专利名称：多晶硅氢还原炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种多晶硅生产装置，主要涉及多晶硅氢还原炉。
背景技术：
在多晶硅生产中，还原炉是其主要设备，而还原炉的进气喷口是 多晶硅氢还原炉的极重要组成元件，他的喷口喷速和分布对硅棒的生 长和沉积状况有着重大影响。现有技术中，多晶硅氢还原炉大多釆用 固定截面积喷口，而且喷口和进气管是一体的，并未做明显区分。这 种结构在物料气体流量相同的情况下，无法改变喷口喷速和进气位置， 从而无法通过以改变喷口喷速和进气位置的方式来实现改变还原炉 内气场和温度场的分布。在生产工艺优化的过程中，缺陷相当明显。 一旦喷口喷速不合适，将严重影响硅棒的生长，带来一系列的问题， 比如硅棒上下生长不均匀；硅棒表面出现"爆米花"现象等。 发明内容
本实用新型的目的在于克服上述技术缺陷，提供一种多晶硅氢还 原炉。本实用新型可以有效实现相同流量情况下喷口喷速的改变，还 可以根据需要使物料气体在炉底盘上的任意位置喷出，不再受进气管 在底盘上分布状况的限制。
为实现上述发明目的，本实用新型采用的技术方案是 多晶硅氢还原炉，包括带有冷却装置的炉壳，炉壳安装在炉盘上； 炉盘上布有进、出气管，进气管的进气端上设有喷口，炉盘上设有加热电极，电极上一一对应安装有硅芯棒，其特征在于所述还原炉炉 盘下部的进气管与炉盘上部的喷口为可拆卸式连接，所述喷口为石墨 喷口。
所述还原炉炉盘下部的进气管与炉盘上部的喷口之间采用螺纹 连接或扣接或插入式连接。 本实用新型的优点在于
本实用新型将还原炉底盘上的进气管与喷口一分为二，两者之间 采用螺纹连接或其他连接方式实现可拆卸式连接，可以非常方便的拆 装喷口，喷口用石墨制成。喷口的口径(即截面积)和形状可根据工 艺需要加工制成各种不同的口径和不同的形状，在每次装炉前自由安 装调整，不需要再将进气管整体从炉盘上卸下，只需要选用预先制作 好的不同口径和形状的喷口进行组合。不但可以实现相同流量情况下 喷口喷速的改变，还可以使物料气体在炉底盘上的任意位置喷出，不 再受进气管在底盘上分布状况的限制。这样，增加了工艺调整的自由 度，从而可将还原炉的效率调整到最佳状态。
图1为多晶硅氢还原炉结构示意图。
图2为本实用新型结构示意图。
图3为本实用新型另一种实施方式。
图中标记l为外壳体，2为内壳体，3为硅芯棒，4为视镜，5 为冷却水进水环管，6为炉盘，7为电极，8为支架，9为导轨，10 为喷口， ll为进、出气瞢。
具体实施方式
如图l、图2和图3所示，多晶硅氢还原炉，包括带有冷却装置 的炉壳l、 2，炉壳l、 2安装在炉盘6上；炉盘8上布有进、出气管 11，进气管11的进气端上设有喷口 10，炉盘6上设有加热电极7， 电极7上一一对应安装有硅芯棒3，其特征在于所述还原炉炉盘6 下部的进气管11与炉盘6下部的喷口 10为可拆卸式连接，所述喷口 10为石墨喷口 ，还原炉炉盘6上部的进气管11与炉盘6下部的喷口 IO之间采用螺纹连接，也可以采用扣接或插入式连接。本实用新型 将还原炉底盘上的进气管与喷口一分为二，两者之间采用螺纹连接或 其他连接方式实现可拆卸式连接，可以非常方便的拆装喷口，喷口用 石墨制成。图2和图3所示，喷口的口径(即截面积)和形状可根据 工艺需要加工制成不同的口径和形状，在每次装炉前自由安装调整， 不需要再将进气管整体从炉盘上卸下，只需要选用预先制作好的不同 口径和形状的喷口进行组合。不但可以实现相同流量情况下喷口喷速 的改变，还可以使物料气体在炉底盘上的任意位置喷出，不再受进气 管在底盘上分布状况的限制。这样，增加了工艺调整的自由度，从而 可将还原炉的效率调整到最佳状态。
本实用新型不限于上述实施方式。
权利要求1、多晶硅氢还原炉，包括带有冷却装置的炉壳(1、2)，炉壳(1、2)安装在炉盘(6)上；炉盘(6)下部布有进、出气管(11)，进气管(11)的进气端上设有喷口(10)，炉盘(6)上部设有加热电极(7)，电极(7)上一一对应安装有硅芯棒(6)，其特征在于所述还原炉炉盘(6)下部的进气管(11)与炉盘(6)上部的喷口(10)为可拆卸式连接，所述喷口(10)为石墨喷口。
2、 根据权利要求l所述的多晶硅氢还原炉，其特征在于所述 还原炉炉盘(6)下部的进气管(11)与炉盘(6)上部的喷口 (10) 之间采用螺纹连接或扣接或插入式连接。
专利摘要本实用新型提供了一种多晶硅氢还原炉，包括带有冷却装置的炉壳，炉壳安装在炉盘上；炉盘上布有进、出气管，进气管的进气端上设有喷口，炉盘上设有加热电极，电极上一一对应安装有硅芯棒，所述还原炉炉盘下部的进气管与炉盘上部的喷口为可拆卸式连接，所述喷口为石墨喷口。本实用新型可以有效实现相同流量情况下喷口喷速的改变，还可以根据需要使物料气体在炉底盘上的任意位置喷出，不再受进气管在底盘上分布状况的限制。
文档编号C01B33/021GK201305467SQ200820222840
公开日2009年9月9日 申请日期2008年11月24日 优先权日2008年11月24日
发明者强 张, 戴自忠 申请人:四川永祥多晶硅有限公司