用于制造经过滤银纳米线的水热法的制作方法

展示高导电性与高透明度的膜用作包括例如触摸屏显示器和光伏电池的各种电子应用中的电极或涂层很有价值。这些应用的当前技术涉及使用经物理气相沉积法沉积的含有掺杂锡的氧化铟(ITO)的膜。物理气相沉积法的高资金成本致使需要寻找替代的透明导电材料和涂布方法。使用如渗滤网络般分散的银纳米线作为含ITO膜的有前景的替代方案出现。使用银纳米线潜在地提供可使用辊对辊技术处理的优势。因此，银纳米线提供透明度和导电性可能比常规含ITO膜高但制造成本低的优势。已披露“多元醇法”用于制造银纳米结构。多元醇法在银纳米线制造中使用乙二醇(或替代二醇)作为溶剂和还原剂两个。然而，使用乙二醇具有若干固有缺点。具体来说，使用乙二醇作为还原剂和溶剂导致对反应的控制降低，因为主要还原剂物质(乙醇醛)就地产生并且其存在和浓度视对于氧气的暴露程度而定。此外，使用二醇使得可在用以产生银纳米线的反应器的顶部空间中形成可燃二醇/空气混合物。最终，使用大体积二醇会造成处置问题，逐渐增加此类操作的商业化成本。Miyagishima等人已在美国专利申请公开案第20100078197号中披露制造银纳米线的多元醇方法的一种替代方法。Miyagishima等人披露一种制造金属纳米线的方法，包含：向含有至少一种卤化物和还原剂的水溶剂中添加金属络合物溶液，并且在150℃或更低的温度下加热所得混合物，其中金属纳米线包含以相对于总金属粒子的金属量计50质量％或更多的量的直径为50nm或更小并且主轴长度为5μm或更大的金属纳米线。Lunn等人已在美国专利申请公开案第20130283974号中披露制造银纳米线的多元醇法的另一替代方法。Lunn等人披露一种制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法，其中回收的银纳米线展示平均直径为25到80nm并且平均长度为10到100μm；并且其中在所述方法期间总乙二醇浓度始终<0.001重量％。尽管制造所要高纵横比银纳米线，但Lunn等人所述的制造方法也导致形成宽直径分布的银纳米线群，这可能导致所产生的膜的电特性不均匀。因此，仍需要替代银纳米线制造方法。具体来说，对于不涉及使用二醇的制造经过滤的银纳米线的方法，其中所产生的经过滤的银纳米线展现低银纳米粒子含量。本发明提供一种制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法，其包含：提供容器；提供初始体积的水；提供初始还原糖；提供初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，其中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)可分成初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分；提供初始铜(II)离子源；提供初始卤离子源；提供初始银离子源，其中所提供的初始银离子源可分成初始银离子源的第一部分和初始银离子源的第二部分；向容器中添加初始体积的水、初始还原糖、初始铜(II)离子源和初始卤离子源形成组合；将所述组合加热到110到160℃；混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分与初始银离子源的第一部分形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源；将混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源添加到容器中的组合中形成产物混合物；接着，在延迟时段之后，将初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始银离子源的第二部分添加到容器中形成生长混合物；将生长混合物维持在110到160℃持续2到30小时的保持时间段以制造原料，其中容器中的总二醇浓度<0.001重量％；其中所制造的原料包含母液和银固体；其中母液包含初始体积的水；并且其中原料中的银固体包括高纵横比银纳米线和低纵横比银粒子；提供动态过滤装置，其中动态过滤装置包含：外壳，其包含：具有第一侧和第二侧的空腔；其中存在至少一个到空腔的第一侧的入口、至少一个来自空腔的第一侧的产物出口和至少一个来自空腔的第二侧的渗透物出口；以及安置于空腔内的多孔性元件；安置于空腔内的湍流诱发元件；以及压力源；其中多孔性元件插入空腔的第一侧与空腔的第二侧之间；其中多孔性元件具有从空腔的第一侧穿到空腔的第二侧的多个通道；其中多个通道足够大以允许转移母液和低纵横比银粒子并且足够小以阻断高纵横比银纳米线的转移；其中多孔性元件和湍流诱发元件协作形成过滤间隙FG；以及其中多孔性元件和湍流诱发元件中的至少一个可移动；提供传输流体，其中传输流体包含补充体积的水和补充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；将原料通过到所述空腔的第一侧的至少一个入口转移到动态过滤装置；将一定体积的传输流体通过到空腔的第一侧的至少一个入口转移到动态过滤装置；其中过滤间隙FG被水填充；其中安置于空腔内的多孔性元件和湍流诱发元件都与水接触；使用压力源加压空腔的第一侧在空腔的第一侧产生第一侧压力FSP；其中第一侧压力FSP高于空腔的第二侧的第二侧压力SSP，由此跨越多孔性元件从空腔的第一侧到空腔的第二侧产生压降(PEΔ)；其中压力源提供诱发从空腔的第一侧通过多孔性元件到空腔的第二侧流动以提供渗透物的主要动力；移动多孔性元件和湍流诱发元件中的至少一个，由此在过滤间隙FG中的水中产生剪应力；其中过滤间隙FG中的水中产生的剪应力操作以减少多孔性元件的积垢；从来自空腔的第二侧的至少一个渗透物出口抽出渗透物，其中渗透物包含母液的第二馏分和银固体的第二部分；其中银固体的第二部分富含低纵横比银粒子；以及从来自空腔的第一侧的至少一个产物出口抽出产物，其中产物包含母液的第一馏分和银固体的第一部分；其中银固体的第一部分耗尽低纵横比银粒子；以及其中过滤间隙FG中的水中产生的剪应力和跨越多孔性元件从空腔的第一侧到空腔的第二侧的压降(PEΔ)解耦。附图说明图1为本发明的动态过滤装置的描绘。图2为沿图1中的线A-A所取的截面视图的描绘。图3为安置于本发明的动态过滤装置内的多孔性元件的透视图的描绘。图4为具有关联渗透物容器的本发明的动态过滤装置的描绘。具体实施方式已发现一种制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法，其出人意料地提供存在于原料中的低纵横比银粒子与银固体的有效分离而不显著损失所需高纵横比银纳米线或产物中回收的银纳米线的平均长度的显著减小。已发现分离方法中所用的传输流体的组成对于提供具有高纯度的高纵横比银纳米线的高纵横比银纳米线产物是至关重要的，其中纳米线分率NWF≥0.9。还观察到可以通过明智选择传输流体的组分含量使传输流体到过滤装置的总输送量降到最低。最终，已观察到明智选择传输流体的组分含量赋予回收的高纵横比银纳米线产物稳定性。举例来说，从本发明的方法回收的高纵横比银纳米线产物有助于形成光学质量提高并且具有较少线缠结和可见缺陷的光学膜。如本文中和所附权利要求书中所用的术语“总二醇浓度”的意思是容器中存在的所有二醇(例如乙二醇、丙二醇、丁二醇、聚(乙二醇)、聚(丙二醇))的组合总浓度。如本文中和所附权利要求书中所用的术语“高纵横比银纳米线”是指银固体的纵横比>3。如本文中和所附权利要求书中所用的术语“低纵横比银粒子”是指银固体的纵横比≤3。如本文中和所附权利要求书中所用的术语“原料重量分率”或“WF原料”意思是原料中的高纵横比银纳米线的重量除以原料中所含的银固体的总重量。如本文中和所附权利要求书中所用的术语“渗透物重量分率”或“WF渗透物”意思是渗透物中的高纵横比银纳米线的重量除以渗透物中所含的银固体的总重量。如本文中和所附权利要求书中所用的术语“产物重量分率”或“WF产物”意思是产物中的高纵横比银纳米线的重量除以产物中所含的银固体的总重量。