7系列铝合金化学抛光添加剂的制作方法

文档序号:12416093阅读:779来源:国知局

本发明涉及金属表面处理技术领域,具体地说,涉及一种7系列铝合金化学抛光添加剂。



背景技术:

铝合金具有密度小、比强度高、耐蚀性和成型性好、成本低等一系列优点,在汽车、日用家电、IT行业、3C产品、航天等领域具有广泛的应用前景及不可替代的地位,因而铝合金技术被列为国防科技关键技术及重点发展的基础技术。而其中7系列铝合金由于强度高、抗冲撞能力强等突出的性能,使其在相关研究领域中有着极其重要的地位。

化学抛光是铝合金表面处理中的一个重要工序,通过化学抛光可以获得光洁平整的表面,使铝的光反射能力、热反射能力以及耐腐蚀性能得到加强,同时提高了铝制品的装饰效果。传统的化学抛光是将铝制品在“三酸”体系中进行化学抛光,由于该抛光方法存在严重的氮氧化合物大气污染而日益受到关注。目前我国长三角和珠三角地区政府已禁止铝材抛光行业使用硝酸,因此传统的三酸化学抛光配方势必要做出调整,向不含硝酸的无烟抛光转变。并且,7系列铝合金具有硬度高,耐蚀性差的特点,沿用常规的工艺和化学抛光液处理,容易产生过腐蚀现象。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种7系列铝合金化学抛光添加剂。

本发明公开的7系列铝合金化学抛光添加剂所采用的技术方案是:

一种7系列铝合金化学抛光添加剂,其各组分含量为:

磷酸为600-800ml/L;

硫酸为100-200ml/L;

缓蚀剂为8-10g/L;

络合剂为1-2g/L;

光亮剂 为3-5g/L;

湿润剂为1-5g/L;其余为水。

作为优选方案,所述磷酸质量比浓度为85%。

作为优选方案,所述硫酸质量比浓度为98%。

作为优选方案,所述缓蚀剂为硫脲。

作为优选方案,所述络合剂为乙二胺四乙酸二钠、酒石酸和氨基酸的混合物,所述乙二胺四乙酸二钠的质量百分比为30-35%,所述酒石酸的质量百分比为5-8%,所述氨基酸的质量百分比为60-65%。

作为优选方案,所述光亮剂为五水合硫酸铜和硫酸镍的混合物,所述五水合硫酸铜的质量百分比为40-45%,所述硫酸镍的质量百分比为55-65%。

作为优选方案,所述湿润剂为聚乙二醇和乙二胺的混合物,所述聚乙二醇的质量百分比为60-65%,所述乙二胺的质量百分比为35-40%。

本发明公开的7系列铝合金化学抛光添加剂的有益效果是:7系列铝合金化学抛光添加剂不含硝酸,可以有效减少抛光过程中的气体污染,对环境污染小,抛光效果好,无腐蚀点,出光速度快,金属表面光泽均匀。

具体实施方式

为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步的详细说明。

实施例一:一种7系列铝合金化学抛光添加剂,各组分含量如下:

磷酸 600ml/L;

硫酸 100ml/L;

缓蚀剂 8g/L;

络合剂 1g/L;

光亮剂 3g/L;

湿润剂 1g/L。

其余为水,其中所述缓蚀剂为硫脲,所述络合剂为乙二胺四乙酸二钠、酒石酸和氨基酸的混合物,所述乙二胺四乙酸二钠的质量百分比为30-35%,所述酒石酸的质量百分比为5-8%,所述氨基酸的质量百分比为60-65%,所述光亮剂为五水合硫酸铜和硫酸镍的混合物,所述五水合硫酸铜的质量百分比为40-45%,所述硫酸镍的质量百分比为55-65%,所述湿润剂为聚乙二醇和乙二胺的混合物,所述聚乙二醇的质量百分比为60-65%,所述乙二胺的质量百分比为35-40%。

实施例二:一种7系列铝合金化学抛光添加剂,各组分含量如下:

磷酸 800ml/L;

硫酸 200ml/L;

缓蚀剂 10g/L;

络合剂 2g/L;

光亮剂 5g/L;

湿润剂 5g/L。

其余为水,其中所述缓蚀剂为硫脲,所述络合剂为乙二胺四乙酸二钠、酒石酸和氨基酸的混合物,所述乙二胺四乙酸二钠的质量百分比为30-35%,所述酒石酸的质量百分比为5-8%,所述氨基酸的质量百分比为60-65%,所述光亮剂为五水合硫酸铜和硫酸镍的混合物,所述五水合硫酸铜的质量百分比为40-45%,所述硫酸镍的质量百分比为55-65%,所述湿润剂为聚乙二醇和乙二胺的混合物,所述聚乙二醇的质量百分比为60-65%,所述乙二胺的质量百分比为35-40%。

从相同材质的7系列铝合金基材上裁切出三段尺寸相同的试样,其中两段分别使用实施例一、实施例二制出的7系列铝合金化学抛光添加剂,另一段采用传统的“三酸”工艺对试样进行抛光试验。试验结果如表1:表1铝合金化学抛光结果

本发明的7系铝合金化学抛光添加剂,相比较传统的抛光液,具有出光速度快,光泽度高,表面无冲痕或暗纹,无腐蚀点,效果好。

最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

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