射源12可以对应设置一个启闭装置，也可以将其中一个或几个溅射源设置启闭装置。
[0028]在溅射过程中，二次电子受电场E的作用在两个靶材121之间往返运动，溅射粒子(如Ar+)在电场E的作用下轰击靶材121的表面，将靶材121溅射出来。当高能二次电子具有平行于靶材121的溅射面以外的分速度时，该二次电子受磁场B的洛仑兹力作用，平行于靶材121的溅射面作圆周运动。也就是说，二次电子在电场E和磁场B的作用下作螺旋形的往返运动。在电场E和磁场B的作用下，既能将等离子体被紧紧地约束在两个靶材121之间，又能实现高速溅射。
[0029]需要说明的是，本实施例溅射系统包括一对溅射源12。实际上，溅射系统可以包括两对或更多对溅射源12。溅射源12可以设置在腔室11的侧壁，也可以设置在腔室的顶壁或底壁，只要将每对溅射源12中的靶材121的溅射面相对设置，每对溅射源12中的磁铁组件122的极性相反。在使用过程中，将溅射源12设于腔室11的侧壁便于维护和保养。
[0030]基座13用于承载和传输基片。如图2所不,基座13包括基片台131、传动机构132和驱动机构133，基片台131用于承载基片18，传动机构132的两端分别连接驱动机构133的输出端和基片台131，驱动机构133的驱动基片台131上下运动。也就是说，基座13设于腔室11内的底部，并且能够进行上下升降运动。使用时，将基座13设于磁场B范围之夕卜，优选设于等离子体区域之外，更优选设于等离子体区域的边缘位置，以避免溅射过程高能电子轰击设于基座13承载面的晶片18，既降低了基片18的温度，实现低温溅射工艺；又能减少薄膜的损伤，从而提高薄膜的质量。
[0031]溅射系统还包括支撑针16和支撑针驱动部件20，支撑针驱动部件20驱动支撑针16上下运动，以将基片18放置于基座13的承载面(图中所示的上表面)或从基座13的承载面顶起。支撑针16和支撑针驱动部件20更有利于基片18的传输，以避免晶片18在传输过程中被损坏。
[0032]溅射系统还包括遮蔽环17，遮蔽环17设于基片18的边缘，用于防止损伤基座13。
[0033]在本实施例中，腔室11采用圆形结构，也可以采用方形或其它形状。溅射源12的靶材121可以采用方形靶，也可以采用其它形状。
[0034]本实施例溅射系统可以用于高速、低温、无损伤的制备IC领域的金属栅薄膜，封装领域的薄膜，LED领域的ITO (铟锡氧化物)薄膜，制备上述提及领域以及其它领域适于溅射实现的各类薄膜。
[0035]本实施例提供的溅射系统通过一对相对设置的溅射源，二次电子在两个靶之间往返运动，提高了靶材的溅射速率，从而提高了成膜的速率；基座设于等离子体区域之外，可以减少等离子体对基片的轰击，从而减少了薄膜的损伤，提高薄膜的质量，以及降低了基片的温度，实现低温溅射。
[0036]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种溅射系统，包括腔室、溅射源和基座，等离子体产生于所述腔室内，所述基座用于承载基片，其特征在于，包括至少一对所述溅射源，每对所述溅射源相对设置，所述基座设于所述腔室内且位于等离子体区域之外。
2.根据权利要求1所述的溅射系统，其特征在于，所述基座设于所述腔室内且位于等离子体区域的边缘。
3.根据权利要求1所述的溅射系统，其特征在于，所述溅射源包括靶材、磁铁组件和冷却装置，所述靶材的溅射面朝向所述腔室，且每对所述溅射源中的所述靶材的溅射面相对，所述磁体组件和所述冷却装置设于所述靶材的非溅射面，且每对所述溅射源中的所述磁铁组件的极性相反。
4.根据权利要求3所述的溅射系统，其特征在于，所述溅射源还包括直流电源，所述直流电源的负极与所述靶材电连接。
5.根据权利要求3所述的溅射系统，其特征在于，包括一对溅射源，所述溅射源设于所述腔室的侧壁。
6.根据权利要求5所述的溅射系统，其特征在于，还包括启闭装置，用于使所述溅射源与所述腔室分离和闭合。
7.根据权利要求1所述的溅射系统，其特征在于，还包括真空系统，用于调节所述腔室内的真空度。
8.根据权利要求1所述的溅射系统，其特征在于，还包括工艺气体供应系统，用于向所述腔室内提供所需的工艺气体。
9.根据权利要求1所述的溅射系统，其特征在于，所述基座包括基片台、传动机构和驱动机构，所述基片台用于承载基片，所述传动机构的两端分别连接所述驱动机构的输出端和所述基片台，所述驱动机构的驱动所述基片台上下运动。
10.根据权利要求9所述的溅射系统，其特征在于，还包括支撑针和支撑针驱动部件，所述支撑针驱动部件驱动所述支撑针上下运动，以将所述基片放置于所述基座的承载面或从所述基座的承载面顶起。
11.根据权利要求1所述的溅射系统，其特征在于，还包括遮蔽环，所述遮蔽环设于所述基片的边缘。
12.根据权利要求1所述的溅射系统，其特征在于，用于制备IC领域的金属栅薄膜或LED领域的ITO薄膜。
【专利摘要】本发明提供一种溅射系统，包括腔室、溅射源和基座，等离子体产生于所述腔室内，所述基座用于承载基片，包括至少一对所述溅射源，每对所述溅射源相对设置，所述基座设于所述腔室内且位于等离子体区域之外。该溅射系统溅射速率高，对薄膜的损伤小，以及可以实现低温溅射。
【IPC分类】C23C14-46
【公开号】CN104746031
【申请号】CN201310737548
【发明人】边国栋
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月29日