如本文中和所附权利要求书中所用的术语“第一侧压力”或“FSP”意思是相对于外壳(20)外部上的大气压的空腔(30)的第一侧(35)中测量的压力。如本文中和所附权利要求书中所用的术语“第二侧压力”或“SSP”意思是相对于外壳(20)外部上的大气压的空腔(30)的所述第二侧(45)中测量的压力。如本文中和所附权利要求书中所用的术语“跨越多孔性元件的压降”或“PEΔ”意思是第一侧压力FSP与第二侧压力SSP之间的差异，即PEΔ＝FSP-SSP关于贯穿多孔性元件(50)的通道(55)的横截面积X面积的如本文中和所附权利要求书中所用的术语“大体上恒定”意思是通过垂直于贯穿多孔性元件(55)的厚度T的渗透物流的给定通道展现的最大横截面积LX面积在通过通道展现的最小此类横截面积SX面积的20％内。关于贯穿多孔性元件(50)的通道(55)的对称轴轴sym的如本文中和所附权利要求书中所用的术语“大体上垂直的”意思是对称轴轴sym以85到95°的角γ与多孔性元件(50)的顶表面(52)相交。如本文中和所附权利要求书中所用的术语“高纵横比银纳米线分率”或“NWF”为使用本文在实例中所述的方法根据以下等式测定的银纳米线样品的银纳米线分率：NWF＝NWA/TA其中TA为指定安置的银固体样品遮挡的衬底的总表面积；并且NWA为安置的银固体样品中高纵横比银纳米线造成的总遮挡表面积的部分。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法包含：提供容器；提供初始体积的水；提供初始还原糖；提供初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，其中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)可分成初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分；提供初始铜(II)离子源；提供初始卤离子源；提供初始银离子源，其中所提供的初始银离子源可分成初始银离子源的第一部分和初始银离子源的第二部分；向容器中添加初始体积的水、初始还原糖、初始铜(II)离子源和初始卤离子源形成组合；将所述组合加热到110到160℃；混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分与初始银离子源的第一部分形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源；将混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源添加到容器中的组合中形成产物混合物；接着，在延迟时段之后，将初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始银离子源的第二部分添加到容器中形成生长混合物；将生长混合物维持在110到160℃持续2到30小时的保持时间段以制造原料(5)，其中容器中的总二醇浓度<0.001重量％；其中所制造的原料包含母液和银固体；其中母液包含初始体积的水；并且其中原料(5)中的银固体包括高纵横比银纳米线和低纵横比银粒子(优选地，其中原料具有原料重量分率WF原料)；提供动态过滤装置(10)，其中动态过滤装置(10)包含：外壳(20)，其包含：具有第一侧(35)和第二侧(45)的空腔(30)；其中存在至少一个到空腔(30)的第一侧(35)的入口(32)、至少一个来自空腔(30)的第一侧(35)的产物出口(37)和至少一个来自空腔(30)的第二侧(45)的渗透物出口(47)；以及安置于空腔(30)内的多孔性元件(50)；安置于空腔(30)内的湍流诱发元件(60)；以及压力源(70)；其中多孔性元件(50)插入空腔(30)的第一侧(35)与空腔(30)的第二侧(45)之间；其中多孔性元件(50)具有从空腔(30)的第一侧(35)穿到空腔(30)的第二侧(45)的多个通道(55)；其中多个通道(55)足够大以允许转移母液和低纵横比银粒子并且足够小以阻断高纵横比银纳米线的转移；其中多孔性元件(50)和湍流诱发元件(60)协作形成过滤间隙FG；以及其中多孔性元件(50)和湍流诱发元件(60)中的至少一个可移动；提供传输流体，其中传输流体包含补充体积的水和补充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；(优选地，其中原料包含容器的全部内容物；优选地，其中原料具有原料重量分率WF原料)；将原料(5)通过到所述空腔(30)的第一侧(35)的至少一个入口(32)转移到动态过滤装置(10)；将一定体积的传输流体通过到空腔(30)的第一侧(35)的至少一个入口(30)转移到动态过滤装置(10)；其中过滤间隙FG被水填充；其中安置于空腔(30)内的多孔性元件(50)和湍流诱发元件(60)都与水接触；使用压力源(70)加压空腔(30)的第一侧(35)在空腔(30)的第一侧(35)产生第一侧压力FSP；其中第一侧压力FSP高于空腔(30)的第二侧(45)的第二侧压力SSP，由此跨越多孔性元件(50)从空腔(30)的第一侧(35)到空腔(30)的第二侧(45)产生压降(PEΔ)；其中压力源(70)提供诱发从空腔(30)的第一侧(35)通过多孔性元件(50)到空腔(30)的第二侧(45)流动以提供渗透物的主要动力；移动(优选联系移动)多孔性元件(50)和湍流诱发元件(60)中的至少一个，由此在过滤间隙FG中的水中产生剪应力；其中过滤间隙FG中的水中产生的剪应力操作以减少多孔性元件(50)的积垢；从来自空腔(30)的第二侧(45)的至少一个渗透物出口(47)抽出渗透物，其中渗透物包含母液的第二馏分和银固体的第二部分；其中银固体的第二部分富含低纵横比银粒子(优选地，其中渗透物具有渗透物重量分率WF渗透物；优选地，其中WF原料>WF渗透物；更优选地，其中WF原料>WF渗透物≤0.05；更优选地，其中WF原料>WF渗透物≤0.01；最优选地，WF原料>WF渗透物≤0.001)；以及从来自空腔(30)的第一侧(35)的至少一个产物出口(37)抽出产物，其中产物包含母液的第一馏分和银固体的第一部分；其中银固体的第一部分耗尽低纵横比银粒子(优选地，其中产物具有产物重量分率WF产物；优选地，其中WF原料<WF产物；更优选地，其中WF原料<WF产物≥0.8；更优选地，其中WF原料<WF产物≥0.85；最优选地，其中WF原料<WF产物≥0.9)；以及其中过滤间隙FG中的水中产生的剪应力和跨越多孔性元件(50)从空腔(30)的第一侧(35)到空腔(30)的第二侧(45)的压降(PEΔ)解耦(即可独立控制)。(参看图1)。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分成初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分；以及所提供的初始银离子源分成初始银离子源的第一部分和初始银离子源的第二部分；其中初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分与初始银离子源的第一部分混合形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源；其中剩余初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分；以及其中剩余初始银离子源为初始银离子源的第二部分。优选地，初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分为所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的10到40重量％(优选地10到30重量％；更优选地15到25重量％；最优选地20重量％)；并且初始银离子源的第一部分为所提供的初始银离子源的10到40重量％(优选地10到30重量％；更优选地15到25重量％；最优选地20重量％)。