专利名称：碳纳米管阵列的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种碳纳米管阵列的制备方法，尤其涉及采用激光辅助化学 气相沉积法制备碳纳米管阵列的方法。
背景技术：
碳纳米管是九十年代初才发现的一种新型一维纳米材料。碳纳米管的特
殊结构决定了其具有特殊的性质，如高抗张强度和高热稳定性；随着碳纳米 管螺旋方式的变化，碳纳米管可呈现出金属性或半导体性等。由于碳纳米管 具有理想的一维结构以及在力学、电学、热学等领域优良的性质，其在材料 科学、化学、物理学等交叉学科领域已展现出广阔的应用前景，在科学研究 以及产业应用上也受到越来越多的关注。
目前比较成熟的制备碳纳米管的方法主要包括电弧放电法(Arc discharge),激光烧蚀法(Laser Ablation)及化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition)。其中，化学气相沉积法和前两种方法相比具有产量高、可控性 强、与现行的集成电路工艺相兼容等优点，便于工业上进行大规模合成，因 此近几年备受关注。
用于制备碳纳米管的化学气相沉积法一般包括传统热化学气相沉积法 (Thermal Chemical Vapor Deposition, CVD )、等离子化学气相沉积法(Plasma Chemical Vapor Deposition ， PCVD)和激光辅助化学气相沉积法 (Laser-Induced Chemical Vapor Deposition, LICVD)。
现有的激光辅助化学气相沉积法一般以激光为快速加热热源，利用激光 束直接照射在生长所需的基底上使其温度升高，达到生长所需的温度。当含 碳反应气体流经高温基底表面时，受基底影响升温，通过与基底上的催化剂 作用，反应气体产生热解或化学反应，从而实现碳纳米管的生长。
然而，现有的激光辅助化学气相沉积法生长碳纳米管有以下不足之处 首先，该方法一般需要在一密封的反应炉内进行，并使得反应气体充满整个 反应空间，其设备较为复杂，且难以制作大型的反应炉用于在大面积玻璃基
板上通过化学气相沉积法生长碳纳米管。其次，该方法采用激光束直接正面 照射在碳纳米管生长所需的基底上，由于激光场强度较高，容易破坏碳纳米 管的生长。
因此，确有必要提供一种改进的激光辅助化学气相沉积法，其无需在密 封的反应室，且可尽量减少正面照射时激光对碳纳米管生长的破坏。
发明内容
以下，将以实施例说明 一种碳纳米管阵列的制备方法。
一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤提供一基底，该基底 包括相对的第一表面及第二表面；在上述基底第一表面形成一催化剂层；通 入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射 上述基底第二表面从而生长碳纳米管阵列。
相较于现有技术，本发明实施例碳纳米管阵列的制备方法采用激光束聚 焦后从基底反面照射生长碳纳米管阵列，可避免激光正面照射破坏新生长出
性质改变。另外，由于激光束聚焦后半径较小，催化剂被局部加热至所需生 长温度，且，碳源气被直接通入到催化剂表面附近，因此，本发明实施例碳 纳米管阵列的制备方法无需在一密封的反应室内进行，有利于简化设备、节 约能源。
图1为本发明实施例碳纳米管阵列的制造方法的流程示意图
照片
图3为本发明实施例采用光吸收层获得的碳纳米管阵列的扫描电镜照
片
具体实施例方式
下面将结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1，本发明实施例碳纳米管阵列的制备方法主要包括以下几个步骤
步骤一提供一基底，该基底包括相对的第一表面和第二表面。
本实施例中基底材料选用耐高温材料制成。根据不同应用，本实施例中 基底材料还可分别选用透明或不透明的材料，如，当应用于半导体电子器件 时可选择为硅、二氧化硅或金属材料等不透明材料；当应用于大面积平板显 示器时，优选为玻璃、可塑性有机材料等透明材料。
当选用透明材料时，基底本身厚度不影响本实施例碳纳米管阵列的生 长，其也可根据实际应用选择不同厚度。当选用不透明材料时，本实施例基 底厚度应做的比较薄，优选为小于100微米，以利于热量迅速传导。
步骤二在上述基底的第一表面均匀形成一催化剂层。
