1.一种具有过渡金属硼化物涂层的PCB用微钻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)取PCB用微钻基体，对其进行清洗处理；
将所述清洗后的微钻基体置于溅射镀膜设备的真空室内，将真空室的气压抽至5×10-3Pa以下后，对真空室进行加热使基体温度达到350～600℃；
打开离子源，通入氩气，对基体进行离子轰击清洗10～30min；
(2)保持所述离子源继续工作，采用过渡金属硼化物作为溅射靶材，以溅射方式在所述离子轰击清洗后的基体表面沉积过渡金属硼化物涂层，其中，沉积过程中在基体上加载负偏压，所述负偏压为0～-300V，沉积温度为350～600℃；所述溅射靶的功率密度为2～20W/cm2；所述离子源的工作电流为20～30A，工作电压为50～100V；通过调节所述沉积温度和负偏压使所述过渡金属硼化物涂层的残余应力的绝对值小于0.3GPa；
(3)沉积结束后，冷却取样，得到具有过渡金属硼化物涂层的PCB用微钻。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述离子轰击清洗时，所述离子源的工作电流为20～30A，工作电压为50～100V。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硼化物选自二硼化钛、二硼化锆、二硼化钒、二硼化铌、二硼化钽、二硼化铬、二硼化钼、二硼化钨中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，当所述过渡金属硼化物涂层为二硼化钛时，所述沉积温度为350～600℃，所述负偏压为-10～-100V。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，当所述沉积温度为550℃时，所述负偏压为-50～-100V，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力为0.12～-0.16GPa；
当所述沉积温度为500℃时，所述负偏压为-30～-70V，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力为0.112～-0.112GPa；
当所述沉积温度为450℃时，所述负偏压为-10～-40V，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力为0.094～-0.074GPa。
6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硼化物涂层为二硼化钨，当所述沉积温度为450℃时，所述负偏压为-15V，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力接近0GPa。
7.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硼化物涂层为二硼化铬，当所述沉积温度为550℃时，所述负偏压为-255V，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力接近0GPa。
8.一种具有过渡金属硼化物涂层的PCB用微钻，其特征在于，包括微钻基体，以及设置在所述微钻基体上的过渡金属硼化物涂层，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力的绝对值小于0.3GPa。
9.如权利要求1所述的PCB用微钻，其特征在于，所述过渡金属硼化物涂层的厚度为0.2～4μm。
10.如权利要求1所述的PCB用微钻，其特征在于，以GCr15作为摩擦副，所述PCB用微钻上的过渡金属硼化物涂层在10N载荷下的摩擦系数为0.2-0.5；所述过渡金属硼化物涂层的断裂韧性为2-4MPa·m1/2。