优选地，经10秒到10分钟(更优选地30秒到5分钟；最优选地30到90秒)的装填时间将混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源添加到容器中的组合中。优选地，经1到60分钟(更优选地1到30分钟；最优选地1到15分钟)的馈入时间将初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始银离子源的第二部分添加到容器中。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分成第一部分和第二部分并且所提供的初始银离子源分成第一部分和第二部分；其中混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始银离子源的第一部分形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源。优选地，混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始银离子源的第一部分持续0.5秒到4小时(优选地0.5秒到1小时；更优选地1分钟到1小时；最优选地5分钟到1小时)的预混合时段形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源。使用所属领域普通技术人员已知的任何方法将初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始银离子源的第一部分混合持续预混合时段。优选地，通过在闭合容器(优选地在惰性气氛(例如氮气)下)中混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始银离子源的第一部分；以及同时将初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始银离子源的第一部分通过共同管道转移到容器中的组合中的至少一个，混合初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始银离子源的第一部分。当初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分和初始银离子源的第一部分在共同管道中的滞留时间等于预混合时段时，预混合时段优选为2到30秒；更优选2到15秒；最优选2到10秒。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，依序、以独立馈料形式同时、以混合馈料形式同时或其一些组合(例如一些依序、一些以独立馈料形式同时并且一些以混合馈料形式同时)向容器内容物中添加初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始银离子源的第二部分。优选地，将初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始银离子源的第二部分中的至少一个在容器中组合的表面以下的点添加到容器中。更优选地，将银离子源的至少第二部分在容器中组合的表面以下的点添加到容器中。优选地，以独立馈料形式同时、以混合馈料形式同时或其一些组合(例如一些以独立馈料形式同时并且一些以混合馈料形式同时)向容器中添加初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始银离子源的第二部分。最优选地，初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始银离子源的第二部分以混合馈料的形式添加到容器中。优选地，将混合馈料在容器中组合的表面以下的点添加到组合中。混合馈料可按与如针对形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源所述相同的方式形成，其中所用的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分和初始银离子源的第二部分混合持续0.5秒到4小时的混合时段(优选0.5秒到2小时；更优选5分钟到1.5小时；最优选5分钟到1小时)以形成混合馈料。优选地，混合时段≥预混合时段。优选地，在本发明的制造经过滤典高纵横比银纳米线的方法中，原料(5)包含：母液和银固体；其中母液包含初始体积的水；并且其中原料中的银固体(5)包括高纵横比银纳米线和低纵横比银粒子。优选地，原料包含保持时段之后的全部容器内容物。优选地，将银固体悬浮于母液中。优选地，原料含有≤2重量％银固体。更优选地，原料含有0.01到1重量％(更优选地，0.05到0.75重量％；最优选地，0.1到0.5重量％)银固体。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，原料中所含的银固体包括高纵横比银纳米线和低纵横比银粒子。优选地，其中原料具有高纵横比银纳米线比低纵横比银粒子的原料重量分率WF原料。优选地，原料重量分率WF原料经用于合成高纵横比银纳米线的方法最大化。尽管如此，高纵横比银纳米线的合成总是产生一定量的非所需低纵横比银粒子，合意地将其去除以使得产物重量分率WF产物>WF原料。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法，所提供的传输流体包含：补充体积的水和补充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。更优选地，所提供的传输流体包含：补充体积的水；补充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；以及补充还原糖、补充卤离子源、补充铜(II)离子源和补充银离子源中的至少一个。更优选地，所提供的传输流体包含：清洁渗透物，其中已从渗透物去除银固体。所属领域普通技术人员将知道选择适当方法从渗透物去除银固体以提供清洁的渗透物。优选地，使用过滤和离心中的至少一个从渗透物去除银固体提供清洁的渗透物。最优选地，所提供的传输流体包含：补充体积的水、补充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和补充卤离子源。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法，所提供的传输流体的pH为2到5(更优选地2.5到4.5；最优选地3到4)。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，所提供的传输流体通过到空腔的第一侧的至少一个入口转移到动态过滤装置。优选地，一定体积的传输流体可使用选自单次发射、多次发射(其中所述发射可含有相同量或不同量的传输流体)和持续中的至少一种的方式转移到动态过滤装置。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法包含：将一定体积的传输流体通过到空腔的第一侧的至少一个入口转移到动态过滤装置；其中通过调整转移到空腔的第一侧的传输流体的体积控制空腔的第一侧中银固体的浓度。最优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法包含：将一定体积的传输流体通过到空腔的第一侧的至少一个入口转移到动态过滤装置；其中空腔的第一侧中的银固体的浓度保持≤2重量％。更优选地，控制转移到动态过滤装置的传输流体的体积以使得空腔的第一侧中的银固体的浓度维持在0.01到1重量％(更优选地，0.05到0.75重量％；最优选地，0.1到0.5重量％)。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，使用流体移动器(80)将原料(5)转移到动态过滤装置。所属领域普通技术人员将能够选择适用于原料的适当流体移动器(80)。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，用于将原料(5)转移到动态过滤装置(10)的流体移动器(80)与用于诱发跨越多孔性元件(50)从动态过滤装置(10)中空腔(30)的第一侧(35)到空腔(30)的第二侧(45)的压降(PEΔ)的驱动力解耦。