本实用新型属于半导体生产技术领域,具体涉及一种物理气相沉积设备。
背景技术:
物理气相沉积技术表示在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 物理气相沉积的主要方法有,真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜,及分子束外延等。
发展到目前,物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等,应用范围极其广泛,涉及到多个领域,给人们的生产和生活带来了极大的方便。但是,目前,我国的物理气相沉积设备存在体积笨重、沉积的效率不高、不均匀等技术缺陷,针对上述缺陷,发明一种物理气相沉积设备,很有必要。
技术实现要素:
本实用新型的目的在于提供一种物理气相沉积设备,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种物理气相沉积设备,包括箱体,所述箱体通过支柱与万向轮固定连接,所述箱体的正面上方镶嵌有显示屏,所述箱体正面的下方设有压力表,所述箱体的内部底端设有真空泵,所述真空泵通过连接管与真空室连通,所述真空室的侧壁上设有烘干器,所述真空室的底部从左到右依次设有雾化器、旋转式蒸发器和清洗器,所述旋转式蒸发器通过导线与PLC控制器电性连接,所述真空室的顶部设有基片槽,所述真空泵、显示屏和烘干器分别通过导线与PLC控制器电性连接,所述清洗器与PLC控制器电性连接。
优选的,所述显示屏的下方从左到右依次设有清洗键、雾化键和开关,所述清洗键、雾化键和开关均与PLC控制器电性连接。
优选的,所述真空室的形状设置为长方形,且真空室的内部设置为真空陶瓷结构层。
优选的,所述万向轮设置为4组,且万向轮上设有锁紧装置。
优选的,所述基片槽至少设置为4组。
本实用新型的技术效果和优点:该物理气相沉积设备,把待沉积样本放置到基片槽上以后,雾化器和清洗器开始对样本进行清洗,随后通过烘干器进行烘干,可以提高沉积的效率,真空泵开始把真空室抽成真空状态,旋转式蒸发器开始对基片槽上的样本进行沉积,设置万向轮,可以实现该设备自由移动,不受工作地点的约束,该实用新型设计科学合理、不仅沉积的效率高,而且比较均匀,可以实现该设备自由移动,不受工作地点的约束,操作简单,实用性强,值得大力推广。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的内部结构示意图;
图3为本实用新型的电路原理模块示意图。
图中:1箱体、2清洗键、3雾化键、4万向轮、5压力表、6支柱、7开关、8显示屏、9烘干器、10雾化器、11连接管、12真空泵、13 PLC控制器、14旋转式蒸发器、15清洗器、16真空室、17基片槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1-3所示的一种物理气相沉积设备,包括箱体1,所述箱体1通过支柱6与万向轮4固定连接,所述万向轮4设置为4组,且万向轮4上设有锁紧装置,所述箱体1的正面上方镶嵌有显示屏8,所述箱体1正面的下方设有压力表5,所述箱体1的内部底端设有真空泵12,所述真空泵12通过连接管11与真空室16连通,所述真空室16的形状设置为长方形,且真空室16的内壁设置为真空陶瓷结构层,所述真空室16的侧壁上设有烘干器9,所述真空室16的底部从左到右依次设有雾化器10、旋转式蒸发器14和清洗器15,所述旋转式蒸发器14通过导线与PLC控制器13电性连接,所述真空室16的顶部设有基片槽17,所述基片槽17至少设置为4组,所述真空泵12、显示屏8和烘干器9分别通过导线与PLC控制器13电性连接,所述清洗器15与PLC控制器13电性连接,所述显示屏8的下方从左到右依次设有清洗键2、雾化键3和开关7,所述清洗键2、雾化键3和开关7均与PLC控制器13电性连接。
工作过程:使用时,把待沉积样本放置到基片槽17上以后,雾化器10和清洗器15开始对样本进行清洗,随后通过烘干器9进行烘干,可以提高沉积的效率,真空泵16开始把真空室16抽成真空状态,旋转式蒸发器14开始对基片槽17上的样本进行沉积,设置万向轮4,可以实现该设备自由移动,不受工作地点的约束,把显示屏8为触摸式显示屏,操作比较方便,旋转式蒸发器14设置为旋转式14旋转式蒸发器,可以使沉积的更加均匀,真空室16内壁设置为真空陶瓷结构层,可以为气相沉积提供稳定的工作环境,该实用新型设计科学合理、不仅沉积的效率高,而且比较均匀,可以实现该设备自由移动,不受工作地点的约束,操作简单,实用性强,值得大力推广。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。