的问题是尤其有利的，因此通过实现省略粘合剂层而解决。
[0024] 如果涂布在低压下进行，则是有利的。尤其是涂布室中的压力低于围绕该装置的 气氛，从而涂布室的内部可以相对于围绕该装置的气氛被称为低压侧。为此，围绕该装置的 气氛可称为高压侧，因为其相对于涂布室中存在的压力具有更高的压力。通常设定高压侧 的压力相当于标准大气压。
[0025] 任选地，可以设定用于施加塑料熔体至膜幅面的第二涂布机构位于涂布室内。但 是，尤其地，在第一涂布机构需要高真空的涂布中，并不是所有的根据第二涂布的塑料熔体 均可以可靠地施加至膜幅面。另外，在一些情况下，对于在涂布室内的第二涂布机构的技术 设施投入可能高而是不利的。在这样的情况下，必须将用第一涂布机构涂布的膜幅面通过 第二锁定系统从涂布室送出到高压侧上。在高压侧上，可将膜幅面通过进一步的输送机构， 如辊和偏转辊输送至第二涂布机构，使得挤出的塑料熔体可以施加至膜幅面。
[0026] 已经显示，如果第二涂布是通过第二涂布机构在线进行的，则第一涂布不出现明 显的老化，即化学变化。由此，这可以确保第二涂层在第一涂层上的粘合未被不利地影响。 [0027] 可能有利的是该装置具有用于挤出至少一个塑料熔体的挤出喷嘴，而膜幅面得自 该塑料熔体，并且该装置具有用于输送得自挤出的塑料熔体的膜幅面的一个或多个辊。
[0028] 此外，可以设定膜幅面可以以至少3m/min，尤其在30m/min和45m/min之间，进一 步尤其在30和300m/min之间，或高达240m/min，或高达150m/min及以下，尤其是最大值为 300m/min，优选的最大值高达60m/min的输送速度输送。
[0029] 此外，可能的是第一和/或任选的第二锁定系统具有至少一个辊锁和/或至少一 个狭缝锁。
[0030] 此外，可想到的是为第一锁定系统，或任选地为第二锁定系统设置多个抽吸室，所 述抽吸室各自形成压力等级。抽吸室可以各自位于单个锁之间。在这方面，在第一锁定系 统的抽吸室之后可以提供至少一个或多个脱气室。其好处源自脱气室，可以进行膜的挥发 性组分的去除。
[0031] 根据真空要求，位于单个锁之间的抽吸室可配备泵机构，例如转动叶片泵 (Drehschieberpumpe)、罗茨泵（Waelzkolbenpumpe)或润轮泵。
[0032] 也可通过多个抽吸阶段逐步施加真空，使得通过从大气压至优选的KT6mbar的终 压力的压降在整个制动系统中出现真空。
[0033] 尤其是设定阻隔层可使用涂布室和第一涂布机构沉积到膜幅面上。在用于包装药 物松散材料的膜中存在这样的需要，即阻隔层对如氧、二氧化碳、水蒸汽的气体的通过具有 阻隔作用。可赋予无机涂布材料优异的阻隔效果，如可通过将金属或陶瓷材料沉积到膜幅 面上实现。尤其是铝适用于金属涂布。氧化硅或氧化铝尤其适于陶瓷材料的沉积。所以， 在本发明构思的一个实施方案中，设定涂布室具有用于将陶瓷阻隔层沉积到膜幅面上的机 构。
[0034] 此外，可设定涂布室具有用于预处理承载膜的离子源，其是下述的离子源：惰性气 体，如氩，和/或反应性气体，如烃和不饱和烃的气体、氧、氮和气态氮化合物、卤素、氨、笑 气、环氧乙烷等。对于膜预处理，优先选择氩-氧离子源，而且尤其是提供一个或多个离子 源用于膜幅面的预处理。有利地，所述处理从涂布侧，从膜的一侧进行。有利地，用于预处 理膜的机构设置在涂布室中。反应性气体理解为在电离之后能够与膜材料形成化合物的那 些气体。可由此区分惰性气体。诚然，惰性气体以它们的电离形式能够对膜材料进行化学 改性，尤其膜材料的表面；但是，惰性气体它们本身不能与膜材料形成稳定的化合物。
[0035] 另外，涂布室具有涂布区，其中附接着一个或多个离子源用于帮助陶瓷阻隔材料 沉积到承载膜上。优选地，使用氩/氧混合物来产生电离气体。
[0036] 此外，可以想到在涂布材料中提供至少一种沉积材料或蒸发材料，用于沉积陶瓷 阻隔层，例如氧化铝层或二氧化硅层。基于硅和氧的蒸发材料，尤其是硅（Si)、低氧化硅 (SiOx)或二氧化硅（Si0 2)的混合物是优选的，通过其可将Si和/或SiOx蒸发并且沉积到 膜幅面上。硅/二氧化硅混合物的蒸发优选地在下述温度下进行 ：100(rc至1500°C，1250°C 至1500°〇，12001：±1001：，13001：±1001：，尤其是12501：。尤其可想到的是以例如50 :50 的混合比使用Si和Si02的混合物作为用于涂布的起始材料。然而，该混合比一般可以是 可变的并且可按需选择。供选择的可用来产生陶瓷气体阻隔层的陶瓷阻隔材料的沉积方法 是溅射、等离子体增强的化学气相沉积（PECVD)和物理气相沉积（PVD)。