更优选地，原料使用低剪切流体移动器(80)，例如蠕动泵或系统水头压力(例如重力或惰性气体压力)转移到动态过滤装置(10)。优选地，当系统水头压力用作流体移动器(80)以促进原料(5)向动态过滤装置(40)转移时，流体移动器(80)进一步包含流体阀(85)(优选地流体控制阀)以调节原料(5)转移到动态过滤装置(10)的速率。(参看图1)。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：提供液位感测器(90)和控制电路(95)，其中液位感测器(90)和控制电路(95)与动态过滤装置(10)和流体移动器(80)(优选地，与控制阀(85)耦合的蠕动泵或系统水头压力)整合以维持外壳(20)中的稳定液位(100)，使得过滤间隙(FG)保持被水填充。(参看图1)。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，使用液体移动器(140)将传输流体的体积(150)转移到动态过滤装置(10)。所属领域普通技术人员将能够选择适用于传输流体的适当液体移动器(140)。优选地，在本发明的制造高纵横比银纳米线的方法中，用于将传输流体的体积(150)转移到动态过滤装置(10)的液体移动器(140)与用于诱发跨越多孔性元件(50)从动态过滤装置(10)中的空腔(30)的第一侧(35)到空腔(30)的第二侧(45)的压降(PEΔ)的驱动力解耦。更优选地，使用泵或系统水头压力(例如重力或惰性气体压力)将一定体积的传输流体转移到动态过滤装置(10)。优选地，动态过滤装置(10)进一步包含液体阀(145)(优选地液体控制阀(145))以调节传输流体向动态过滤装置(10)的转移。(参看图4)。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：提供液位感测器(90)和控制电路(95)，其中液位感测器(90)和控制电路(95)(优选地，其中控制电路包括可编程逻辑控制器)与动态过滤装置(10)、流体移动器(80)(优选地，与流体控制阀(85)耦合的蠕动泵或系统水头压力)和液体控制阀(145)整合以维持外壳(20)中的稳定液位(100)，使得过滤间隙(FG)保持被母液填充。(参看图4)。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，用于动态过滤装置(10)中的多孔性元件(50)具有从空腔(30)的第一侧(35)横穿到空腔(30)的第二侧(45)的多个通道(55)；其中多个通道(55)足够大以允许母液和低纵横比银粒子的转移并且足够小以阻断高纵横比银纳米线的转移。更优选地，多个通道(55)中的每一个通道(55)具有垂直于通过多孔性元件(50)的厚度T的渗透物流的横截面积X面积；其中横截面积X面积跨越多孔性元件(50)的厚度T大体上恒定。优选地，多孔性元件(50)具有额定为1到10μm(更优选地，2到8μm；更优选地，2到5μm；最优选地，2.5到3.5μm)的孔径。优选地，多孔性元件选自弯曲多孔性元件和平坦多孔性元件。更优选地，多孔性元件为平坦多孔性元件。优选地，在本发明的制造高纵横比银纳米线的方法中，用于动态过滤装置(10)中的多孔性元件(50)为多孔性膜。更优选地，多孔性元件(50)为径迹蚀刻聚碳酸酯(PCTE)膜。(参看图1-3)。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，在存在于过滤间隙FG中的水中产生剪应力；其中剪应力在水中诱发足够的与多孔性元件(50)的顶表面(52)相切的运动以减少或防止多孔性元件的堵塞或积垢。剪应力通过与过滤间隙FG相邻的多孔性元件(50)与湍流诱发元件(60)之间的相对运动产生。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，其中多孔性元件(50)相对于空腔(30)静止，湍流诱发元件(60)相对于多孔性元件(50)移动。优选地，当多孔性元件(50)为静止且平坦的多孔性元件时，湍流诱发元件(60)在接近多孔性元件(50)的顶表面(52)的平面中旋转。更优选地，当多孔性元件(50)为平坦多孔性膜时；湍流诱发元件(60)为搅拌器。优选地，搅拌器选自由以下组成的群组：搅拌棒、依靠轴且固定到轴(或与其整合)的搅拌棒和安装到轴的叶轮。优选地，多孔性膜为平坦的并且具有顶表面(52)和底表面(54)；其中顶表面(52)和底表面(54)平行；其中多孔性膜具有沿垂直于顶表面(52)的线(A)从顶表面(52)到底表面(54)测量的厚度T；且其中顶表面(52)面向湍流诱发元件(60)。优选地，配备有平坦多孔性膜的湍流诱发元件(60)为具有叶轮的搅拌器；其中叶轮在安置于空腔(30)的第一侧(32)中的平面中持续旋转。优选地，过滤间隙由叶轮持续旋转的平面和接近于叶轮的多孔性元件(50)的顶表面(52)(更优选地，其中平面平行于多孔性元件的顶表面)界定。(参看图1-3)。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，湍流诱发元件具有可渗透表面。更优选地，当湍流诱发元件具有可渗透表面时，可渗透表面插入在空腔的第一侧与空腔的第二侧之间并且从动态过滤装置抽取的至少一些渗透物从空腔的第一侧穿过湍流诱发元件的可渗透表面到达空腔的第二侧。优选地，当湍流诱发元件具有可渗透表面时，湍流诱发元件的可渗透表面面向多孔性元件的多个通道。优选地，当湍流诱发元件具有可渗透表面时，可渗透表面为弯曲的且安置在旋转中心轴周围；其中湍流诱发元件围绕中心轴旋转。更优选地，当湍流诱发元件具有安置在旋转中心轴周围的弯曲可渗透表面时；其中湍流诱发元件围绕中心轴旋转；多孔性元件也具有安置在旋转中心轴周围的曲面；其中多孔性元件曲面具有从空腔的第一侧横穿到空腔的第二侧的多个通道；其中多孔性元件绕其中心轴旋转；其中湍流诱发元件弯曲可渗透表面面向多孔性元件曲面；其中插入在湍流诱发元件弯曲可渗透表面与多孔性元件曲面之间的空间界定过滤间隙FG。优选地，湍流诱发元件的旋转中心轴与多孔性元件的旋转中心轴平行。优选地，湍流诱发元件和多孔性元件在相同方向中旋转。优选地，湍流诱发元件和多孔性元件相对旋转。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，过滤间隙FG安置于过滤器外壳中并且插入空腔(30)的第一侧(35)与空腔(30)的第二侧(45)之间；其中过滤间隙FG由两个对置表面界定；其中对置表面中的至少一个可移动；以及其中多孔性元件(50)提供对置表面中的至少一个。过滤间隙FG通常形成于相对安置的对向表面之间，所述对向表面以1到25mm(优选地，1到20mm；更优选地，1到15mm；最优选地，1到10mm)的距离间隔开。优选地，过滤间隙FG的尺寸跨越多孔性元件(50)提供的对置表面大体上恒定(即其中对置表面之间的最大过滤间隙尺寸FGSL和最小过滤间隙尺寸FGSS的关系如下：0.9FGSL≤FGSS≤FGSL)。(参看图1和4)。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，多孔性元件(50)和湍流诱发元件(60)中的至少一个相对于彼此移动，在多孔性元件(50)和湍流诱发元件(60)的对置表面之间的过滤间隙FG中的水中产生剪应力。更优选地，多孔性元件(50)和湍流诱发元件(60)中的至少一个相对于其它持续移动，在多孔性元件(50)和湍流诱发元件(60)的对置表面之间的过滤间隙FG中的水中产生剪应力。优选地，产生于过滤间隙FG中的剪应力在水中诱发足够的与面向空腔(30)的第一侧(35)的多孔性元件的表面相切的运动以减少或防止多孔性元件的堵塞或积垢。优选地，多孔性元件(50)和湍流诱发元件(60)以0.4到1.5m/s(更优选地，0.6到1.3m/s；最优选地，0.9到1.1m/s)的相对速度相对于彼此移动。优选地，产生于安置在过滤间隙FG内的水中的剪应力和跨越多孔性元件从空腔的第一侧到空腔的第二侧的压降经解耦。