等离子体化学气相沉积装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及通过等离子体化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapordeposit1n)在要附着膜的对象物形成薄膜的等离子体化学气相沉积(CVD)装置。
【背景技术】
[0002]作为这种等离子体处理装置，在专利文献I中公开了如下的电感耦合方式的装置:以不环绕的方式终止，并向由短于高频的1/4波长的长度的线状或板状的导体构成的天线供给高频电力，来产生高频电场，并借助该电场产生等离子体，从而在基板面进行薄膜形成等表面处理。该装置在平面形状为矩形的真空容器的四边分别设置多个天线，并通过以并联方式向设置于四边的多个天线供给高频电力，来处理大面积的基板。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献1:日本特许第3751909号公报
[0005]然而，就专利文献I的等离子体处理装置而言，在将处理对象的基板送入真空容器内的工艺和从真空容器送出经处理的基板的工艺中，由于基板未被处理，因而存在使生产率下降的问题。
【发明内容】
[0006]本发明用于解决这种问题，其目的在于，提供能够提高等离子体化学气相沉积装置的生产率的技术。
[0007]为了解决上述问题，第一方案的等离子体化学气相沉积装置包括:腔室，保持搬运部，在上述腔室内，保持作为处理对象的基板，并沿着搬运路径相对搬运，至少一个电感耦合型天线，以与上述搬运路径相向的方式设置于上述腔室内，而且卷绕数小于一圈，高频电力供给部，用于向上述至少一个电感耦合型天线供给高频电力，以及气体导入部，用于向上述腔室内导入规定的气体；在从上述气体导入部向上述腔室内导入上述规定的气体，并从上述高频电力供给部向上述至少一个电感耦合型天线供给高频电力来产生等离子体的状态下，借助上述保持搬运部沿着上述搬运路径来搬运上述基板。
[0008]第二方案的等离子体化学气相沉积装置根据第一方案的等离子体化学气相沉积装置，具有:与上述搬运路径相向，并沿着上述搬运路径的方向设置于上述腔室内，而且卷绕数小于一圈的至少一个电感耦合型天线；在相对于上述至少一个电感耦合型天线的搬运路径的上游侧和下游侧分别设置分隔部件，上述分隔部件用于将上述腔室内的处理空间分隔为上述搬运路径的上游侧的空间和下游侧的空间。
[0009]第三方案的等离子体化学气相沉积装置根据第一方案的等离子体化学气相沉积装置，具有:与上述搬运路径相向，并沿着与上述搬运路径的方向交叉的规定的虚拟轴在上述腔室内排列成一列，而且卷绕数小于一圈的多个电感耦合型天线；使连接上述多个电感耦合型天线各自的两端部而得的线段的中心点配置于上述虚拟轴上，使得上述多个电感耦合型天线沿着上述虚拟轴排列成一列。
[0010]第四方案的等离子体化学气相沉积装置根据第三方案的等离子体化学气相沉积装置，沿着上述虚拟轴设置的多个电感耦合型天线各自的两端部配置于上述虚拟轴上。
[0011]第五方案的等离子体化学气相沉积装置根据第一方案至第四方案中任一方案的等离子体化学气相沉积装置，还包括至少一个磁场产生部，上述至少一个磁场产生部用于在上述腔室内的处理空间产生磁场。
[0012]第六方案的等离子体化学气相沉积装置根据第五方案的等离子体化学气相沉积装置，具有:与上述搬运路径相向，并沿着与上述搬运路径的方向交叉的规定的虚拟轴在上述腔室内排列成一列，而且卷绕数小于一圈的至少一个电感耦合型天线；具有磁场产生部，上述磁场产生部用于在上述腔室内的处理空间中的至少一部分空间产生磁场；上述至少一部分空间包括特定空间:该特定空间是指，相对于上述至少一个电感耦合型天线的两端部中的不与另一电感耦合型天线相邻的一端部，位于与另一端部相反的一侧的空间。
[0013]第七方案的等离子体化学气相沉积装置根据第五方案的等离子体化学气相沉积装置，具有:以与上述搬运路径相向的方式设置于上述腔室内，而且卷绕数小于一圈的至少一个电感耦合型天线；具有磁场产生部，上述磁场产生部用于在上述腔室内的处理空间中的至少一部分空间产生磁场；上述至少一部分空间包括位于上述至少一个电感耦合型天线的两端部分之间的空间。
[0014]第八方案的等离子体化学气相沉积装置根据第五方案的等离子体化学气相沉积装置，具有:与上述搬运路径相向，并沿着与上述搬运路径的方向交叉的规定的虚拟轴在上述腔室内排列成一列，而且卷绕数小于一圈的多个电感耦合型天线；具有磁场产生部，上述磁场产生部用于在上述腔室内的处理空间中的至少一部分空间产生磁场；上述至少一部分空间包括位于上述多个电感耦合型天线中的相邻的电感耦合型天线之间的空间。
