一种带拱度IGBT基板模具的制作方法

本实用新型属于模具设计及制造领域，具体涉及一种带拱度IGBT基板模具。

背景技术：

AlSiC复合材料是通过低压铸造的工艺技术，将熔融铝液浸渗到SiC预制型中，SiC体积分数为60％～70％。这种复合材料，既有金属材料较高的弹性模量又有陶瓷材料的热膨胀系数低，密度低，高导热率等特点，正好顺应了现代电子封装材料的要求，现已经大量应用于IGBT模块封装。

其中，IGBT带拱度设计的基板应用范围较广，涉及工业领域、家电领域以及现在市场容量不断攀升的高端领域：机车牵引，包括现在的动车、高铁；风力发电等等。现有技术在实现拱度上较为困难，多采用加工成型，效率低，生产周期长，成本高，成品率低。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种带拱度IGBT基板模具，降低了成本，提高了生产效率，保证了半成品的近净成形。

本实用新型采用以下技术方案：

一种带拱度IGBT基板模具，包括盖板、型腔以及设置在所述型腔内的陶瓷预制型，所述陶瓷预制型采用碳化硅材料制成，拱度值为10～10000um，所述陶瓷预制型与所述型腔为间隙配合，所述陶瓷预制型的焊接面为平面，散热面为球面拱度形状结构，所述盖板的拱度与所述球面拱度形状结构的拱度相匹配，所述型腔内部下侧设置有一条横浇道，所述型腔的深度为所述陶瓷预制型厚度的下公差。

进一步的，所述陶瓷预制型的拱度值为10～10000um。

进一步的，所述陶瓷预制型与所述盖板的单边间隙为0.1～0.5mm。

进一步的，所述型腔内部左右两侧对应设置有定位槽。

进一步的，所述横浇道覆盖在所述陶瓷预制型的散热面上。

进一步的，所述陶瓷预制型的加工精度小于50um。

与现有技术相比，本实用新型至少具有以下有益效果：

本实用新型带拱度IGBT基板模具，包括盖板、型腔以及设置在型腔内的陶瓷预制型，陶瓷预制型与型腔为间隙配合，陶瓷预制型的焊接面为平面，散热面为球面拱度形状结构，对IGBT基板散热面结构进行了预置拱度处理，通过型腔与预制型的配合，保证了生产的产品的容易变形限定在产品的下公差和上公差之间，提高了IGBT基板产品合格率，提高生产效率，其成型铸件满足后续的机加要求，可有效缩短生产周期，提高生产效率，节约加工成本，且成品率较高。

进一步的，陶瓷预制型拱度值可做到10～1000um，可实现不同范围拱度的基板生产。

进一步的，该产品是铝碳化硅材料，碳化硅为其材料原材料。

进一步的，型腔内部左右两侧对应设置有定位槽，该定位可保证产品拱度的精度，同时可保证产品外形后期的易加工性，型腔内部下侧设置有一条横浇道，采用整面浸渗，保证了模具和预制型的拱度要求。

进一步的，客户对拱面质量要求更高，浇道设计在该面可更好的保证该面表面质量，采用该尺寸是可以更好的保证产品拱面精度。

下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本实用新型模具结构示意图；

图2为本实用新型陶瓷预制型结构示意图；

图3为本实用新型型腔示意图，其中，(a)为主视图，(b)为侧视图。

其中：1.陶瓷预制型；2.盖板；3.型腔；4.横浇道；5.定位槽。

具体实施方式

本实用新型公开了一种带拱度IGBT基板模具，采用小间隙配合进行整面浸渗，模具和陶瓷预制型同时带有拱度的设计，使预制型在模具内实现一次成型。

请参阅图1和图2，本实用新型公开了一种带拱度IGBT基板模具，包括盖板2、型腔3以及设置在所述型腔3内的陶瓷预制型1，所述陶瓷预制型1与所述型腔3为间隙配合，所述陶瓷预制型1的焊接面为平面，散热面为凸面结构，所述盖板2的拱度与所述凸面结构的拱度相匹配。

所述凸面结构为球面拱度形状，所述陶瓷预制型1的拱度值为10～1000um，所述陶瓷预制型1的拱度值为10～10000um。

所述陶瓷预制型1与所述型腔3的单边间隙为0.1～0.5mm。所述型腔3的深度为所述陶瓷预制型1厚度的下公差。

优选的，所述陶瓷预制型1的加工精度小于50um。

优选的，所述陶瓷预制型1为碳化硅材料制成。

请参阅图3，所述型腔3内部左右两侧对应设置有定位槽5，所述定位槽5位于型腔3左右两侧的中部，所述型腔3内部下侧设置有一条横浇道4，所述横浇道4覆盖在所述陶瓷预制型1的散热面上。

本实用新型采用一种近净成形工艺，通过近净成形对IGBT基板成型，后续对拱度面机加，提高了成品合格率，以及缩短了后续加工时间。

以上内容仅为说明本实用新型的技术思想，不能以此限定本实用新型的保护范围，凡是按照本实用新型提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本实用新型权利要求书的保护范围之内。