最优选地，可独立地控制产生于安置在过滤间隙FG内的水中的剪应力和跨越多孔性元件从空腔的第一侧到空腔的第二侧的压降。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，压力源提供渗透物穿过多孔性元件到达空腔的第二侧的主要动力。优选地，压力源为施加于空腔的第一侧上的气体压力。更优选地，施加于空腔的第一侧上的气体压力为惰性气体。最优选地，施加于空腔的第一侧上的气体压力为氮气。气体压力可以空腔中的液位上方的气态顶空形式施加到空腔的第一侧。或者，提供的空腔的第一侧可进一步包含气囊；其中气囊用气体加压。优选地，压力源诱发5到70kPA(优选地，10到55kPa；更优选地，15到40kPa；最优选地，20到35kPa)的跨越多孔性元件的压降。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：周期性提供通过多孔性元件(50)从空腔(30)的第二侧(45)到空腔(30)的第一侧(35)的逆向流。所属领域普通技术人员将知道选择用于提供逆向流的适当构件。更优选地，本发明的制造高纵横比银纳米线的方法进一步包含：周期性地提供通过多孔性元件(50)从空腔(30)的第二侧(45)流到空腔(30)的第一侧(35)的逆向流；其中每10到60秒(更优选地，15到40秒；最优选地，20到30秒)提供逆向流持续1到10秒(更优选地，2.5到7.5秒；最优选地，3到5秒)的时段。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：提供用于将渗透物从来自空腔(30)的第二侧(45)的至少一个出口(47)转移到容器(125)的管道(120)(优选地，其中在管道(120)与容器(125)之间存在气隙(130))。更优选地，本发明的制造高纵横比银纳米线的方法进一步包含：提供用于将渗透物从来自空腔(30)的第二侧(45)的至少一个出口(47)转移到容器(125)的管道(120)(优选地，其中管道(120)与容器(125)之间存在气隙(130))；并且通过解除压力源(70)(例如使空腔的第一侧与大气通气)对空腔(30)的第一侧(35)周期性地瞬时减压；其中管道(120)保持高度高于动态过滤装置(10)中的液位(100)的体积的渗透物(优选地，其中渗透物的体积是以高于头部为20到500mm(更优选地，100到375mm；最优选地，150到300mm)的液位(100)的高度，使得当对空腔(30)的第一侧(35)周期性地瞬时减压时，存在通过多孔性元件(50)从空腔(30)的第二侧(45)到空腔(30)的第一侧(35)的流向逆转。优选地，每10到60秒(更优选地，15到40秒；最优选地，20到30秒)的加压持续1到10秒(更优选地，2.5到7.5秒；最优选地，3到5秒)的时段提供周期性瞬时减压。(参看图4)。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：提供振动能源；以及将来自振动能源的振动能量周期性地施加到多孔性元件。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：提供超声波能源；并且将来自超声波能源的超声波能量周期性地施加到多孔性元件。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：从渗透物去除银固体提供清洁的渗透物；以及使清洁的渗透物通过到空腔的第一侧的至少一个入口再循环到动态过滤装置。优选地，使用所属领域普通技术人员已知的任何适合方法从渗透物去除银固体提供清洁的渗透物。更优选地，使用过滤和离心中的至少一个去除银固体获得清洁的渗透物。最优选地，传输流体包含清洁的渗透物。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法提供20到1,000L/m2·小时(更优选地，140到540L/m2·小时；最优选地，280到360L/m2·小时)体积通量的通过多孔性元件的渗透物。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始体积的水和补充水各独立地进行去离子和蒸馏中的至少一个以限制附带的杂质。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始体积的水和补充水各自都经去离子和蒸馏。最优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始体积的水和补充水各自为满足或超过根据ASTMD1193-99e1(试剂水的标准规格)的1型水要求的超纯水。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始还原糖和补充还原糖(如果存在)独立地选自由以下组成的群组：醛糖(例如葡萄糖、甘油醛、半乳糖、甘露糖)；具有游离半缩醛单元的双醣(例如乳糖和麦芽糖)；以及携带酮的糖(例如果糖)中的至少一个。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始还原糖和补充还原糖(如果存在)独立地选自由以下组成的群组：醛醣、乳糖、麦芽糖和果糖中的至少一个。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始还原糖和补充还原糖(如果存在)独立地选自由以下组成的群组：葡萄糖、甘油醛、半乳糖、甘露糖、乳糖、果糖和麦芽糖中的至少一个。优选地，所提供的初始还原糖和补充还原糖(如果存在)是相同的。最优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始还原糖和补充还原糖(如果存在)各自都是D-葡萄糖。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和补充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)各自具有20,000到300,000道尔顿的重量平均分子量MW。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和补充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)(如果存在)各自具有30,000到200,000道尔顿的重量平均分子量MW。最优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和补充聚乙烯吡咯烷酮(PVP)(如果存在)各自具有40,000到60,000道尔顿的重量平均分子量MW。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始铜(II)离子源和补充铜(II)离子(如果存在)独立地选自由以下组成的群组：CuCl2和Cu(NO3)2中的至少一个。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始铜(II)离子源和补充铜(II)离子(如果存在)独立地选自由以下组成的群组：CuCl2和Cu(NO3)2。优选地，所提供的初始铜(II)离子源和补充铜(II)离子(如果存在)是相同的。最优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始铜(II)离子源和补充铜(II)离子(如果存在)各自为CuCl2，其中CuCl2为二水合氯化铜(II)。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始卤离子源和补充卤离子源(如果存在)独立地选自由以下组成的群组：氯离子源、氟离子源、溴离子源和碘离子源中的至少一个。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始卤离子源和补充卤离子源(如果存在)独立地选自由以下组成的群组：氯离子源和氟离子源中的至少一个。