本发明涉及软体复合膜低电阻，具体涉及一种软体离子双面复合膜低电阻的制备方法。
背景技术：
在现有技术中，在常规双面复合膜表面复合铜会发花氧化和在常规离子双面复合膜会产生电阻高等问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种具有优良耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能，而且与基体材料结合强度高、可抑制复合铜发花氧化与扩展的电复合Ni作为表面层的软体离子双面复合膜低电阻的制备方法，具有优良耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能,而且与基体材料结合强度高、可抑制复合铜发花氧化与扩展的电复合Ni作为表面层及其制备方法。
提供一种软体离子双面复合膜低电阻的制备方法，包括如下步骤：对金属基材的两个表面进行处理；采用离子反应的方式对金属基材的两个表面进行复合铜；对复合铜表面进行清洗干净并进行干燥后再复合镍；对复合镍后的表面进行清洗，得到双面层膜低电阻板材。
在上述制备方法中，所述复合铜层的厚度为0.1-100微米。
本发明经过表面处理的金属基底材料,进行离子反应复合铜达到所需要的厚度时,清洗干净并进行干燥后再复合镍,即可得到制好的低电阻膜层,其铜层厚度在0.1-100微米,总厚度在30-100微米范围内,根据实际需求可以进行调整。具有优良耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能,而且与基体材料结合强度高、可抑制复合铜发花氧化与扩展的电复合Ni作为表面层，解决了在常规双面复合膜表面复合铜发花氧化和在常规离子双面复合膜电阻高等问题。该双面层膜低电阻是在离子复合膜工艺过程中通过复合Cu金属层较多而导通好，再微复合Ni获得的低电阻结构。
附图说明
图1是本发明方法制成的软体离子双面复合膜低电阻板的剖面图。
具体实施方式
如图1所示：提供一种软体离子双面复合膜低电阻的制备方法，
包括如下步骤：对金属基材1的两个表面进行处理；采用离子反应的方式对金属基材1的两个表面进行复合铜得到复合铜层2；对复合铜层2表面进行清洗干净并进行干燥后再复合镍，得到复合镍层3；对复合镍层3后的表面进行清洗，得到双面层膜低电阻板材。
在上述制备方法中，所述复合铜层2的厚度为0.1-100微米。
低电阻板材的总厚度在30-100微米范围内选择。
本发明经过表面处理的金属基底材料,进行离子反应复合铜达到所需要的厚度时,清洗干净并进行干燥后再复合镍,即可得到制好的低电阻膜层,其铜层厚度在0.1-100微米，总厚度在30-100微米范围内,根据实际需求可以进行调整。具有优良耐磨、抗氧化、耐腐蚀性能,而且与基体材料结合强度高、可抑制复合铜发花氧化与扩展的电复合Ni作为表面层。