利的氧化硅的化学计量组成是Si0, 2_,9。
[0139] 用于包含碳酸氢盐的溶液的膜的优选的阻隔作用至少应当具有至多如下的对C02 的渗透性：
[0140]
【主权项】
1. 一种用于制造无粘合剂的气体阻隔膜的装置（100)，其包括：输送机构，其用于输送 膜幅面；至少一个第一锁定系统（135)，其用于将所述膜幅面引入所述装置（100)的涂布室 (130)中；至少一个第一涂布机构（170U80)，借助第一涂布机构，所述膜幅面可W通过在 涂布室（130)中沉积阻隔材料被至少部分涂布；和任选的至少一个第二锁定系统（200)，其 用于将所述膜幅面（30'）送出所述涂布室（130);和至少一个第二涂布机构（240)，借助该 第二涂布机构，所述涂布的膜幅面可W通过塑料烙体的挤出被至少部分涂布。
2. 根据权利要求1所述的装置（100)，其中在所述涂布室中存在比所述涂布室之外 低的压力，并且提供第一锁定系统（135) W将所述膜幅面从高压侧引至所述涂布室的低压 侦和提供任选的第二锁定系统（200)，W将所述膜幅面从低压侧送出至高压侧。
3. 根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置（100)，其特征在于所述装置（100) 具有至少一个用于挤出至少一种塑料烙体的挤出喷嘴，而所述膜幅面（30)得自所述塑料 烙体；和一个或多个親，其用于输送得自所述挤出的塑料烙体的所述膜幅面（30)。
4. 根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置（100)，其特征在于所述膜幅面（30) 可W W至少3m/min,尤其是在30m/min和45m/min之间，进一步尤其是在30和300m/min之 间，或高达240m/min，或高达150m/min及W下，尤其是最大值为300m/min，优选高达60m/ min的输送速度来输送。
5. 根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置（100)，其特征在于所述第一和/或 所述任选的第二锁定系统（135、200)具有至少一个親锁（140、210)和/或至少一个狭缝锁 (160、220)。
6. 根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置（100)，其特征在于一个或多个抽吸 室（150)设置在所述第一锁定系统中和/或一个或多个抽吸室设置在所述任选的第二锁定 系统（135)中。
7. 根据前述权利要求中一项或多项所述的装置（100)，其特征在于所述涂布室具有用 于将陶瓷阻隔层沉积到所述膜幅面上的机构。
8. 根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置（100)，其特征在于所述涂布室 (130)具有用于膜预处理的离子源（190)，所述离子源（190)为惰性气体和/或反应性气体 的离子源，优选为氮和氧的离子源，和/或所述涂布室（100)具有涂布区，其中设置一个或 多个可处理所述膜幅面（30)的离子源（180)，所述离子源（180)同样优选是惰性气体和反 应性气体的离子源，尤其是氮和氧的离子源。
9. 根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置（100)，其特征在于所述涂布室 (130)中设置至少一种基于娃和氧的蒸发材料，尤其是Si蒸发材料和/或SWx蒸发材 料，由此Si和/或Si化可W被蒸发并且被沉积到所述膜幅面上，和其中进一步优选地， 所述沉积在下述温度下进行；l〇〇〇°C至150(TC或125(TC至150(TC或120(TC ±10(TC或 1300°C ±10(TC，尤其是 1250°C。
10. 根据前述权利要求中的一项或多项所述的装置（100)，其特征在于所述涂布室 (130)中设置至少一个冷却的涂布親，所述冷却的涂布親优选在-7(TC至巧(TC的温度范围 下可操作。
11. 一种制造无粘合剂的气体阻隔膜的方法，该方法包括W下步骤： -任选地，挤出塑料烙体W形成承载膜； -将承载膜（30)输送到，尤其是在线输送到至少一个锁定系统（135); -将所述承载膜（30)通过所述锁定系统（135)引入涂布室（130)中； -将阻隔层沉积到所述承载膜（30)上； -任选地，通过锁定系统（200)送出所述膜（30);和 -通过施加塑料烙体来涂布所述阻隔层，尤其是在线涂布所述阻隔层。
