一种emi屏蔽膜磁控卷绕镀膜机的制作方法
【专利摘要】本发明属于镀膜设备技术领域，具体公开EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机，包括真空室体、门体及靶室，所述真空室体内设有卷绕辊系，所述靶室内设有平面磁控靶系统，所述低温镀膜辊部分地置于靶室内，所述平面磁控靶系统包括若干靶工作区间，至少有一靶工作区间内设有若干对平面磁控靶，相邻的靶工作区间通过分隔板进行分隔，且各平面磁控靶围绕低温镀膜辊排布且与低温镀膜辊表面等距离设置。该镀膜机可以实现一次走膜，多靶同时工作，能极大地提高总体沉积速率，还可以满足一次镀制多种材料多层膜的需求，此外，还可以达到较低温度，有效排走热量，确保被镀膜的柔性基材不会受热变形。
【专利说明】
一种EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机
技术领域
[0001]本发明属于高真空连续卷绕镀膜设备技术领域，具体涉及一种EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机。
【背景技术】
[0002]EMI即电磁干扰，是电子装置在工作时发出的电磁波，对附近电子元件或装置产生干扰，通常，为了确保装置的正常工作，必须隔绝这些外来影响因素。
[0003]消除电磁干扰，最常见采用电磁屏蔽。目前电磁屏蔽的方法很多，具体可以是如下的方法:金属编织套管、导电漆或膜、锡箔、铜纸或金属盒子，上述各屏蔽方法有一个共同特点，就是连续的导电层，将电磁波通过接地线引导到地上，从而消除干扰。
[0004]受制作方法限制，上述导电层的厚度均较厚，其厚度范围在毫米数量级，至少也要十微米以上，成本较高；同时在微小型元件、装置及一些特殊用品中，是无法使用上述的屏蔽方法。
[0005]而在薄膜制作中，真空镀膜技术可生产很薄的薄膜。最常用的方法为电阻蒸发镀膜，主要蒸镀低熔点材料，如纯铝，这一方法无法蒸镀高熔点材料或复合多组份材料。
[0006]磁控镀膜是真空镀膜技术的其中一种。磁控溅射原理是在正交电磁场的作用下，离子轰击靶材将其粒子溅射出来，沉积到附近的基膜上形成薄膜，由于是粒子之间的撞击作用，被撞击的靶材适用范围很广，并且温度不高。这样正好适用于塑料薄膜的镀膜应用。
[0007]金属材料采用磁控溅射方法制备的金属膜厚度可在几纳米到近微米，这样所应用的导电层只需达到几十纳米即可，就能使导电层做到足够薄，制作电磁屏蔽的磁控镀膜成本低，且能满足一些微小型元件、装置及一些特殊用品的需求。
[0008]因此，研发一种如何能得到较薄镀膜层的EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机变得尤为迫切。
【发明内容】
[0009]本发明的目的是克服现有技术的不足，公开一种EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机，该镀膜机可以实现一次走膜，多靶同时工作，能极大地提高总体沉积速率，还可以满足一次镀制多种材料多层膜的需求，此外，还可以达到较低温度，有效排走热量，确保被镀膜的柔性基材不会受热变形。
[0010]为了达到上述技术目的，本发明是按以下技术方案实现的:
[0011]本发明所述的一种EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机，包括真空室体、门体及靶室，所述真空室体内设有卷绕辊系和离子源，所述靶室内设有平面磁控靶系统，所述卷绕辊系包括保护膜依次卷绕的保护膜收卷辊、放卷辊、若干导辊、低温镀膜辊及收卷辊，所述低温镀膜辊部分地置于靶室内，所述平面磁控靶系统包括若干靶工作区间，至少有一靶工作区间内设有若干对平面磁控靶，相邻的靶工作区间通过分隔板进行分隔，且各平面磁控靶围绕低温镀膜辊排布且与低温镀膜辊表面等距离设置，所述卷绕辊系上连接有卷绕控制系统，所述真空室体内还设有充气分布及控制系统和离子清洗系统，所述靶室上连通有真空抽气机组。
[0012]在本发明中，根据靶工作区间的数目及各靶工作区间内是否设有平面磁控靶，可做如下两种形式:
[0013]第一，所述靶工作区间为四个，各靶工作区间内均设有一对平面磁控靶。
[0014]第二，所述靶工作区间为四个，置于中间的两个靶工作区间为不安装平面磁控靶的抽气分隔室，置于两边的靶工作区间内设有一对平面磁控靶。
[0015]在本发明中，所述靶室置于真空室体的一侧面位置，所述靶室与真空室体之间活动铰接，靶室与室体采用大型门铰联接，旋转打开靶室则可方便更换、维修靶材等。
[0016]在本发明中，所述真空室体内壁的左右两侧各为一侧板，所述卷绕辊系置于两侧板之间位置，不用拉出来，打开室门即可进行膜卷的装与卸。
[0017]在本发明中，所述真空室体外还设有气体质量流量计。
[0018]与现有技术相比，本发明的有益效果是:
[0019](I)本发明所述的卷绕镀膜机，由于其在低温镀膜辊的周围安装若干对平面磁控靶，可实现一次走膜，且通过多靶同时工作，能极大地提高总体沉积速率。此外，平面磁控靶也可单独工作，组成多种组合方式，因此其还可以满足一次镀制多层膜的需求；
[0020](2)本发明中，由于设有多个相互分隔开独立的靶工作区间，每对平面磁控靶各居一个区域，而且同一区域内可安装相同的靶材，也可安装不同靶材，使得不同区域间不产生干扰，可实现多种材料组成多层膜系；
[0021](3)本发明中，由于设有低温镀膜辊，可达到较低的温度，能迅速将靶粒子的热量带走，确保在大电流镀制厚膜时，也能有效排走镀膜时产生的热量，确保被镀膜的基片不会受热变形，提尚广品质量；
