使用时，把晶片4固定好待抛光的一面，用连接吸附膜片8上的膜片粘附层9覆盖在晶片4的另一面，作业时避免气泡产生;或者将连接吸附膜片8固定好，把晶片4通过平铺或者键合的方式固定在膜片黏附层9上。
[0041]抛光时，将连接吸附膜片8吸附在吸附衬垫7上，利用保护边沿6对连接吸附膜片8、膜片黏附层9以及晶片4进行保护，防止连接吸附膜片8在抛光过程中滑出模板壳体5外，如图5所示;抛光结束后，对晶片4与膜片黏附层9进行解粘性处理，如图6所示，如光照10(如紫外光)照射，加热等处理，可以快速取下晶片4，实现晶片4与连接吸附膜片8以及模板壳体5的分离。
[0042]如图7、图8和图9所示，所述晶片固定体包括吸附固定膜片11，所述吸附固定膜片11内设置若干允许晶片4嵌置并与所述晶片4相适配的晶片吸附固定孔，且吸附固定膜片11能与吸附衬垫7真空吸附连接。
[0043]所述晶片吸附固定孔呈方形或圆形，吸附固定膜片11的厚度为10μπι~5πιπι，所述吸附固定膜片11的厚度不大于晶片4的厚度。
[0044]本发明实施例中，晶片固定体还可以采用吸附固定膜片11的形式，吸附固定膜片11可为软质膜片或硬质膜片;吸附固定膜片11为软质膜片时，吸附固定膜片11可以是聚乙烯，聚四氟乙烯等有机物组成的有机膜;吸附固定膜片11为硬质膜片时，吸附固定膜片11可以是硅片，玻璃，钢化塑料等材质组成的膜。此外，吸附固定膜片11还可以分为平面膜片或网格状膜片，当吸附固定膜片11为网格状膜片时，吸附固定膜片11可以是镂空的，也可以是一面平面，一面网格。晶片吸附固定孔可以贯通吸附固定膜片11，也可以从吸附固定膜片11的一表面向内凹陷形成，具体可以根据需要进行选择，只要能够满足晶片4嵌置后与所述连接吸附膜片11保持固定即可。
[0045]晶片吸附固定孔呈方形或圆形，晶片吸附固定孔的大小和形状跟待加工晶片4相同或者大ΙΟμπι?1_，槽可以是圆形的也可以是方形的等等，作业时，先把吸附固定膜片11置入模板壳体5内并与吸附衬垫7吸附连接，然后把晶片4嵌在晶片吸附固定孔内即可。图8为利用晶片吸附固定孔固定方形晶片4的情况，图9为利用晶片吸附固定孔固定圆形晶片4的情况。
[0046]—般地，吸附固定膜片11的厚度不大于晶片4的厚度，如图10、图11以及图12所示。吸附固定膜片11直接与吸附衬垫7相互吸附，吸附固定膜片11位于模板壳体5内，位于保护边沿6的保护范围内，避免在抛光时，滑出模板壳体5外，吸附固定膜片11的尺寸与吸附衬垫7相当，在对晶片4抛光时，能够有效减少吸附固定膜片11与吸附衬垫7之间的相对滑动，通过吸附固定膜片11与吸附衬垫7之间的配合，能够有效实现多种晶片4抛光的需要。
[0047]如图13、图14所示，所述晶片固定体还包括连接定位膜片12以及与所述连接定位膜片12固定的吸附固定片13，所述连接定位膜片12内设置若干允许晶片4前置并与所述晶片4相适配的晶片连接定位孔，所述吸附固定片13能真空吸附在吸附衬垫7上。
[0048]所述晶片连接定位孔呈方形或圆形，连接定位膜片12的厚度为ΙΟΟμπι?1mm，所述吸附固定片13包括用于与晶片4以及连接定位膜片12固定的吸附粘附层，所述吸附粘附层与用于与吸附衬垫7真空吸附连接的吸附连接片。
[0049]本发明实施例中，晶片固定体还可以采用连接定位膜片12以及吸附固定片13的配合形式，连接定位膜片12内具有晶片连接定位孔，连接定位膜片12的具体实施结构可以采用吸附固定膜片11的形式，具体可以参考吸附固定膜片11的说明，此处不再赘述。吸附固定片13为吸附粘附层以及吸附连接片的复合结构，吸附连接片的具体结构形式可以采用连接吸附膜片8的形式，吸附粘附层可以采用膜片黏附层9的具体形式，具体可以参考连接吸附膜片8以及膜片粘附层9的具体说明，此处不再赘述。
[0050]使用时，将晶片4嵌入连接定位膜片12的晶片连接定位孔内，固定好晶片4待抛光的一面，用吸附粘附层覆盖晶片4以及连接定位膜片12相对应的表面，作业时避免气泡产生;或者固定好吸附连接片，把连接定位膜片12和晶片4通过键合的方式固定在吸附粘附层上。
[0051]抛光时，将吸附连接片吸附在吸附衬垫7上，利用保护边沿6对连接定位膜片12以及吸附固定片13进行保护，防止其在抛光过程中滑出模板壳体5;抛光结束后，对晶片4与吸附固定片13间进行解粘性处理，可以快速取下晶片4。
[0052]综上，本发明晶片真空吸附模板的晶片固定方法，具体为:将待抛光的晶片4与晶片固定体固定连接，所述晶片固定体采用真空吸附方式吸附在吸附衬垫7上，且与所述晶片固定体连接的晶片4位于保护边沿6的保护范围内。