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始卤离子源和补充卤离子源(如果存在)各自为氯离子源。优选地，所提供的初始卤离子源和补充卤离子源(如果存在)是相同的。最优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始卤离子源和补充卤离子源(如果存在)各自为氯离子源，其中氯离子源为碱金属氯化物。优选地，碱金属氯化物选自由以下组成的群组：氯化钠、氯化钾以及氯化锂中的至少一个。更优选地，碱金属氯化物选自由以下组成的群组：氯化钠和氯化钾中的至少一个。最优选地，碱金属氯化物为氯化钠。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始银离子源和补充银离子源(如果存在)各自为银络合物。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始银离子源和补充银离子源(如果存在)各自为银络合物；其中银复合物选自由以下组成的群组：硝酸银(AgNO3)和乙酸银(AgC2H3O2)中的至少一个。最优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始银离子源和补充银离子源(如果存在)各自为硝酸银(AgNO3)。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中所提供的初始银离子源和补充银离子源(如果存在)各自具有0.005到1摩尔(M)(更优选地0.01到0.1M；最优选地0.015到0.05M)的银浓度。优选地，将初始体积的水、初始还原糖、初始铜(II)离子源、初始卤离子源以及pH调整剂(如果存在)以任何顺序以个别工序(即一次一种)、同时(即一次性所有)或半同时(即一些个别地一次一种，一些一次性或以子组合形式同时)添加到容器中。更优选地，初始体积的水、初始还原糖、初始铜(II)离子源、初始卤离子源和pH调整剂中的至少两个在添加到容器之前混合在一起形成子组合。优选地，初始体积的水分成多个体积(优选地，至少两个体积的水；更优选地，至少三个体积的水；最优选地，至少五个体积的水)，其接着在添加到容器之前与初始还原糖、初始铜(II)离子源、初始卤离子源、pH调整剂、所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和所提供的银离子源中的一个或多个混合形成多种包括水的子组合。举例来说，初始体积的水优选分成至少五个体积，其中第一体积的水与初始还原糖组合形成含有还原糖的子组合，其中第二体积的水与初始铜(II)离子源组合形成含有铜(II)离子的子组合，其中第三体积的水与初始卤离子源组合形成含有卤离子的子组合；其中第四体积的水与所提供的银离子源组合形成含有银离子的子组合(优选地，其中含有银离子的子组合分成第一部分和第二部分)；以及第五体积的水与所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)组合形成含有聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的子组合(优选地，含有聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的子组合分成第一部分和第二部分)。接着以与本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法的先前论述中的单组分类似的方式处理这些子组合。本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法优选地进一步包含：提供还原剂；以及将还原剂添加到产物混合物中。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中提供的还原剂选自由以下组成的群组：抗坏血酸、硼氢化钠(NaBH4)、肼、肼盐、对苯二酚、C1-5烷基醛以及苯甲醛。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中提供的还原剂选自由以下组成的群组：抗坏血酸、硼氢化钠(NaBH4)、肼、肼盐、对苯二酚、乙醛、丙醛以及苯甲醛。最优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中提供的还原剂选自由以下组成的群组：抗坏血酸和硼氢化钠。本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法优选进一步包含：提供pH调整剂；以及将pH调整剂添加到容器中。pH调整剂可在将混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源添加到容器中之前添加到容器中。优选地，当pH调整剂在添加混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源之前添加到组合中时；其中在将混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源添加到容器中之前，组合的pH为2.0到4.0(优选地2.0到3.5；更优选地2.4到3.3；最优选地2.4到2.6)。pH调整剂可与混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源同步添加到容器中。优选地，当pH调整剂与混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源同步添加时，将pH调整剂添加到聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分中，随后与银离子源的第一部分混合形成混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源，其中聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第一部分的pH为2.0到4.0(优选地2.0到3.5；更优选地2.3到3.3；最优选地3.1到3.3)。优选地，当pH调整剂与混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源同时添加时，也将pH调整剂添加到聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分中，其中聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的第二部分的pH值为2.0到4.0(优选地2.0到3.5；更优选地2.3到3.3；最优选地3.1到3.3)。优选地，在将所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分成第一部分和第二部分之前，向所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)添加pH调整剂，其中所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的pH为2.0到4.0(优选地，2.0到3.5；更优选地，2.3到3.3；最优选地，3.1到3.3)。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中提供的pH调整剂为酸。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中提供的pH调整剂为酸，其中酸选自由以下组成的群组：无机酸(例如硝酸、硫酸、盐酸、氟硫酸、磷酸、氟锑酸)和有机酸(例如甲烷磺酸、乙烷磺酸、苯磺酸、乙酸、氟乙酸、氯乙酸、柠檬酸、葡糖酸、乳酸)中的至少一个。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中提供的pH调整剂的pH<2.0。