专利名称：一种还原炉内硅芯搭接装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种采用改良西门子法或硅烷法生产多晶硅用的还原炉内硅芯搭接装置。
背景技术：
目前，采用改良西门子法或硅烷法生产多晶硅用的还原炉内的硅芯搭接方式通常是由两根竖的长硅芯和一根横的短硅芯(横梁)搭接成Π型导电回路，两根竖的长硅芯在搭接硅芯的一端打磨成丫口或其它形状用于与短硅芯(横梁)的装配，搭接时一般采用钼丝对这三段硅芯进行绑扎，目的是获得稳定的力学结构，减少硅棒的倒炉现象，提高多晶硅的成品率。但是，由于钼丝的使用，造成了掺杂钼丝的硅料的产生，在后续工艺中不得不采用人工方法分捡出这部分“钼丝料”，这就造成了优质品率低、生产成本大、劳动效率低、生产环节多的不利现象。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺陷，提供一种既能够获得稳定的力学结构，减少硅棒的倒炉现象，提高多晶硅的成品率，又可以简化工艺，降低成本，提高效率和优质产品率的还原炉内硅芯搭接装置。为实现上述发明目的所采用的技术方案为一种还原炉内硅芯搭接装置，是由两根竖的长硅芯和一个作为横梁的短硅芯组成，其特征是上述长硅芯的一端部为圆柱形或者圆锥形，短硅芯设置有与长硅芯端部的圆柱形或者圆锥形适配的圆孔或圆椎孔；上述长硅芯为截面为矩形、菱形、三角形、梯形或圆形的硅芯；上述长硅芯的截面为圆形时，其端部设置成圆锥形，与之适配的短硅芯上的孔为圆椎孔。在多晶硅实际生产过程中，本实用新型的硅芯搭接装置可使硅芯棒与横梁的接触表面积增大，从而获得稳定的力学结构，提高导电性能，大大降低了倒炉率，有利于提高多晶硅的初期生长速率和转换率，并降低能耗。本实用新型硅芯搭接装置具有硅芯搭接速度快、节省硅芯装炉时间、硅芯结构稳定、硅棒不易倒炉等优点，可明显提高生产效率和多晶硅的成品率，达到降低生产成本，提高了多晶硅的生产效率的效果。
图1为本实用新型还原炉内硅芯搭接装置示意图；图2为本实用新型中圆形硅芯搭接装置示意图。
具体实施方式
[0012] 本实用新型还原炉内硅芯搭接装置适用于截面为矩形、菱形、三角形、梯形等形状 (异形硅芯)或者圆形的硅芯搭接，两根竖的长硅芯1 一端接入与之适配的石墨卡瓣，另一端磨圆柱或圆锥形状(截面为圆形的硅芯只能磨圆锥)，然后将采用数控多晶硅硅芯线切割机床切割下来的异形硅芯的边皮料或适合做横梁的断折硅芯料作为短硅芯2 (即横梁)，按照与还原炉电极中心对应的距离在短硅芯2 (横梁)上打2个适配长硅芯1的圆孔或圆椎孔 3，再将短硅芯2 (横梁)和2根长硅芯1搭接成Π型导电回路。
权利要求1.一种还原炉内硅芯搭接装置，是由两根竖的长硅芯(1)和一个作为横梁的短硅芯 (2)组成，其特征是上述长硅芯(1)的一端部为圆柱形或者圆锥形，短硅芯(2)设置有与长硅芯(1)端部的圆柱形或者圆锥形适配的圆孔或圆椎孔(3)。
2.按照权利要求1所述的还原炉内硅芯搭接装置，其特征是；上述长硅芯(1)为截面为矩形、菱形、三角形、梯形或圆形的硅芯。
3.按照权利要求2所述的还原炉内硅芯搭接装置，其特征是；上述长硅芯(1)的截面为圆形时，其端部设置成圆锥形，与之适配的短硅芯上的孔为圆椎孔。
专利摘要本实用新型涉及一种还原炉内硅芯搭接装置，是由两根竖的长硅芯和一个作为横梁的短硅芯组成，其特征是上述长硅芯的一端部为圆柱形或者圆锥形，短硅芯设置有与长硅芯端部的圆柱形或者圆锥形适配的圆孔或圆锥孔。在多晶硅实际生产过程中，本实用新型的硅芯搭接装置可使硅芯棒与横梁的接触表面积增大，从而获得稳定的力学结构，提高导电性能，大大降低了倒炉率，有利于提高多晶硅的初期生长速率和转换率，并降低能耗。本实用新型硅芯搭接装置具有硅芯搭接速度快、节省硅芯装炉时间、硅芯结构稳定、硅棒不易倒炉等优点，可明显提高生产效率和多晶硅的成品率，达到降低生产成本，提高了多晶硅的生产效率的效果。
文档编号C01B33/021GK202193620SQ201120312279
公开日2012年4月18日 申请日期2011年8月25日 优先权日2011年8月25日
发明者周英军 申请人:周英军