[0053]本发明将待抛光的晶片4通过晶片固定体与吸附衬垫7连接，晶片固定体与模板壳体5相适配，能够有效减少晶片4抛光过程中的滑动;通过晶片固定体能满足任意尺寸以及形状的晶片4连接固定需求，且在晶片4抛光后，能快速分离，结构紧凑，与现有工艺相兼容，缩短加工周期，降低加工成本，适应范围广，安全可靠。
[0054]对本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0055]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种晶片真空吸附模板，包括外圈具有保护边沿(6)的模板壳体(5)以及位于所述模板壳体(5)内的吸附衬垫(7);其特征是:还包括用于固定晶片(4)且与模板壳体(5)适配的晶片固定体，所述晶片固定体能与吸附衬垫(7)真空吸附连接，且晶片固定体与吸附衬垫(7)真空吸附连接后，与所述晶片固定体连接的晶片(4)位于保护边沿(6)的保护范围内。2.根据权利要求1所述的晶片真空吸附模板，其特征是:所述晶片固定体包括连接吸附膜片(8)以及位于所述连接吸附膜片(8)上具有分解能力的膜片黏附层(9)，晶片(4)能与膜片黏附层(9)固定连接，连接吸附膜片(8)能真空吸附在吸附衬垫(7)上。3.根据权利要求2所述的晶片真空吸附模板，其特征是:所述连接吸附膜片(8)的厚度为I Ομπι?5mm，膜片黏附层(9 )的厚度为10μηι~300μηι ；所述膜片黏附层(9 )的分解能力包括光解性或热解性。4.根据权利要求1所述的晶片真空吸附模板，其特征是:所述晶片固定体包括吸附固定膜片(11)，所述吸附固定膜片(11)内设置若干允许晶片(4)嵌置并与所述晶片(4)相适配的晶片吸附固定孔，且吸附固定膜片(11)能与吸附衬垫(7)真空吸附连接。5.根据权利要求4所述的晶片真空吸附模板，其特征是:所述晶片吸附固定孔呈方形或圆形，吸附固定膜片(11)的厚度为10ym~5mm，所述吸附固定膜片(11)的厚度不大于晶片(4)的厚度。6.根据权利要求1所述的晶片真空吸附模板，其特征是:所述晶片固定体还包括连接定位膜片(12)以及与所述连接定位膜片(12)固定的吸附固定片(13)，所述连接定位膜片(12)内设置若干允许晶片(4)前置并与所述晶片(4)相适配的晶片连接定位孔，所述吸附固定片(13)能真空吸附在吸附衬垫(7)上。7.根据权利要求6所述的晶片真空吸附模板，其特征是:所述晶片连接定位孔呈方形或圆形，连接定位膜片(12 )的厚度为I OOym^lmm，所述吸附固定片(13)包括用于与晶片(4)以及连接定位膜片(12)固定的吸附粘附层，所述吸附粘附层与用于与吸附衬垫(7)真空吸附连接的吸附连接片。8.—种晶片真空吸附模板的晶片固定方法，其特征是:将待抛光的晶片(4)与晶片固定体固定连接，所述晶片固定体采用真空吸附方式吸附在吸附衬垫(7)上，且与所述晶片固定体连接的晶片(4)位于保护边沿(6)的保护范围内。9.根据权利要求8所述的晶片真空吸附模板的晶片固定方法，其特征是:所述晶片固定体包括连接吸附膜片(8)以及位于所述连接吸附膜片(8)上具有分解能力的膜片黏附层(9)，晶片(4)能与膜片黏附层(9)固定连接，连接吸附膜片(8)能真空吸附在吸附衬垫(7)上。10.根据权利要求8所述的晶片真空吸附模板的晶片固定方法，其特征是:所述晶片固定体包括吸附固定膜片(11)，所述吸附固定膜片(11)内设置若干允许晶片(4)嵌置并与所述晶片(4)相适配的晶片吸附固定孔，且吸附固定膜片(11)能与吸附衬垫(7)真空吸附连接。
【专利摘要】本发明涉及一种晶片固定装置及固定方法，尤其是一种晶片真空吸附模板及方法，属于晶片抛光的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述晶片真空吸附模板，包括外圈具有保护边沿的模板壳体以及位于所述模板壳体内的吸附衬垫；还包括用于固定晶片且与模板壳体适配的晶片固定体，所述晶片固定体能与吸附衬垫真空吸附连接，且晶片固定体与吸附衬垫真空吸附连接后，与所述晶片固定体连接的晶片位于保护边沿的保护范围内。本发明结构紧凑，与现有工艺相兼容，能实现多种晶片的固定，缩短加工周期，降低加工成本，适应范围广，安全可靠。
【IPC分类】B24B37/30
【公开号】CN105619240
【申请号】CN201610040623
【发明人】夏秋良
【申请人】苏州新美光纳米科技有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年1月21日