氧化可以添加微量的Be。其中，Be的含量少于0.0001％时，不能充分得到上述效果，另一方面，即使添加的Be超过0.0050％时，其添加效果也达到饱和，不能得到其以上的显著改善效果。因此，添加Be时的添加量优选为0.0001～0.0050％。除上述各元素以外是Al和不可避免的杂质。此处所指的不可避免的杂质是除上述的Mg、Cu、Zn、Cr、Fe、Si、Ti、V、Zr、B、Be以外的元素，能够列举例如Mn、Ga等。这些不可避免的杂质只要各自为0.03％以下、并且合计为0.15％以下，作为本发明涉及的铝合金板就不会损害其特性。3.Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度本发明中，将具有超过5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度设为0个/6000mm2，将具有3～5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度设为1个/6000mm2以下。这里，本发明所规定的Ti-V-B-Zr系夹杂物是指，通过电子射线显微分析仪(EPMA)的WDS分析能够确认含有Ti、V、B、Zr的夹杂物。另外，在本发明中，所谓最长径是指，在通过电子射线显微分析仪(EPMA)的WDS分析得到的Ti-VB-Zr系夹杂物的平面图像中，首先计测轮廓线上的一点和轮廓线上的另一点的距离的最大值，之后，对于轮廓线上所有的点计测该最大值，最后，从这些全部最大值中选择出最大的值。在铝合金板中，将具有超过5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度规定为0个/6000mm2，将具有3～5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度规定为1个/6000mm2以下，由此在磨削加工和镀层前处理时，减少在基板表面产生大的凹陷或磨削痕，能够得到平滑的镀层表面。在Ti-V-B-Zr系夹杂物存在于基板表面时，在磨削加工时以该夹杂物为起点，在广范围产生磨削痕，所以能够通过目视确认该夹杂物的分散状态。存在于铝合金板中的Ti-V-B-Zr系夹杂物的最长径超过5μm时，由于该夹杂物会导致在基板表面产生大的凹陷或磨削痕，镀层表面的平滑性降低。另一方面，铝合金板中存在的Ti-V-B-Zr系夹杂物的最长径为3～5μm时，该夹杂物导致的凹陷或磨削痕的大小对镀层坑的产生多少有影响。但是，如果这样的具有3～5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度为每6000mm2中为1个以下，则对于产生坑的影响可以忽略。其中，存在于铝合金板中的Ti-V-B-Zr系夹杂物的最长径少于3μm时，由该夹杂物产生的凹陷或磨削痕的大小则不成问题。这里，将具有3～5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度设为1个/6000mm2以下，但优选0个/6000mm2。4.磁盘基板用铝合金板的制造方法接下来对于本发明涉及的磁盘基板用铝合金板的制造方法进行详细说明。在上述步骤1中，将调整成本发明的合金组成范围的铝合金熔液在保持炉中加热、保持，使其在铸造前不会变冷而凝固。之后，通过半连续铸造(DC铸造)法等常用方法进行铸造(步骤2)，对得到的铸块实施均质化处理(步骤3)、热轧(步骤4)、冷轧(步骤5)，制造铝合金板。虽然上述任意一道工序都对Ti-V-B-Zr系夹杂物的分布状态产生影响，但本发明人特别着眼于步骤1的保持炉中的加热温度、保持时间和铸造开始时的熔液温度。4-1.保持炉中的熔液的加热温度：700～850℃通过将保持炉中的熔液的加热温度设定为700～850℃，使Ti-V-B-Zr系夹杂物的一部分熔化在熔液中，能够减少夹杂物。保持炉中的熔液的加热温度低于700℃时，在保持中大量生成具有3μm以上的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物，即使在这样的低于700℃的温度下长时间保持也不能充分去除该夹杂物，残存于铝合金熔液中。其结果，由该夹杂物导致在基板表面产生大的凹陷和磨削痕，镀层表面的平滑性降低。另一方面，保持炉中的熔液的加热温度超过850℃时，由于电力消耗等增加而导致成本增加。因此，将保持炉中的熔液的加热温度设为700～850℃。优选的保持炉中的熔液的加热温度为750～850℃。4-2.保持炉中的熔液的保持时间：30分钟以上通过将保持炉中的熔液的保持时间设定为30分钟以上，能够使没有熔化于熔液中的、具有3μm以上的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物沉淀而去除。其中，保持炉中的熔液的保持时间是指，将在熔化炉调制的铝合金熔液全部转移至保持炉，在炉内进行脱气处理等处理后进行保持的时间。在保持炉中的熔液的保持时间少于30分钟时，上述夹杂物的沉淀不充分，残存于铝合金熔液中。其结果，由该夹杂物导致在基板表面产生大的凹陷和磨削痕，镀层表面的平滑性降低。因此，将保持炉中的熔液的保持时间设为30分钟以上。优选的保持炉中的熔液的保持时间为60分钟以上。其中，虽然保持炉中的熔液的保持时间越长越好，但从经济的观点出发，优选600分钟以下。