一种防止气相沉积成膜设备滑片的方法与流程

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种防止气相沉积成膜设备滑片的方法。

背景技术：

pecvdapf(plasmaenhancedchemicalvapordepositionadvancedpatternfilm，等离子增强化学气相沉积无定形碳膜)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。由于其反应温度低，沉积速率快，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂等特点，因而广泛的应用于半导体制造中。这种无定型碳(apf)的掩膜板结合darc(dielectricanti-reflectivecoating，介质抗反射膜)应用在90nm以上的先进半导体制造中。

应用材料公司的pecvdapf设备采用了双室沉积的方法来沉积无定型碳，该方法具有较高的加工效率，但是在实际的生产过程中，设备的淀积加热装置易发生滑片效应，这是由于该设备在最初/末、以及周期性的清洗过程中，晶片所处的微环境有所差别而导致的，加热装置的表面积累的一定的无定型碳之后易发生滑片效应。

为了能够消除这种滑片现象，目前现有的方法增加加热装置的清洗次数，并在设备自身的清洗过程中增加清洗的时间。但是该方法只能延长晶片发生滑片的周期，并不能完全消除滑片效应。

技术实现要素：

根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种能有效消除气相沉积成膜设备发生滑片的方法。方法步骤如下：

提供虚拟晶片若干，所述气相沉积成膜设备包括反应室和排气装置，所述排气装置通过设置在所述反应室上的排气口与所述反应室连通，所述反应室的底部设置有加热装置；

还包括以下步骤：

步骤s1、执行预定工艺前，检测所述加热装置上是否存在晶片；

若存在，则执行步骤s3；

若不存在，则执行步骤s2；

步骤s2、将所述虚拟晶片放置于不存在晶片的所述加热装置上；

步骤s3、执行所述预定工艺。

其中，所述步骤s1中的预定工艺包括沉积。

其中，所述步骤s1中的预定工艺还包括清洗。

其中，所述步骤s1中的预定工艺还包括表面处理。

其中，所述沉积的方式为双室沉积。

其中，所述虚拟晶片为陶瓷晶片。

其中，所述虚拟晶片的数量不少于两片。

其中，所述气相沉积成膜设备为等离子体增强化学气相沉积法生成无定型碳膜(apf)的设备。

其中，整个流程中，所述加热装置始终被晶片覆盖。

有益效果:可以消除设备的周期性滑片现象，同时还能够延长加热装置的使用寿命，有利于实际生产。

附图说明

图1本发明加热装置与虚拟晶片位置示意图；

图2本发明流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

本发明的较佳的实施例中，提供一种能有效消除气相沉积成膜设备发生滑片的方法。方法步骤如下：

提供虚拟晶片2若干，所述气相沉积成膜设备包括反应室和排气装置，所述排气装置通过设置在所述反应室上的排气口与所述反应室连通，所述反应室的底部设置有加热装置1，如图1中，虚线框内容为加热装置1上装载有芯片的情形，实线框内容为加热装置1未装载芯片的情形；所述加热装置1旁有一虚拟晶片存放处，所述虚拟晶片存放处内放置有若干虚拟晶片2；

还包括以下步骤：

步骤s1、预定工艺开始前，检测所述加热装置上是否存在晶片；

若存在，则执行步骤s3；

若不存在，则执行步骤s2；

步骤s2、将所述虚拟晶片放置于不存在晶片的所述加热装置上；

步骤s3、执行所述预定工艺。

上述技术方案可以消除设备发生周期性滑片的特点，同时能够延长加热台的使用寿命，有利于实际生产。

在一个较佳的实施例中，步骤s1，我们在进行淀积、清洗、表面处理等预定工艺前，先对加热装置1表面进行检测，确定加热装置1表面是否存在待加工的晶片。

在一个较佳的实施例中，如果加热装置表面已经确定被晶片所覆盖，就可以执行相应的淀积、清洗、表面处理等操作。反之，则进行步骤s2。

步骤s2，通过机台，将事先放置在虚拟晶片储存位置的虚拟晶片取出，放置于没有被晶片覆盖的加热装置的表面。

在一个较佳的实施例中，虚拟晶片所用的材料为陶瓷，数量大于2片，且被放置在一指定位置。

接下来，我们就可以执行所需的工艺了。

上述技术方案中，在沉积过程与表面处理过程中放入虚拟晶片，可以防止加热装置上沉积到薄膜，减小晶片发生滑片的可能。

上述技术方案中，在清洗过程中，虚拟晶片放置于加热装置1上可以去除虚拟晶片表面所沉积的薄膜，同时还能保护加热装置1不受到清洗过程中等离子体的损伤。

以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

技术特征：

技术总结
本发明提供一种能有效消除气相沉积成膜设备发生滑片的方法，适用于半导体制造领域，方法如下：提供若干虚拟晶片，在沉积、清洗、表面处理过程开始前，检测加热装置上是否存在所需沉积的晶片；若没有所需沉积的晶片，则在加热装置上装载虚拟晶片，再开始操作；若有所需沉积的晶片，则直接开始操作。该方法能有效消除设备产生的周期性滑片现象，同时能够延长加热装置的使用寿命，有利于实际生产。

技术研发人员：徐灵芝
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2017.11.13
技术公布日：2018.03.30