一种PECVD沉积槽的制作方法

本实用新型涉及太阳能光伏电池制造技术领域，尤其涉及一种PECVD沉积槽。

背景技术：

PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD设备镀膜都是气体通过一定的孔均匀的分散，使得镀膜均匀性非常好，没有色差，特气管道上的特气孔的大小一致性直接影响镀膜工艺，而与特气孔相配的有一个沉积槽，沉积槽主要保护特气管道和其下面冷却水管，防止沉积太多氮化硅，影响特气管道均匀性和水冷效果。现有技术中的沉积槽的两侧和底部分布均匀的孔，其孔与特气管道上的特气孔相对应，直径6～8mm，在正常使用时，特气管道上的特气孔与沉积槽之间沉积氮化硅，容易堵住特气孔，气体不能均匀分散，镀膜质量下降，产生色差。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种PECVD沉积槽，其不仅结构简单，而且延长了设备的更换周期，减少了维护时间。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种PECVD沉积槽，包括底板，底板的两侧均设置有侧板，侧板的上端向外延伸有上边沿，底板设置有若干个与氨气特气管路相连接的第一气孔，底板在第一气孔的两侧均设置有第一挡板，上边沿设置有若干个与硅烷特气管路相连接的第二气孔，上边沿在第二气孔的内侧设置有第二挡板。

其中，若干个第一气孔沿底板的长度方向均匀设置，若干个第二气孔沿上边沿的长度方向均匀设置。

其中，第一气孔和第二气孔的直径均为8.1～16mm。

其中，第一挡板的长度与底板的长度相等，第一挡板的高度为15～25mm。

其中，底板设置有第一气孔的一侧与第一挡板之间的角度为75～100°。

其中，第二挡板的长度与上边沿的长度相等，第二挡板的高度为15～25mm。

其中，上边沿设置有第二气孔的一侧与第二挡板之间的角度为75～100°。

其中，第二挡板的高度大于第一挡板的高度。

其中，PECVD沉积槽为U型槽或V型槽。

其中，底板、侧板、第一挡板和第二挡板的材质均为不锈钢。

本实用新型的有益效果：一种PECVD沉积槽，包括底板，底板的两侧均设置有侧板，侧板的上端向外延伸有上边沿，底板设置有若干个与氨气特气管路相连接的第一气孔，底板在第一气孔的两侧均设置有第一挡板，上边沿设置有若干个与硅烷特气管路相连接的第二气孔，上边沿在第二气孔的内侧设置有第二挡板。第一挡板和第二挡板的设置，使得氨气通过第一气孔后、硅烷通过第二气孔后气流直接往上运动，减少气体向四周扩散，避免了因沉积槽与特气管路之间沉积太多氮化硅而引起的堵塞，本实用新型的PECVD沉积槽不仅结构简单，而且延长了设备的更换周期，减少了维护时间。

附图说明

图1是本实用新型的PECVD沉积槽的立体结构示意图(U型槽)。

图2是图1中A处的局部放大图。

图3是本实用新型的PECVD沉积槽的立体结构示意图(V型槽)。

图4是图3中A处的局部放大图。

图5是本实用新型的PECVD沉积槽的主视图(V型槽)。

附图标记如下：

1-底板；11-第一气孔；2-侧板；3-上边沿；31-第二气孔；4-第一挡板；5-第二挡板。

具体实施方式

下面结合图1至图5并通过具体实施例来进一步说明本实用新型的技术方案。

如图1至图5所示，一种PECVD沉积槽，包括底板1，底板1的两侧均设置有侧板2，侧板2的上端向外延伸有上边沿3，底板1设置有若干个与氨气特气管路相连接的第一气孔11，底板1在第一气孔11的两侧均设置有第一挡板4，上边沿3设置有若干个与硅烷特气管路相连接的第二气孔31，上边沿3在第二气孔31的内侧设置有第二挡板5。第一挡板4和第二挡板5的设置，使得氨气通过第一气孔11后、硅烷通过第二气孔31后气流直接往上运动，减少气体向四周扩散，避免了因沉积槽与特气管路之间沉积太多氮化硅而引起的堵塞，本实用新型的PECVD沉积槽不仅结构简单，而且延长了设备的更换周期，减少了维护时间。

优选地，如图1和图3所示，若干个第一气孔11沿底板1的长度方向均匀设置，若干个第二气孔31沿上边沿3的长度方向均匀设置。

优选地，第一气孔11和第二气孔31的直径均为8.1～16mm，相比现有技术，本实用新型的第一气孔11和第二气孔31的直径较大，可以有效避免沉积槽与特气管路之间沉积太多氮化硅而引起的堵塞。本实施例中，第一气孔11的直径为9mm、第二气孔31的直径为10mm。在其他实施例中，第一气孔11的直径也可以为8.1mm、10mm、11mm、12mm、13mm、14mm、15mm或16mm等其他数值，第二气孔31的直径也可以为8.1mm、9mm、11mm、12mm、13mm、14mm、15mm或16mm等其他数值。

优选地，第一挡板4的长度与底板1的长度相等，第一挡板4的高度为15～25mm，第二挡板5的长度与上边沿3的长度相等，第二挡板5的高度为15～25mm。本实施例中，第二挡板5的高度大于第一挡板4的高度，第一挡板4的高度为15mm，第二挡板5的高度为20mm，使得氨气通过第一气孔11后、硅烷通过第二气孔31后气流直接往上运动，减少气体向四周扩散。在其他实施例中，第一挡板4的高度也可以为16mm、17mm、18mm、19mm、20mm、21mm、22mm、23mm、24mm或25mm等其他数值，第二挡板5的高度也可以为15mm、16mm、17mm、18mm、19mm、21mm、22mm、23mm、24mm或25mm等其他数值。

优选地，底板1设置有第一气孔11的一侧与第一挡板4之间的角度为75～100°，上边沿3设置有第二气孔31的一侧与第二挡板5之间的角度为75～100°。底板1设置有第一气孔11的一侧，具体是指，两个第一挡板4将底板1分成了三侧，其中一侧的底板1设置有第一气孔11，即为底板1设置有第一气孔11的一侧；上边沿3设置有第二气孔31的一侧，具体是指，第五挡板5将上边沿3分成了两侧，其中一侧的上边沿3设置有第二气孔31，即为上边沿3设置有第二气孔31的一侧。本实施例中，底板1设置有第一气孔11的一侧与第一挡板4之间的角度为85°，上边沿3设置有第二气孔31的一侧与第二挡板5之间的角度为75°。在其他实施例中，底板1设置有第一气孔11的一侧与第一挡板4之间的角度也可以为75°、80°、90°、95°或100°等其他数值，上边沿3设置有第二气孔31的一侧与第二挡板5之间的角度也可以为80°、85°、90°、95°或100°等其他数值。

优选地，PECVD沉积槽为U型槽或V型槽。本实施例中，如图1和图2所示，PECVD沉积槽为U型槽。在其他实施例中，如图3至图5所示，PECVD沉积槽也可以选择V型槽。进一步优选地，底板1、侧板2、第一挡板4和第二挡板5的材质均为不锈钢。

以上内容仅为本实用新型的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。