4-3.在线处理在保持炉中保持熔液后，在进行铸造之前，按照通常的方法，以在线方式进行脱气处理和过滤处理。作为在线脱气处理装置，使用以SNIF、ALPUR等商标所市售的装置即可。这些装置一边将氩气或氩和氯的混合气吹入熔液中，一边使带有叶片的旋转体高速旋转从而使气体成为微细的气泡、供给到熔液中。由此，能够以在线的方式，短时间地进行脱氢气和去除夹杂物。作为在线过滤处理，能够使用陶瓷管过滤器或陶瓷泡沫过滤器、氧化铝球过滤器等，通过滤饼过滤机构或滤材过滤机构去除夹杂物。4-4.铸造开始时的熔液温度：700～850℃在保持炉中保持熔液后，进行在线的脱气处理和过滤处理时，有时熔液温度降低。因此，铸造开始时的熔液温度也与保持炉中的熔液的加热温度相同，设定为700～850℃。铸造开始时的熔液温度低于700℃时，在铸造开始前大量生成具有3μm以上的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物。其结果，由该夹杂物导致在基板表面产生大的凹陷和磨削痕，镀层表面的平滑性降低。另一方面，为了以铸造开始时的熔液温度超过850℃的方式保持，电力消耗等增加，导致成本增加。因此，铸造开始时的熔液温度为700～850℃。优选的铸造开始时的熔液温度为700～800℃。在保持炉中进行熔液的保持后进行铸造，之后，根据需要进行均质化处理。实施均质化处理的情况下，优选例如以500～570℃、1～10小时的条件进行。接下来，进行热轧时，其条件没有特别限定，例如可以将热轧开始温度设为400～500℃，将热轧结束温度设为260～380℃。热轧结束后，通过冷轧加工成所需要的制品板厚。冷轧的条件没有特别限定，根据所需要的制品板强度、板厚进行设定即可，例如轧制率为20～80％。在冷轧之前或冷轧的途中，为了确保冷轧加工性，可以实施退火处理。在实施退火处理时，如果采用间歇式的加热，则优选以250～430℃、0.1～10小时的条件进行，如果采用连续式的加热，则优选以400～500℃、0～60秒保持的条件进行。将按照以上的操作制造的铝合金板，根据用途进行加工。为了将铝合金板加工成磁盘用，将该铝合金板冲切成圆环状(步骤6)，在大气中以250～430℃进行30分钟以上的加压退火(步骤7)，对平坦化后的盘坯进行切削加工、磨削加工、脱脂、蚀刻(步骤8)，进行锌酸盐处理(步骤9)，进行镀底层处理(步骤10)，通过溅射进行磁性体的附着(步骤11)，制成磁盘。实施例以下，对于将本发明用于磁盘基板的实施例进行详细说明。首先，对于图1的各步骤进行说明。(1)步骤1：熔制表1所示的成分组成的铝合金熔液。然后，以表2所示的条件将该熔液保持在保持炉中。(2)步骤2：通过DC铸造法将铝合金熔液制成厚度500mm的铸块，两面进行平面切削15mm。(3)步骤3：除表1的合金No.6以外，以510℃实施6小时的均质化处理。(4)步骤4：以轧制开始温度460℃、轧制结束温度340℃进行热轧，制成板厚3.0mm的热轧板。(5)步骤5：对实施例No.7的合金以外的热轧板不进行中间退火，通过冷轧(轧制率66.7％)轧制成最终板厚1.0mm，制成铝合金板。在实施例No.7中，首先实施第一次冷轧(轧制率33.3％)后，使用间歇式退火炉，以300℃、2小时的条件下进行中间退火。接下来，通过第二次冷轧(轧制率50.0％)轧制成最终板厚1.0mm，制成铝合金板。(6)步骤6：由上述铝合金板冲切成外径96mm、内径24mm的圆环状，制作盘坯。(7)步骤7：将盘坯以340℃实施4小时加压退火。(8)步骤8：进行端面加工，使外径为95mm、内径为25mm，进行磨光加工(表面磨削10μm)。之后，使用AD-68F(上村工业制造)以60℃进行5分钟的脱脂后，使用AD-107F(上村工业制造)以65℃进行1分钟的蚀刻，进一步在30％HNO3水溶液(室温)中进行20秒的去污处理。(9)步骤9：在调整了表面的盘坯表面，使用AD-301F-3X(上村工业制造)实施两次锌酸盐处理。(10)步骤10：在锌酸盐处理后的表面使用无电解镀Ni-P处理液(NIMUDENHDX(上村工业制造))，将Ni-P无电解镀成17μm的厚度后，使用抛光轮进行精抛光(研磨量4μm))。[表2]对于上述磨削加工(步骤8)后以及上述镀层处理(步骤10)后的铝合金板进行以下的评价。〔Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度〕关于具有3～5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物和具有超过5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度(个/6000mm2)，对于磨削加工后的铝合金板表面通过目视进行检查，通过EPMA的观察像和WDS分析(波长分散型X射线分析)，鉴定具有3～5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物以及具有超过5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物，并对各自的每6597mm2中的个数进行计数，换算为存在密度(个/6000mm2)而求得。在Ti-V-B-Zr系夹杂物存在于基板表面时，在磨削加工时以该夹杂物为起点产生广范围的磨削痕，因此夹杂物的分散状态能够通过目视确认。