更优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中提供的pH调整剂包括硝酸。最优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中提供的pH调整剂为硝酸水溶液。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：吹扫容器中与组合接触的容器蒸气空间以在容器蒸气空间中提供降低的氧气浓度。优选地，吹扫容器中与组合接触的容器蒸气空间以在容器蒸气空间中提供降低的氧气浓度的步骤包括：(i)使容器蒸气空间与容器外部的周围气氛分离；(ii)接着用惰性气体(优选地，其中惰性气体选自由以下组成的群组：氩气、氦气、甲烷以及氮气(更优选地，氩气、氦气以及氮气；更优选地，氩气和氮气；最优选地，氮气))对容器蒸气空间加压；以及(iii)接着吹扫容器蒸气空间以在容器蒸气空间中提供降低的氧气浓度。优选地，使容器蒸气空间吹扫到容器压力大于周围气氛的大气压力以在容器蒸气空间中提供降低的氧气浓度。优选地，降低的氧气浓度≤2,000ppm(更优选地≤400ppm；最优选地≤20ppm)。更优选地，吹扫容器中与组合接触的容器蒸气空间以在容器蒸气空间中提供降低的氧气浓度的步骤包括：(i)使容器蒸气空间与容器外部的周围气氛分离；(ii)接着用惰性气体(优选地，其中惰性气体选自由以下组成的群组：氩气、氦气、甲烷以及氮气(更优选地，氩气、氦气以及氮气；更优选地，氩气和氮气；最优选地，氮气))对容器蒸气空间加压；以及(iii)接着吹扫容器蒸气空间以在容器蒸气空间中提供降低的氧气浓度(优选地，其中容器蒸气空间吹扫到容器压力大于容器外部周围气氛的大气压力)；以及(iv)重复步骤(ii)和(iii)至少三次以在容器蒸气空间中提供降低的氧气浓度(优选地，其中降低的氧气浓度≤2,000ppm(更优选地≤400ppm；最优选地≤20ppm))。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：在混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源添加期间、在生长混合物形成期间以及在保持时段期间维持容器蒸气空间中的降低的氧气浓度。优选地，本发明的用于制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：用惰性气体喷洒所提供的初始银离子源以从初始银离子源提取夹带的氧气并且在与初始银离子源接触的银离子蒸气空间中提供低氧气浓度。优选地，用惰性气体喷洒所提供的初始银离子源的步骤包含(优选地由以下组成)：用惰性气体(优选地，其中惰性气体选自由以下组成的群组：氩气、氦气、甲烷以及氮气(更优选地，氩气、氦气以及氮气；更优选地，氩气以及氮气；最优选地，氮气))喷洒所提供的初始银离子源持续≥5分钟(更优选地5分钟到2小时；最优选地，5分钟到1.5小时)的喷洒时间，随后添加到容器以从所提供的初始银离子源提取夹带的氧气并且在银离子蒸气空间中提供低氧气浓度。优选地，银离子蒸气空间中的低氧气浓度≤10,000ppm(优选地≤1,000ppm；更优选地≤400ppm；最优选地≤20ppm)。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：维持银离子蒸气空间中的低氧气浓度直到向容器添加所提供的初始银离子源。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：吹扫与所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)接触的PVP蒸气空间以在PVP蒸气空间中提供稀氧气浓度。优选地，吹扫PVP蒸气空间以在PVP蒸气空间中提供稀氧气浓度的步骤包括：(i)分离所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；(ii)接着用惰性气体(优选地，其中惰性气体选自由以下组成的群组：氩气、氦气、甲烷以及氮气(更优选地，氩气、氦气以及氮气；更优选地，氩气和氮气；最优选地，氮气))对PVP蒸气空间加压；以及(iii)接着吹扫PVP蒸气空间以在PVP蒸气空间中提供稀氧气浓度。优选地，PVP蒸气空间吹扫到压力大于周围气氛的大气压力以在PVP蒸气空间中提供稀氧气浓度。更优选地，吹扫PVP蒸气空间以在PVP蒸气空间中提供稀氧气浓度的步骤包括：(i)分离所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)；(ii)接着用惰性气体(优选地，其中惰性气体选自由以下组成的群组：氩气、氦气、甲烷以及氮气(更优选地，氩气、氦气以及氮气；更优选地，氩气和氮气；最优选地，氮气))对PVP蒸气空间加压；(iii)接着吹扫PVP蒸气空间以在PVP蒸气空间中提供稀氧气浓度(优选地，其中PVP蒸气空间吹扫到大于大气压力的惰性气体压力)；以及(iv)重复步骤(ii)和(iii)至少三次以在PVP蒸气空间中提供稀氧气浓度。优选地，PVP蒸气空间中的稀氧气浓度≤10,000ppm(优选地≤1,000ppm；更优选地≤400ppm；最优选地≤20ppm)。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：维持PVP蒸气空间中的稀氧气浓度直到向容器添加所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。优选地，本发明的用于制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法进一步包含：吹扫容器中与组合接触的容器蒸气空间以在容器蒸气空间中提供降低的氧气浓度；用惰性气体喷洒所提供的初始银离子源以从所提供的初始银离子源提取夹带的氧气并且在于所提供的初始银离子源接触的银离子蒸气空间中提供低氧气浓度；吹扫与所提供的初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)接触的PVP蒸气空间以在PVP蒸气空间中提供稀氧气浓度；维持银离子蒸气空间中的低氧气浓度和PVP蒸气空间中的稀氧气浓度；以及在添加混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子源期间、在形成生长混合物期间以及在保持时段期间维持容器蒸气空间中降低的氧气浓度。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，在所述方法期间容器中的总二醇浓度始终<0.001重量％。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，初始聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和初始银离子源以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)比银离子4:1到10:1(更优选地，5:1到8:1；最优选地，6:1到7:1)的重量比添加到容器中。优选地，在本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法中，初始卤离子源和初始铜(II)离子源以卤离子比铜(II)离子1:1到5:1(更优选地，2:1到4:1；最优选地，2.5:1到3.5:1)的重量比添加到容器中。优选地，本发明的制造经过滤的高纵横比银纳米线的方法提供产物，其中WF原料<WF产物。更优选地，本发明的制造高纵横比银纳米线的方法提供产物，其中WF原料<WF产物≥0.8。更优选地，本发明的制造高纵横比银纳米线的方法提供产物，其中WF原料<WF产物≥0.85。最优选地，本发明的制造高纵横比银纳米线的方法提供产物，其中WF原料<WF产物≥0.9。本发明的一些实施例现将详细地描述于以下实例中。以下实例中所用的水使用具有安置于水纯化单元下游的0.2μm孔径中空纤维过滤器的ThermoScientificBarnsteadNANOPure纯化系统获得。