1.一种改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，其特征在于，包括：底部具有进气口的腔体，安装在腔体上方的驱动装置、磁性件和靶材，置于腔体内的上挡板、下挡板、晶片和加热器，安装在所述腔体侧壁上的低温泵；所述驱动装置和所述磁性件相连接，所述靶材置于所述磁性件的下方；所述晶片放置在所述加热器上，并置于所述上、下挡板围成的空间内；所述上挡板呈倒锥形筒状，上挡板的上端的外沿架设在所述腔体的开口处，且上挡板的底端低于所述基座压环的上表面；所述腔体的底部开设有氩气的进气口，所述腔体的侧壁开设有氧气进口，所述氧气进口处安装有进气环。
2.根据权利要求1所述的改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，其特征在于，所述进气环包括相连接外环和内环，所述外环具有两个与内环相连接的进气孔，所述内环设有2n个出气孔，其中n为自然数。
3.根据权利要求2所述的改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，其特征在于，多个所述出气孔均匀间隔分布。
4.根据权利要求1所述的改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，其特征在于，所述进气环与所述靶材或所述晶片的距离为20～80mm。
5.根据权利要求1所述的改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，其特征在于，所述上挡板的锥度与晶片到靶材的距离成正比。
6.根据权利要求4所述的改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，其特征在于，所述上挡板的锥度范围是30°～60°。
7.根据权利要求1-6任一项所述的改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，其特征在于，所述上挡板位于所述晶片的上方的部位还设有锥形筒状的收口。
8.根据权利要求1-6任一项所述的改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，其特征在于，所述驱动装置为电机。