本发明涉及一种掩膜装置，特别是一种金属掩膜版。
背景技术：
在电子产品制作过程中需要将特定的图案转移到基板上，这种用来转移图形的装置称为掩膜版。通常将掩膜版分为光掩膜版和金属掩膜版两大类。光掩膜版主要用于光刻工艺，整个光刻过程包括表面处理、旋涂、前烘、曝光、后烘、显影、刻蚀等步骤。因此，利用光掩膜版虽然可以获得较高的图案精度，但是存在设备造价昂贵、工艺过程繁琐和容易引入杂质离子等问题。金属掩膜版由于造价较低、工艺过程简单等原因在光伏科技研发、平面显示面板等领域受到广泛应用。现有的金属掩膜版一般采用在金属板上刻蚀出通孔的方法制作，这种金属掩膜版中通孔的上下表面的图案形状和大小完全一样，金属掩膜版的正面和反面掩膜效果一样。但是，由于金属掩膜版都存在一定的厚度，在薄膜生长过程中，原子或原子团不仅在垂直于金属掩膜版的运动方向上会受到金属掩膜版的阻挡而且会在平行于金属掩膜版的运动方向上受到金属掩膜版的阻挡。这种金属掩膜版对原子或原子团平行于金属掩膜版方向的运动分量的阻挡作用会造成薄膜成型后的图案与金属掩膜版的图案在位置上发生偏差，在需要多次掩膜的场合这种位置上的偏差会严重影响电子产品的成品率；此外，由于原子或原子团绕射作用的存在，最终成型的图案边界会变得模糊，这种模糊的图案边界不仅会影响电子产品的成品率而且会直接导致金属掩膜版的精度变差。通过将厚度很小的金属掩膜版虽然可以缓解上述问题但是存在造价高昂，容易损坏，难以贴合等问题。因此，现有的金属掩膜版存在薄膜成型后图案发生偏移、图案边界模糊不清的问题。
技术实现要素：
本发明的目的在于，提供一种金属掩膜版。本发明具有薄膜成型后图案不发生偏移、图案边界清晰的特点。
本发明的技术方案：一种金属掩膜版，包括基体，基体上设有通孔，通孔和基体的上表面的交线为上开口，通孔和基体的下表面的交线为下开口，上开口的面积大于下开口面积；上开口相对于下开口向外的偏移距离大于基体的厚度。
前述的金属掩膜版中，所述上开口，设有上倒角。
前述的金属掩膜版中，所述下开口，设有下倒角。
与现有技术相比，本发明可以解决薄膜成型后图案发生偏移、图案边界模糊的问题。本发明通过将金属掩膜版中的通孔设置成上开口和下开口形状相似但大小不同的结构避免了因为上开口的阻挡产生的图案偏移，由于上开口面积大于下开口面积，原子或原子团从上开口进入到下开口的过程中不会因为上开口的阻挡而产生图案偏移，最终形成的薄膜图案会和下开口的图案完全重合；由于下开口边缘处产生掩膜作用的基体有效厚度很薄，原子或原子团失去了在下开口处产生绕射的空间，因此薄膜边界清晰。本发明具有薄膜成型后图案不发生偏移、图案边界清晰的特点。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
图2是本发明和待镀基板的剖视图；
附图中的标记为：1-基体，2-通孔，3-上开口，4-下开口，5-上倒角，6-下倒角，7-待镀基板，8-偏移距离。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明，但并不作为对本发明限制的依据。
实施例。金属掩膜版，构成如图1-2所示，包括基体1，基体1上设有通孔2，通孔2和基体1的上表面的交线为上开口3，通孔2和基体1的下表面的交线为下开口4，上开口3的面积大于下开口4面积；上开口3相对于下开口4向外的偏移距离8大于基体1的厚度。
所述上开口3，设有上倒角5。
所述下开口4，设有下倒角6。
本发明是通过将金属掩膜版中的通孔设置成上开口3和下开口4形状相似但大小不同的结构避免了因为上开口3的阻挡产生的图案偏移，由于上开口3面积大于下开口4面积，原子或原子团从上开口3进入到下开口4的过程中不会因为上开口3的阻挡而产生图案偏移，最终形成的薄膜图案会和下开口4的图案完全重合。由于下开口4边缘处产生掩膜作用的基体有效厚度很薄，原子或原子团失去了在下开口4处产生绕射的空间，因此薄膜边界清晰。本发明最终对薄膜图案的大小和形状起决定作用的是下开口4，由于上开口3面积比下开口4面积大，基体1可以做的比较厚。基体1主要起力学支撑作用，基体1越厚金属掩膜版越不容易发生变形，因此使用寿命越长。上开口3越大，薄膜图形相对于金属掩膜版的偏移越小，但是上开口3过大又会影响基体1的支撑功能，因此上开口3相对于下开口4向外扩展的距离为1-3倍的基体1厚度为宜。本发明使用时必须以下开口4贴紧待镀基板7，不能贴反，否则会使图案偏移和边界模糊现象相比普通金属掩膜版更加严重。