1.一种用于化学气相沉积反应器的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体系统包括：
a)晶片载体，其包括边缘，所述晶片载体至少部分地支承晶片以便进行化学气相沉积处理；以及
b)旋转管，其包括边缘，所述晶片载体的边缘几何结构和所述旋转管的边缘几何结构经选择在过程期间在所期望的过程温度提供所述晶片载体的中心轴线与所述旋转管的旋转轴线的重合对准。
2.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体支承所述晶片的整个底表面。
3.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体在所述晶片的周边支承所述晶片，使所述晶片的顶表面和底表面的一部分暴露。
4.根据权利要求3所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，其还包括：分隔件，其向所述晶片提供辐射热。
5.根据权利要求4所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述分隔件的几何结构经选择提供所述分隔件相对于所述旋转管的中心的定心。
6.根据权利要求4所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述分隔件的几何结构经选择使得所述分隔件相对于所述旋转管在旋转期间保持静态。
7.根据权利要求4所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述分隔件包括选自碳化硅和石英的材料。
8.根据权利要求4所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，其还包括：向空腔供应正压净化气体的管。
9.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片的旋转偏心度在所期望的过程温度基本上为零。
10.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体边缘和所述旋转管边缘尺寸设定为限定间隙。
11.根据权利要求10所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述间隙的宽度在所期望的过程温度接近零。
12.根据权利要求10所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，由于形成所述晶片载体的材料的热膨胀系数与形成所述旋转管的材料的热膨胀系数之间的差异，所述间隙的宽度在加热期间变化。
13.根据权利要求10所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，在室温，所述间隙的宽度经选择为使得在处理温度存在用于所述晶片载体相对于所述旋转管膨胀的空间。
14.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，在处理期间在所期望的过程温度，所述晶片载体的中心轴线与所述旋转管的旋转轴线的重合对准在所述晶片上形成轴对称温度分布。
15.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，形成所述晶片载体和所述旋转管中至少一者的材料经选择具有在处理温度维持晶片载体相对于所述旋转管膨胀的空间的热膨胀系数。
16.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体的边缘几何结构和所述旋转管的边缘几何结构二者限定相匹配的斜表面。
17.根据权利要求16所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述相匹配的斜表面是相平行的。
18.根据权利要求17所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述相匹配的斜表面在一定角度α使得tan(α)＞f，其中f是在晶片载体与旋转管之间的摩擦系数。
19.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体的边缘几何结构在内表面上是斜的并且所述旋转管的边缘几何结构在外表面上是斜的。
20.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述旋转管包括平坦边沿。
21.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体的边缘几何结构在外表面上是斜的并且所述旋转管的边缘几何结构在内表面上是斜的。
22.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体还包括适于保持晶片的容置件。
23.根据权利要求22所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，其还包括：在所述容置件内对称地布置的一个或更多个缓冲器。
24.根据权利要求1所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体包括无容置件的晶片载体，所述无容置件的晶片载体具有对称地布置在所述晶片载体的上表面上的两个或更多个柱。
25.一种用于化学气相沉积反应器的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体系统包括：
a)晶片载体，其包括边缘几何结构，所述边缘几何结构包括间隔件，所述晶片载体至少部分地支承晶片以便进行化学气相沉积处理；以及
b)旋转管，其支承晶片载体，在晶片载体的边缘几何结构中的间隔件迫使晶片载体的中心轴线与旋转管的旋转轴线在所期望的过程温度对准。
26.根据权利要求25所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体还包括与间隔件相对地定位的起伏结构，所述起伏结构转移晶片载体的质心。
27.根据权利要求26所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述起伏结构包括相对平坦的部段。
28.根据权利要求25所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述间隔件的尺寸设定为使得所述晶片的旋转具有所期望的偏心度。
29.根据权利要求25所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述间隔件被机械加工到所述晶片载体的边缘内。
30.根据权利要求25所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体由选自下列选项组的陶瓷材料形成：碳化硅、氮化硼、碳化硼、氮化铝、氧化铝、蓝宝石、硅、氮化镓、砷化镓、石英、石墨、涂布了碳化硅的石墨和它们的组合。
31.根据权利要求30所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述陶瓷材料包括耐火涂层。
32.根据权利要求25所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体由耐火金属形成。
33.根据权利要求30所述的自定心晶片载体系统，其特征在于，所述晶片载体的边缘几何结构包括与旋转管的边缘形成接触的至少两个间隔件。
34.一种用于化学气相沉积的单晶片基板载体，其特征在于，所述单晶片载体包括适于接纳晶片的晶片载体，所述晶片载体具有用以定位在旋转管顶部上的边缘几何结构，所述旋转管也具有边缘几何结构，其中，所述单晶片基板载体和所述旋转管的边缘几何结构经选择以在过程中在所期望的过程温度提供所述晶片载体的中心轴线与所述旋转管的旋转轴线的重合对准。
35.根据权利要求34所述的单晶片基板载体，其特征在于，所述晶片载体被构造成通过使用容置件来接纳所述晶片，所述容置件适于保持所述晶片。
36.根据权利要求35所述的单晶片基板载体，其特征在于，所述晶片载体还包括在所述容置件内对称地布置的一个或更多个缓冲器。
37.根据权利要求34所述的单晶片基板载体，其特征在于，所述晶片载体包括无容置件的晶片载体，所述无容置件的晶片载体包括对称地布置在所述晶片载体的上表面上的两个或更多个柱。