上述存在密度表示在表3中。[表3]〔镀层表面的平滑性〕对Ni-P镀层处理后的铝合金板的表面使用OSA(光学表面分析仪：OpticalSurfaceAnalyzer)等仪器进行观察，计测每6597mm2中存在的最长径1μm以上的大小的坑的个数，求得每单位面积的个数(个数密度：个/6000mm2)。评价的基准如下：将坑为0个/6000mm2的情况设为优异(◎标记)，将坑为1个/6000mm2的情况设为良好(○标记)，将坑为2个/6000mm2以上的情况设为不良(×标记)。评价结果表示在表3中。如表3所示，在实施例1～7中，得到了具有3～5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物和具有超过5μm的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的存在密度满足第一发明，镀层表面的平滑性为优异或良好的磁盘基板用铝合金板。与此相对，在比较例8～23中，都包含本发明规定外的构成要素，因此镀层表面的平滑性差。即，在比较例8中，由于Mg含量过多，大量生成粗大的Al-Mg系金属间化合物，该金属间化合物在镀层前处理时脱落，在铝合金板表面产生大的凹陷。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例9中，由于Cu含量过多，所以大量生成粗大的Al-Cu-Mg-Zn系金属间化合物，该金属间化合物在镀层前处理时脱落，在铝合金板表面产生大的凹陷。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例10中，由于Zn含量过多，所以大量生成粗大的Al-Cu-Mg-Zn系金属间化合物，该金属间化合物在镀层前处理时脱落，在铝合金板表面产生大的凹陷。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例11中，由于Cr含量过多，所以大量生成粗大的Al-Cr系金属间化合物，该金属间化合物在镀层前处理时脱落，在铝合金板表面产生大的凹陷。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例12中，由于Fe含量过多，所以大量生成粗大的Al-Fe系金属间化合物，该金属间化合物在镀层前处理时脱落，在铝合金板表面产生大的凹陷。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例13中，由于Si含量过多，所以大量生成粗大的Mg-Si系金属间化合物，该金属间化合物在镀层前处理时脱落，在铝合金板表面产生大的凹陷。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例14中，由于(Ti+V+Zr)的含量过多，所以大量生成粗大的Ti-V-B-Zr系夹杂物，在磨削加工或镀层前处理时，在铝合金板表面产生多个大的凹陷或磨削痕。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例15中，由于B含量过多，所以大量生成粗大的Ti-V-B-Zr系夹杂物，在磨削加工或镀层前处理时，在铝合金板表面产生多个大的凹陷或磨削痕。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例16中，由于Mg含量过少，所以导致锌酸盐被膜不均匀。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例17中，由于Cu含量过少，所以导致锌酸盐被膜不均匀。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例18中，由于Zn含量过少，所以导致锌酸盐被膜不均匀。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例19中，由于Cr含量过少，所以铝合金板的晶粒粗大化，镀层的密合性降低。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例20、21中，由于保持炉中的熔液的加热温度和铸造开始时的熔液温度过低，所以大量生成粗大的Ti-V-B-Zr系夹杂物，在磨削加工或镀层前处理时，在铝合金板表面产生多个大的凹陷或磨削痕。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。在比较例22、23中，由于保持炉中的熔液的保持时间过短，大量残存粗大的Ti-V-B-Zr系夹杂物，在磨削加工或镀层前处理时，在铝合金板表面产生多个大的凹陷或磨削痕。其结果，在镀层表面产生多个坑，镀层表面的平滑性成为不良。产业上的可利用性如上所述，本发明涉及的磁盘基板用铝合金板在进行磨削加工或镀层前处理等的处理时，由于具有3μm以上的最长径的Ti-V-B-Zr系夹杂物的个数被控制，所以具有抑制凹陷或磨削痕的产生的效果，能够得到优异的镀层表面平滑性。另外，由于在不使用高纯度基体金属的情况下也能够得到优异的镀层表面的平滑性，所以还具有能够以低成本提供可以高容量化和高密度化的磁盘基板用铝合金板的优异效果。进一步而言，通过使用这样的铝合金板，能够得到大容量和高密度的磁盘。