[0037] 对于优选的陶瓷硅层的沉积方法，使用氧化硅（SiOx)的混合物作为起始材料，考 虑二氧化娃的化学计量组成来对其施加：SiOx,其中x = 0至2 ;优选地，其中x = 0. 5至1. 7 或 x = 0? 7 至 1. 3 或 x = 0? 9±0. 2 或 x = 1. 0±0. 2 或 1. 1±0. 2 或 x = 1. 7±0. 2。另外， 可想到的是相当比例的元素Si或Si02存在于氧化硅的混合物中。
[0038] 另外，可以将至少一个用于测量涂布厚度的机构和/或至少一个冷却的涂布辊设 置在涂布室内或外，冷却的涂布辊优选在-70°C至+70°C的温度范围内可操作。
[0039] 尤其有利地设定，使用该装置可进行根据权利要求11至17之一所述的方法并且 可制造具有权利要求18至20的特征的膜。
[0040] 优选地，根据本发明的方法和/或同时使用根据本发明的装置制造根据本发明的 膜。根据权利要求18或权利要求19的膜和任选的所述膜的有利的实施方案可根据权利要 求11至17之一的方法或根据该方法另一有利的方面和/或在根据权利要求1至10之一 的装置或根据该装置另一有利的方面来制造。
[0041] 本发明还涉及具有权利要求11的特征的方法。所以，设定制造具有优选陶瓷的阻 隔层、无粘合剂的气体阻隔膜的方法包括下述步骤：
[0042] _任选地，挤出塑料熔体，以形成承载膜；
[0043]-将承载膜输送到，尤其是在线输送到至少一个锁定系统；
[0044] _将承载膜通过锁定系统引入至涂布室中；
[0045] _将阻隔层沉积到承载膜上；
[0046] _任选地，送出膜幅面；
[0047] -通过施加塑料熔体，例如在熔体挤出涂布工艺之后，涂布优选的陶瓷阻隔层，尤 其是在线，即在膜输送没有任何中断的情况下涂布优选的陶瓷阻隔层。
[0048] 该方法有利的实施方案是从属权利要求的主题。
[0049] 如果在涂布室中在提供的压力条件下用阻隔层涂布膜幅面，则优选地规定，将膜 幅面从高压侧通过锁定系统输送至涂布室的低压侧。
[0050] 优选地，在根据本发明的方法中进行阻隔膜的制造，而通过沉积无机、金属或陶瓷 阻隔材料实现阻隔作用。
[0051] 如上文已经详细描述的，本发明共同的和主要的益处和技术效果也源自可使用挤 出涂布的工艺步骤来提供无粘合剂的，优选的陶瓷气体阻隔膜的方法。
[0052] 下述步骤能够在方法开始时在线进行，以获得承载膜：
[0053] -通过至少一个挤出喷嘴挤出至少一种塑料熔体，用于制造至少一个承载膜或一 个基底膜；和
[0054] _将挤出的膜运输至涂布室。
[0055] 可设定膜的输送速度是至少3m/min，尤其是在30m/min至45m/min之间，进一步尤 其是在30和300m/min之间，或高达240m/min，或高达150m/min及以下，尤其是最大值为 300m/min，优选的最大值高达60m/min。
[0056] 此外，第一和/或第二锁定系统具有至少一个辊锁和/或至少一个狭缝锁。
[0057] 此外，可想到的是设置多个各自形成压力等级的抽吸室和/或在抽吸室之后设置 至少一个脱气室。
[0058] 也可通过多个抽吸阶段逐步施加真空，从而通过从大气压至优选的KT6mbar的终 压力的压降在整个锁定系统中出现真空。
[0059] 此外，在涂布室中能够通过使用至少一个离子源照射进行膜预处理，所述离子源 是诸如氩的惰性气体和/或反应性气体的离子源，反应性气体如烃和不饱和烃的气体；氧； 氮和气态氮化合物如氨；笑气；卤素，例如氯、溴、碘、氟；环氧乙烷等。可在涂布条件下与进 一步的对应反应物，尤其是与涂布材料形成化合物的那些气体视为反应性气体。优选地，选 择氩-氧离子源用于膜预处理，尤其提供一个或多个离子源用于预处理膜幅面。有利地，从 涂布侧，从膜的一侧进行处理。有利地