该催化剂层的形成可利用热沉积、电子束沉积或'减射法来完成。催化剂 层的材料选用铁，也可选用其它材料，如氮化镓、钴、镍及其合金材料等。 进一步地，可通过高温退火等方式氧化催化剂层，形成催化剂氧化物颗粒。
另外，本发明实施例催化剂层也可选用形成一种含碳的催化剂层，或者 在该催化剂层与基底之间预先形成一光吸收层。
当选用形成一种含碳的催化剂层时，该含碳的催化剂层的制备方法包括 以下步骤提供一种分散剂和一种含碳物质的混合物，并与一溶剂混合形成 溶液；将该溶液进行超声波处理分散；在该分散后的溶液中加入金属硝酸盐 混合物溶解得到一催化剂溶液；将该催化剂溶液均匀涂敷于基底的第一表 面；烘烤该涂敷有催化剂溶液的基底从而在基底的第一表面形成一含碳的催 化剂层。
其中，该含碳物质包括碳黑或石墨等含碳材料。该分散剂用于将含碳物 质均匀分散，优选为十二烷基苯磺酸钠(Sodium Dodecyl Benzene Sulfonate, SDBS)。溶剂可选择为乙醇溶液或水。该分散剂和含碳物质的质量比为 1:2 1:10,本实施例优选为将0 100毫克的十二烷基苯磺酸钠与100 500毫 克的石友黑混合物与乙醇溶液混合形成溶液。
该金属硝酸盐混合物包括硝酸镁(Mg(N03V6H20)与硝酸铁 (Fe(N03)3'9H20)、硝酸钴(Co(N03V6H20)或硝酸镍(Ni(N03)2'6H20)中任一种 或几种组成的混合物。本实施例优选为将硝酸铁(Fe(N03)3'9H20)和硝酸镁 (Mg(N03)2'6H20)加入到溶液中形成催化剂溶液，该催化剂溶液中含有
0.01~0.5摩尔/升(Mol/L)的硝酸镁和0.01~0.5Mol/L的硝酸铁。
烘烤的温度为60 100°C。烘烤的作用为将催化剂溶液中的溶剂蒸发从
而形成一含碳催化剂层。
本实施例中，该含碳的催化剂层的厚度为10~100微米。催化剂溶液涂
敷于基底表面可采用旋转涂敷的方式，其转速为1000 5000转/分(rpm),优
选为1500rpm。
另外，当选用在该催化剂层与基底之间预先形成一光吸收层时，该光吸 收层的制备方法包括以下步骤将一含碳材料涂敷于上述基底的第一表面， 该含碳材料要求能与基底表面结合紧密；在保护气体环境中，将涂敷有含碳 材料的基底逐渐加温到约30(TC以上，并烘烤一段时间；自然冷却到室温形 成一光吸收层于基底的第一表面。
本发明实施例中，保护气体可为氮气或惰性气体，含碳材料优选为目前 广泛应用于电子产品如冷阴极显像管中的石墨乳材料。进一步地，该石墨乳 可通过旋转涂敷方式形成于基底表面，其转速为1000 5000rpm，优选为 1500rpm。所形成的光吸收层的厚度为1 20微米。另外，烘烤的目的在于使 得含碳材料中的其他材料蒸发，如将石墨乳中的有机物蒸发。
进一步地，当使用光吸收层时，该催化剂层也可通过将一催化剂溶液涂 敷于光吸收层上形成，其具体步骤包括提供一催化剂乙醇溶液；将该催化 剂乙醇溶液涂敷于上述光吸收层表面。
本实施例中，该催化剂乙醇溶液为将金属硝酸盐混合物与乙醇溶液混合 形成。该金属硝酸盐混合物为贿酸镁(Mg(N03)2'6H20)和硝酸铁 (Fe(N03)3'9H20)、硝酸钴(Co(N03)2'6H20)或硝酸镍(Ni(N03V6H20)中任一种 或几种组成的混合物。优选地，该催化剂乙醇溶液为硝酸镁和硝酸铁组成的 混合物的乙醇溶液，溶液中硝酸铁的含量为0.01 0.5Mol/L，硝酸4美的含量 为0.01 0.5Mol/L。该催化剂乙醇溶液可通过旋转涂敷形成于光吸收层表面， 其转速优选为约1500rpm。所形成的催化剂层的厚度为1~100纳米。
步骤三通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂表面。
该碳源气优选为廉价气体乙炔，也可选用其它碳氢化合物如曱烷、乙烷、 乙烯等。载气气体优选为氩气，也可选用其他惰性气体如氮气等。本实施例 中，碳源气与载气可通过一气体喷嘴直接通入到上述催化剂层表面附近。载
气与石友源气的通气流量比例为5: 1~10: 1，本实施例优选为通以200标准毫 升/分(sccm)的氩气和25sccm的乙炔。
步骤四以激光束聚焦照射上述基底的笫二表面从而生长碳纳米管阵列。
本实施例中，激光束可通过传统的氩离子激光器或二氧化碳激光器产 生，其功率为0~5W，优选为470mW。产生的激光束可通过一透镜聚焦后从 正面直接照射在上述基底的第二表面，可以理解，该激光束可采用垂直照射 或倾斜照射聚焦于基底的第二表面上。