[0022](4)本发明中，由于配置高质量高灵敏的气体质量流量计，可精确控制工作气体或反应气体的充入量，并可灵活组合，满足不同的镀膜要求，适用性强。
【附图说明】
[0023]下面结合附图和具体实施例对本发明做详细的说明:
[0024]图1是本发明实施例一所述的EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机结构示意图；
[0025]图2是本发明实施例一中所述的靶室及靶工作区间的结构示意图；
[0026]图3是本发明实施例二所述的靶室及平面靶的结构示意图；
【具体实施方式】
[0027]实施例一:
[0028]如图1所示，本发明所述的一种EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机，包括真空室体1、门体2及靶室3，所述真空室体I内设有卷绕辊系4和离子源10，所述靶室内设有平面磁控靶系统，所述卷绕辊系4包括保护膜依次卷绕的保护膜收卷辊41、放卷辊42、四个导辊43、低温镀膜辊44及收卷辊45，所述低温镀膜辊44的右边一侧部分地置于靶室3内，所述平面磁控靶系统包括四个靶工作区间5，各靶工作区间5内设有一对平面磁控靶6，相邻的靶工作区间5通过分隔板7进行分隔，且各平面磁控靶6围绕低温镀膜辊44排布且与低温镀膜辊44表面等距离设置，所述卷绕辊系4上连接有卷绕控制系统(图中未示出)，所述真空室体I内还设有充气分布及控制系统及离子清洗系统(图中未示出)，所述靶室3上连通有真空抽气机组(图中未示出)。
[0029]所述靶室3置于真空室体I的一侧面位置，所述靶室3与真空室体I之间活动铰接，靶室3与室体采用大型门铰联接，旋转打开靶室3则可方便更换、维修靶材等。
[0030]所述真空室体I内壁的左右两侧各为一侧板11，所述卷绕辊系4两侧板11之间位置，不用拉出来，打开室门即可进行膜卷的装与卸，膜卷的拆装方便快捷。
[0031]此外，所述真空室体I外还配置有气体质量流量计，可精确控制工作气体或反应气体的充入量。并可灵活组合，满足不同的镀膜要求。
[0032]以下具体说明本发明所述的EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机的工作原理:
[0033](I)首先，基膜20从放卷辊42出来后，依次经过上面的两导辊43;
[0034](2)接着，基膜20进行离子清洗处理，一方面将基膜20表面污染的杂物清理干净，同时将表面活化，提高表面附着力；
[0035](3)最后，基膜20随后贴紧在低温镀膜辊44上，经过靶工作区间5后，靶材粒子在基膜20表面上沉积形成致密的镀膜层，此时多平面磁控靶6可以同时工作，从而达到一次镀制厚膜的效果。
[0036]实施例二:
[0037]本实施例与实施例一基本相同，其不同之处在于:所述靶工作区间5为四个，置于中间的两个靶工作区间5为不安装平面磁控靶6的抽气分隔室5’，置于两边的靶工作区间5内设有两个平面磁控靶6，这样，即可将前后区间的不同气体有效隔阻，达到互不影响的效果O
[0038]本发明并不局限于上述实施方式，凡是对本发明的各种改动或变型不脱离本发明的精神和范围，倘若这些改动和变型属于本发明的权利要求和等同技术范围之内，则本发明也意味着包含这些改动和变型。
【主权项】
1.一种EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机，其特征在于:包括真空室体、门体及靶室，所述真空室体内设有卷绕辊系和离子源，所述靶室内设有平面磁控靶系统，所述卷绕辊系包括保护膜依次卷绕的保护膜收卷辊、放卷辊、若干导辊、低温镀膜辊及收卷辊，所述低温镀膜辊部分地置于靶室内，所述平面磁控靶系统包括若干靶工作区间，至少有一靶工作区间内设有若干对平面磁控靶，相邻的靶工作区间通过分隔板进行分隔，且各平面磁控靶围绕低温镀膜辊排布且与低温镀膜辊表面等距离设置，所述卷绕辊系上连接有卷绕控制系统，所述真空室体内还设有充气分布及控制系统和离子清洗系统，所述靶室上连通有真空抽气机组。2.根据权利要求1所述的EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机，其特征在于:所述靶工作区间为四个，各靶工作区间内均设有一对平面磁控靶。3.根据权利要求1所述的EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机，其特征在于:所述靶工作区间为四个，置于中间的两个靶工作区间为不安装平面磁控靶的抽气分隔室，置于两边的靶工作区间内设有一对平面磁控靶。4.根据权利要求1所述的EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机，其特征在于:所述靶室置于真空室体的一侧面位置，所述靶室与真空室体之间活动铰接。5.根据权利要求1至4任一项所述的EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机，其特征在于:所述真空室体内壁的左右两侧各为一侧板，所述卷绕辊系置于两侧板之间位置。6.根据权利要求5所述的EMI屏蔽膜磁控卷绕镀膜机，其特征在于:所述真空室体外还设有气体质量流量计。
【文档编号】C23C14/54GK106011773SQ201610451005
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年6月20日
【发明人】潘振强, 梁凯基
【申请人】广东振华科技股份有限公司