12. 根据权利要求11所述的方法，其特征在于下述步骤在所述方法开始时在线进行， W获得所述承载膜（30): -将至少一种塑料烙体通过至少一个用于制造至少一种承载膜（30)的挤出喷嘴挤出； 和 -将所述获得的挤出的膜输送至所述涂布室。
13. 根据权利要求11或权利要求12所述的方法，其特征在于所述膜的输送速度是至少 3m/min,尤其是在30m/min和45m/min之间，进一步地尤其是在30和300m/min之间，或高 达240m/min，或高达150m/min及W下，尤其是最大值为300m/min，优选的最大值高达60m/ min。
14. 根据前述权利要求11至13中的一项或多项所述的方法，其特征在于设置一个或多 个各自形成压力等级的抽吸室（115);并且在于在所述抽吸室（115)之后设置至少一个脱 气室（120)。
15. 根据前述权利要求11至14中的一项或多项所述的方法，其特征在于在所述涂布室 (130)中通过用至少一个离子源照射进行膜预处理，其中优选地，所述离子源是惰性气体和 /或反应性气体的离子源，尤其是氮和氧的离子源，和/或所述涂布室（130)具有涂布区，所 述涂布区中设置一个或多个用来处理所述膜幅面（30)的离子源（180)，其中优选地，所述 离子源（180)是惰性气体和/或反应性气体的离子源，尤其是氮和氧的离子源。
16. 根据前述权利要求11至15中的一项或多项所述的方法，其特征在于将基于娃和 氧的蒸发材料，尤其是Si和/或SWx在所述涂布室（130)中蒸发并且沉积到所述膜幅面 上，其中进一步优选地，所述沉积在下述温度下进行；l〇〇(TC至150(TC或125CTC至150(TC 或 1200°C ±10(TC，或 1300°C ±10(TC，尤其是 1250°C。
17. 根据前述权利要求11至16中的一项或多项所述的方法，其中优选地，所述膜幅面 的冷却在-7〇°C至巧(TC的温度范围内通过冷却親进行。
18. -种多层的无粘合剂的气体阻隔膜，其包括： ?包括一种或多种热塑性材料的、具有单层或多层设计的承载膜，所述热塑性材料选自 聚帰姪、聚醋、聚醜胺、热塑性弹性体、热塑性聚氨醋和热塑性聚帰姪； ?陶瓷阻隔层； ?设置在所述阻隔层上的单层或多层的塑料材料的顶层，所述塑料材料选自聚帰姪、热 塑性弹性体、聚醋或聚醜胺、TPU， 其中在所述顶层和所述阻隔层之间没有设置粘合剂层的情况下，通过将聚合物烙体施 加到所述气体阻隔层上来施加所述顶层。
19. 根据权利要求18所述的多层气体阻隔膜，其特征在于所述承载层为10至300 y m， 尤其是20至250 y m，优选30-100 y m ;和/或在于所述气体阻隔层是包含低氧化娃Si化和 /或厚度为30至300皿，尤其是30至100皿，优选50皿的陶瓷层。
20. 根据权利要求18或权利要求19所述的多层气体阻隔膜，其特征在于所述气体阻隔 膜在根据权利要求1至10之一所述的装置中制造和/或根据权利要求11至17之一所述 的方法制造。
21. 根据权利要求1至10之一所述的装置（100)在实施根据权利要求11至17之一所 述的方法中的用途，尤其是在制造根据权利要求18至20之一所述的多层气体阻隔膜中的 用途。
22. -次性物品，其包括根据权利要求18至20之一所述的多层气体阻隔膜和/或至少 部分由根据权利要求18至20之一所述的多层气体阻隔膜组成。
【专利摘要】本发明涉及用于制造无粘合剂的气体阻隔膜的装置，该装置包括：输送机构，其用于输送膜幅面；至少一个第一锁定系统，其用于将膜幅面引入该装置的涂布室中；至少一个第一涂布机构，借助该第一涂布机构，膜幅面可通过在涂布室中沉积阻隔材料被至少部分涂布；和任选的至少一个第二锁定系统，用于将膜幅面送出涂布室；和至少一个第二涂布机构，借助该第二涂布机构，涂布的膜幅面可通过塑料熔体的挤出被至少部分涂布。
【IPC分类】C23C14-00, C23C14-56, C23C14-10
【公开号】CN104685094
【申请号】CN201380048672
【发明人】D·汉塞尔, K·海尔曼, T·舒尔特, T·普法伊尔, B·布瑞特
【申请人】弗雷森纽斯医疗护理德国有限责任公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年9月16日
【公告号】DE102012018525A1, EP2898108A1, US20140087161, WO2014044378A1