当激光束聚焦照射在基底第二表面时，由于本发明实施例采用厚度较薄 的不透明基底或透明基底，该激光束能量可迅速透过基底传递到催化剂层并 加热催化剂。反应预定时间后，由于催化剂的作用，以及激光束照射在基底 催化剂层上加热催化剂，通入到基底附近的碳源气在一定温度下热解成碳单 元(C-C或C)和氢气。其中，氢气会将被氧化的催化剂还原，碳单元吸附于 催化剂层表面，从而生长出碳纳米管。
本发明实施例中，由于采用激光聚焦反面照射基底生长碳纳米管阵列， 可有效避免激光束正面照射基底破坏碳纳米管阵列。且，激光束也不会和参 与碳纳米管生长反应的气体进行任何直接作用，不会对气体的性质产生影 响，进而破坏碳纳米管阵列的生长。
另外，本实施例中，利用含碳催化剂层或光吸收层吸收激光能量的作用， 该化学气相沉积法反应温度可低于600摄氏度。另外，该含碳催化剂层或光 吸收层可在反应过程中释放出碳原子促进碳纳米管的成核及生长。
另外，由于本发明实施例采用激光聚焦照射生长碳纳米管阵列，催化剂 局部温度在较短时间内能够被加热并吸收足够的能量，同时，碳源气为直接 通入到被加热的催化剂表面附近。因此，本发明实施例无需一密封的反应室， 即可同时保证生长碳纳米管阵列的催化剂附近达到所需的温度及碳源气的 密度，且，由于碳源气分解产生的氢气的还原作用，可确保氧化的催化剂能 够被还原，并促使碳纳米管阵列生长。
请参阅图2，当本发明实施例采用含碳的催化剂层时，采用聚焦后直径 范围在50~200微米的激光束垂直地从反面照射在玻璃基底的催化剂上约5 秒钟，可得到如图2所示的碳纳米管阵列。该碳纳米管阵列为山丘形状，且
垂直于玻璃基底生长。该碳纳米管阵列的直径为50 80微米，高度为10~20 微米。每个碳纳米管的直径为40 80纳米。
请参阅图3,当本发明实施例采用石墨乳层作为光吸收层时形成于基底 与催化剂层之间时，采用聚焦后直径范围在50-200微米的激光束垂直地从 反面照射在玻璃基底的催化剂上约30秒钟，可得到如图3所示的碳纳米管 阵列。该碳纳米管阵列为山丘形状，且垂直于基底生长。该碳纳米管阵列的 直径为100~200微米，高度为10 20微米。每个碳纳米管的直径为10 30纳 米。
进一步地，本实施例激光辅助化学气相沉积法生长碳纳米管阵列过程 中，可通过控制移动激光束扫描照射在基底的催化剂层上，可实现大面积基 底上生长碳纳米管阵列。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依 据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
权利要求
1. 一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤提供一基底，该基底包括相对的第一表面及第二表面；在上述基底第一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射上述基底第二表面从而生长碳纳米管阵列。
2. 如权利要求l所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该基底材料 为硅、氧化硅或金属，其厚度小于100微米。
3. 如权利要求l所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该基底材料 为玻璃或可塑性有机材料。
4. 如权利要求l所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂层 为含碳的催化剂层，其制备方法包括以下步骤提供一种分散剂和 一种含碳物质的混合物； 将该混合物与 一溶剂混合形成溶液； 将该溶液进行超声波处理分散；在该分散后的溶液中加入金属硝酸盐混合物溶解得到一催化剂溶液； 将该催化剂溶液均匀涂敷于基底表面；以及烘烤该涂敷有催化剂溶液的基底从而在基底表面形成一含碳的催化剂层。
5. 如权利要求4所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该含碳物质 为碳黑或石墨，该分散剂为十二烷基苯磺酸钠。
6. 如权利要求5所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该分散剂与 含碳物质的质量比为1:2 1:10。