[0015]第九方案的等离子体化学气相沉积装置根据第五方案的等离子体化学气相沉积装置，上述至少一个磁场产生部为电磁铁；还包括:电流供给部，以能够变更的方式向上述至少一个磁场产生部的线圈供给电流，以及控制部，用于控制上述电流供给部供给的电流。
[0016]根据本发明，能够向设置于腔室内且卷绕数小于一圈的电感耦合型天线供给高频电力，来以高密度产生等离子体电位低的等离子体，因而一边以高速搬运基板，一边利用等离子体来进行处理。因此，例如，若无需在沿着腔室的搬运路径的两端部，经由门将可真空排气的装载锁定室与卸载锁定室相连接等，来使腔室内的空气释放，也能送入和送出基板，则能够对于多个基板以连续且高速的方式进行包括基板的送入、利用等离子体的处理及送出的一系列的处理。由此，能够提高等离子体化学气相沉积装置的生产率。
【附图说明】
[0017]图1为示意性地示出实施方式的等离子体化学气相沉积装置的简要结构的图。
[0018]图2为用于说明沿着虚拟轴排列的电感耦合型天线和磁场产生部的配置的一例的图。
[0019]图3为示意性地示出图2的磁场产生部的简要结构的图。
[0020]图4为用于说明向图2的磁场产生部供给的电流的控制系统的图。
[0021]图5为用于说明磁场和等离子体的强度分布的关系的图。
[0022]图6为用于说明沿着虚拟轴排列的电感耦合型天线和磁场产生部的配置的其他例的图。
【具体实施方式】
[0023]以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在图中，对于具有相同的结构及功能的部分，标注相同的附图标记，并在以下说明中，省略重复说明。并且，各图为示意性地示出的，为了便于理解，各部的尺寸或数会有所夸张或被简化而示出。并且，在一部分图中，为了说明方向，适当添加XYZ直角坐标轴。该坐标轴中的Z轴的方向表示垂直线的方向，XY平面为水平面。并且，X轴及Y轴分别为与处理腔室I的侧壁平行的轴。
[0024]< 1.等离子体化学气相沉积装置100的整体结构>
[0025]图1为示意性地示出实施方式的等离子体化学气相沉积装置100的简要结构的图。等离子体化学气相沉积装置100为通过等离子体化学气相沉积(plasma-enhancedchemical vapor deposit1n)在要附着膜的对象物(在这里，例如为基板9)形成薄膜的装置。
[0026]等离子体化学气相沉积装置100包括:处理腔室1，用于在内部形成处理空间V ;保持搬运部2，保持并搬运基板9 (具体为，设置于搬运器90的基板9);加热部3，用于加热基板9 ;等离子体产生部4，用于在处理空间V产生等离子体；以及分隔部件5。并且，等离子体化学气相沉积装置100包括:高频电力供给部45，用于向等离子体产生部4供给高频电力；以及磁场产生部31，用于在处理空间V内产生磁场。此外，即使等离子体化学气相沉积装置100不具有磁场产生部31，也并不意味着减损本发明的有用性。
[0027]并且，等离子体化学气相沉积装置100包括:气体导入部61，用于向腔室I内的处理空间V导入规定的气体；气体供给部6，用于向气体导入部61供给气体；以及排气部7，从处理空间V排出处理空间V的气体。并且，等离子体化学气相沉积装置100具有用于控制如上所述的各结构要素的控制部8。
[0028]<处理腔室I >
[0029]处理腔室I为呈长方体形状的外形的中空部件，在上述处理腔室I的内部形成处理空间V。处理腔室I的顶板11以使得其下表面111处于水平姿势的方式配置，从上述下表面111朝向处理空间V，突出设置电感耦合型天线41及分隔部件5。并且，在处理腔室I的底板附近配置有加热部3。并且，在加热部3的上侧，规定基于保持搬运部2的基板9的搬运路径Yl。搬运路径Yl的延伸方向为Y轴方向，搬运路径Yl的基板9的搬运方向为+Y方向。在沿着搬运路径Yl的腔室I的两端部中的搬运方向上游侧的端部设有送入口 121，上述送入口 121用于将基板9送入腔室I内，在搬运方向下游侧的端部设有送出口 122，上述送出口 122用于向腔室I外送出基板9。在上游侧的送入口 121设有门(“送入门”)123，在下游侧的送出口 122设有门(“送出门”)124。门123、124可在打开和关闭状态之间进行切换。并且，送入口 121、送出口 122构作为装载锁定室或卸载锁定室等其他腔室的开口部能够以保持气密的形态连接。
[0030]〈保持搬运部2>
[0031]在这里，作为要附着膜的对象物的基板9处于设置于板状的搬运器90的上表面的状态。保持搬运部2将经由处理腔室I的送入口 121导入处理空间V的搬运器90 (即，设有基板9的搬运器90)保持为水平姿势，并沿着在处理空间V内规定的水平的(即，与顶板11的下表面111平行的)搬运路径Yl相对搬运上述搬运器90。
[0032]具体地，例如，保持搬运部2包括:一对搬运辊21，沿着搬运路径Yl相向配置；以及驱动部(省略图示)，用于使上