一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构的制作方法

本发明涉及射频信号引入结构，尤其涉及一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构。

背景技术：

等离子体增强化学气相沉积的制作方法，是在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法。等离子体增强化学气相沉积是：在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。

为了在现有的技术条件下，在现有的等离子体增强化学气相沉积(pecvd)设备中，为了增强等离子体增强化学气相沉积速度，采用射频激发的激发辉光放电的方法，但是在现有技术中对于采用射频激发的激发辉光放电的方法的过程中，常导致在射频激发的过程中由于射频信号在引入的过程中，在引入的结构上的缺陷，常造成在射频信号与外部的壳体、法兰等部件在密封不良的状态下工作，使得射频信号无法真正到达等离子体增强化学气相沉积(pecvd)设备的腔室内，造成射频信号引入失效。

技术实现要素：

本发明的目的是根据上述现有技术的不足之处，本发明目的实现一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，包括双层水冷腔体、同轴电缆接头、屏蔽罩，所述的屏蔽罩设置在双层水冷腔体的上方；所述的同轴电缆接头设置在屏蔽罩上，其特征在于，在所述的屏蔽罩与双层水冷腔体之间设置一焊接法兰；在焊接法兰的上方设置第一绝缘法兰；在所述的第一绝缘法兰上方设置一接线法兰，在所述的接线法兰上中心设置一中心圆孔，在所述的中心圆孔的上方开设一凹槽，在所述的中心圆孔中设置一进气管；在所述的进气管两侧各设置一电刷；所述的电刷设置在所述的凹槽内；所述的电刷的一端抵住进气管的外侧；所述的电刷的另一端抵住凹槽的两侧；所述的进气管向下依次穿过第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体；在进气管与所述的第一绝缘法兰、焊接法兰和双层水冷腔体之间设置一绝缘套。

进一步所述的接线法兰的上方设置第二绝缘法兰。

进一步在所述的第二绝缘法兰的上方设置一进气法兰。

进一步在所述的第二绝缘法兰与进气法兰之间设置第一密封圈。

进一步在所述的第二绝缘法兰的下方，在接线法兰的上方设置第二密封圈；在接线法兰的下方；与第一绝缘法兰之间设置第三密封圈。

进一步在所述的第一绝缘法兰的下方；在焊接法兰上设置第四密封圈。

进一步所述的焊接法兰上设置螺纹孔，与双层水冷腔体进行螺纹连接。

进一步在所述的屏蔽罩内部分别设置第一绝缘法兰、接线法兰、第二绝缘法兰、进气法兰；并通过螺栓连接将第一绝缘法兰、接线法兰、第二绝缘法兰、进气法兰固定在焊接法兰上。

本发明专利的技术效果主要在于，采用上述的等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，解决了在射频信号引入的过程中，射频信号在与法兰、壳体等部件接触而造成失效的技术问题。

附图说明

图1是本发明的整体示意图；

图2是本发明的全剖示意图；

图3是本发明的局部的内部结构示意图；

图4是本发明的接线法兰的示意图；

图5是本发明的接线法兰的全剖示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在结合实施例中，在附图1所示，在本实施例中公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构，包括双层水冷腔体1、同轴电缆接头2、屏蔽罩3，将屏蔽罩3设置在双层水冷腔体1的上方；将同轴电缆接头2设置在屏蔽罩3上，这是整体的等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构的整体图；

结合附图2、附图3、附图4、附图5所示，结合在屏蔽罩3与双层水冷腔体1之间设置一焊接法兰4；在焊接法兰4的上方设置第一绝缘法兰5；在第一绝缘法兰5上方设置一接线法兰6，在接线法兰6上中心设置一中心圆孔61，在中心圆孔61的上方开设一凹槽62，在中心圆孔61中设置一进气管11；在进气管11两侧各设置一电刷9；电刷9设置在凹槽62内；电刷9的一端抵住进气管11的外侧；电刷9的另一端抵住凹槽62的两侧；进气管11向下依次穿过第一绝缘法兰5、焊接法兰6和双层水冷腔体1；在进气管11与第一绝缘法兰5、焊接法兰6和双层水冷腔体1之间设置一绝缘套10。这样形成了等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构的主要的结构，解决了在射频信号引入的过程中，射频信号在与法兰、壳体等部件接触而造成失效的技术问题。解决了在射频信号直接引入等离子体增强化学气相沉积设备的腔室的结构。

结合附图3所示，接线法兰6的上方设置第二绝缘法兰7，这样的结构保证在接线法兰6和第二绝缘法兰7之间的绝缘，保证射频信号在引入的过程中，密封住接线法兰6的上的凹槽62以及电刷9等结构。

再结合附图3所示，为了进一步实现射频信号引入的结构，在第二绝缘法兰7的上方设置一进气法兰8；利用进气法兰8上与进气管11相连接，实现反应气体的通入。

为了保证在等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构中的整体实现，在实施例中优选的设置，结合附图3所示，在第二绝缘法兰7与进气法兰8之间设置第一密封圈81。在第二绝缘法兰7的下方，在接线法兰6的上方设置第二密封圈63；在接线法兰6的下方；与第一绝缘法兰5之间设置第三密封圈64；在第一绝缘法兰5的下方；在焊接法兰4上设置第四密封圈41。

为了实现等离子体增强化学气相沉积设备的射频信号引入结构的固定在双层水冷腔体1，结合附图3所示，在焊接法兰4上设置螺纹孔42，与双层水冷腔体1进行螺纹连接；在屏蔽罩3内部分别设置第一绝缘法兰5、接线法兰6、第二绝缘法兰7、进气法兰8；并通过螺栓连接将第一绝缘法兰5、接线法兰6、第二绝缘法兰7、进气法兰8固定在焊接法兰4上。

作为本发明的优选的实施例，对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明，也是本发明的保护范围。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。