7. 如权利要求4所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该金属硝酸 盐混合物为硝酸镁与辨酸铁、硝酸钴或硝酸镍中任一种或几种组成的混合 物。
8. 如权利要求4所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该溶剂为乙醇溶液或水。
9. 如权利要求4所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂层 的厚度为10 100微米。
10. 如权利要求l所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，进一步包括先形成一光吸收层于基底第一表面，催化剂层形成于该光吸收层表面。
11. 如权利要求10所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该光吸收 层的形成包括以下步骤形成一含碳材料层于上述基底表面；在氮气环境中，将涂敷有含碳材料的基底逐渐加温到300℃以上并烘 烤；以及自然冷却到室温形成一光吸收层于基底表面。
12. 如权利要求ll所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该含碳材 料为石墨乳。
13. 如权利要求12所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该石墨乳 层采用旋转涂敷形成于基底表面。
14. 如权利要求10所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该光吸收 层的厚度为1 20微米。
15. 如权利要求10所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂 层的形成包括以下步骤提供一催化剂溶液；以及 将该催化剂溶液涂敷于上述光吸收层表面。
16. 如权利要求15所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂溶液为含有金属硝酸盐混合物的乙醇溶液。
17. 如权利要求16所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该金属硝 酸盐混合物为硝酸镁和硝酸铁、硝酸钴或硝酸镍中任一种或几种组成的混合物。
18. 如权利要求15所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该催化剂 层的厚度为1 100纳米。
19. 如权利要求l所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该碳源气包 括曱烷、乙烷、乙烯或乙炔，该载气包括氩气或氮气。
20. 如权利要求1或19所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该载气 和碳源气的通气流量比例为5: 1~10: 1。
21. 如权利要求l所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该激光束可 通过传统的氩离子激光器或二氧化碳激光器产生，并通过一透镜聚焦照射 在基底上。
22. 如权利要求21所述的碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，该激光束聚焦后直径范围为50 200微米。
全文摘要
一种碳纳米管阵列的制备方法，其包括以下步骤提供一基底，该基底包括相对的第一表面及第二表面；在上述基底第一表面形成一催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以激光束聚焦照射上述基底第二表面从而生长碳纳米管阵列。
文档编号C01B31/02GK101205061SQ20061015786
公开日2008年6月25日 申请日期2006年12月22日 优先权日2006年12月22日
发明者姜开利, 罗春香, 范守善, 卓 陈 申请人:清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司