实例S1：卤离子子组合通过将氯化钠(0.2104g；购自西格玛奥瑞奇(SigmaAldrich))溶解于水(900mL)中来制备本文在某些实例中所用的卤离子子组合。实例S2：铜(II)离子子组合通过将二水合氯化铜(II)(0.6137g；购自西格玛奥瑞奇)溶解于水(900mL)中来制备本文在某些实例中所用的铜(II)离子子组合。实例S3：还原糖/铜(II)离子/卤离子子组合通过在烧瓶中将13.5gD-葡萄糖添加到水(2159mL)中来制备本文在某些实例中所用的还原糖/铜(II)离子/卤离子子组合。接着将21.3mL根据实例S1制备的卤离子子组合添加到烧瓶中。接着将21.3mL根据实例S2制备的铜(II)离子子组合添加到烧瓶中。实例S4：聚乙烯吡咯烷酮(PVP)子组合通过将聚乙烯吡咯烷酮(52.2g；重量平均分子量为50,000g/mol，K30P，购自巴斯夫(BASF))添加到烧瓶中的水(381mL)中并且接着用水(203mL)冲洗转移设备到烧瓶中来制备本文在某些实例中所用的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)子组合。实例S5：银离子子组合通过将AgNO3(12.7g；ACS试剂级，≥99.0％，购自西格玛奥瑞奇)添加到烧瓶中的水(152mL)中来制备本文在某些实例中所用的银离子子组合。实例S6：混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子子组合通过在1L锥形底容器中组合根据实例S4制备的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)子组合与根据实例S5制备的银离子子组合，并且接着用水(102mL)依序冲洗含有聚乙烯吡咯烷酮(PVP)子组合的烧瓶和含有银离子子组合的烧瓶到锥形底容器中，来制备本文某些实例中所用的混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子子组合。接着用氮气温和地连续吹扫锥形底容器中所含的混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子子组合直到转移到反应器中。实例1和2：制备银纳米线使用8L不锈钢压力反应器，其配备有三叶螺旋桨式搅拌器、具有外部电阻加热套和内部冷却管的温度控制单元以促进温度控制。向反应器中添加根据实例S3制备的还原糖/铜(II)离子/卤离子子组合。转移设备接着用水(152mL)冲洗到反应器中。接着关闭反应器并且以200rpm接入搅拌器。接着用>90psig的氮气吹扫反应器中的蒸气空间四次达到压力>60psig，每一次吹扫在压力下保持三分钟。反应器在最后一次吹扫之后留下16.1psig的氮气层。接着将温度控制单元的设定点设定为150℃。当反应器的内容物达到150℃的温度时，将根据实例S6制备的1/5混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子子组合在其制备的预混合时段(如表1中所标注)之后经1分钟装料时间在反应器中组合的表面以下的点处转移到反应器中，形成产物混合物。在20分钟的延迟时段之后，接着经10分钟馈入时间将剩余4/5混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子子组合在产物混合物表面以下的点处转移到反应器中，形成生长混合物。在延迟时段期间，温度控制器的设定点由150℃线性缓降到130℃，其中斜坡起始10分钟进入延迟时段并且在延迟时段终止。接着搅拌生长混合物持续如表1中所标注的保持时间以形成原料。接着使原料冷却到室温。解除搅拌器。接着将反应器通气以解除容器中积聚的任何压力。接着将反应器内容物转移到动态过滤装置作为原料。表1实例编号预混合时段(分钟)保持时间(小时)1<6082<6018实例3-4在实例3-4中的每一个中，将硝酸添加到反应器中的组合中以将组合的pH调整到表2中所标注的pH。接着，将根据实例S6制备的1/5混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子子组合在其制备的预混合时段(如表2中所标注)之后，经1分钟装料时间在反应器中组合的表面以下的点处转移到反应器中，形成产物混合物。在20分钟的延迟时段之后，接着经10分钟馈入时间将剩余4/5混合的聚乙烯吡咯烷酮/银离子子组合在产物混合物表面以下的点处转移到反应器中，形成生长混合物。在延迟时段期间，温度控制器的设定点由150℃线性缓降到表2中提到的温度，其中斜坡起始10分钟进入延迟时段并且在延迟时段终止。接着搅拌生长混合物持续如表2中所标注的保持时间以形成原料。接着使原料冷却到室温。解除搅拌器。接着将反应器通气以解除容器中积聚的任何压力。表2实例编号pH预混合时段(分钟)温度(℃)保持时间(小时)32.5<60130842.5<601308实例5-8：过滤在实例5-8中，将根据合成实例如表3中所标注制备的含有包括高纵横比银纳米线和低纵横比银粒子两个的银固体的原料使用Advantec/MFSUHP150型搅拌槽过滤器外壳过滤，所述外壳具有162cm2的过滤面积并且配备有磁力圆柱形棒叶轮。过滤器外壳置于MettlerSB32001DR型平衡/磁力搅拌设备上。所用的多孔性介质为支撑于过滤器外壳的底部中的3μm亲水性聚碳酸酯径迹蚀刻(PCTE)过滤膜。氮气压力用于提供动力以产生跨越多孔性介质的压降。氮气供应到过滤器外壳中的顶部空间。使用Cole-Parmer68075-16型压力转换器测量顶部空间中的压力。馈入过滤器外壳的氮气穿过安装在过滤器外壳顶部上的三通球阀。三通阀使氮气流能够周期性暂停并且过滤器外壳的顶部空间中的压力能够向大气周期性解除。这使滤液材料从排出管线返回过滤器外壳中并且向上穿过过滤膜的重力诱导的反向流动。三通阀使用Camille过程控制计算机控制，使得每隔25秒，向过滤器外壳的氮气供应暂停并且过滤器外壳与大气通气5秒，随后重新建立氮气供应。将如表3中针对实例5-8中每一个鉴别的原料倒入过滤器外壳中。接着使用具有数字驱动和尺寸16C-Flex软管的Masterflex77800-16型Easy-Load3蠕动泵将组成如表3针对实例5-8中每一个标注的传输流体供应到过滤器外壳。转移到过滤器外壳的传输流体的体积经手动控制以在整个过滤过程中维持过滤器外壳中的稳定水平。离开过滤器外壳底部的滤液向上穿过4.1mmID柔性塑料管进入开顶容器顶部中。滤液管中的流体压头提供当顶部空间用三通阀周期性地向大气打开时回流到过滤器外壳中的驱动力。回收产物滤液中的银固体。表3实例原料传输流体5实例1的产物具有0.15重量％PVP的水溶液6实例2的产物具有1.5重量％D-葡萄糖的水溶液7实例3的产物纯化反应母液58实例4的产物具有140mMPVP和25μMNaCl的水溶液银固体分析使用FEINovaNanoSEM场发射电子枪扫描电子显微镜(SEM)使用FEI自动图像采集(AIA)程序分析来自实例1-8的银固体。从UV/Vis比色杯获取一滴清洁分散液并且滴落涂布于包覆二氧化硅晶片的SEM端头上，随后真空干燥。使用FEINovaNanoSEM场发射电子枪扫描电子显微镜收集背向散射电子图像。使用FEI自动图像采集(AIA)程序移动工作台、聚焦并且收集图像。在6μm水平场宽度下获取每一样品的十八个图像。使用ImageJ软件的半自动化图像分析基于纵横比3将目标分类为线与粒子。自动测量图像中的线宽以及线的总面积。针对图像中粒子的个别尺寸和总面积将粒子列表。又使用ImageJ软件测定表4中的银纳米线直径。针对直径分析获得的SEM图像观测到银纳米线的平均长度超过20μm。使用ImageJ软件分析来自实例1-8中每一个的产物银纳米线的SEM图像，提供样品中纵横比>3的银纳米线的相对测量。用于这一测量的统计为根据以下表达式确定的纳米线分率NWF：NWF＝NWA/TA；其中TA为指定安置的银固体样品遮挡的衬底的总表面积；并且NWA为纵横比>3的银纳米线造成的总遮挡表面积的部分。表4当前第1页1 2 3