专利名称：一种碳纳米管的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种碳纳米管的制备方法。
背景技术：
随着科技的发展和进步，显示技术更新换代，场发射显示技术成为新一代显示技术，场发射显示技术的关键在场发射阴极材料，而碳纳米管是一种重要的场发射阴极材料，但是目前碳纳米管的制备方法工艺 繁杂，制备成本较高，不适宜于工业生产。因此，寻找碳纳米管的一种工艺简单、成本低廉的制备方法成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种碳纳米管的制备方法，其包括如下步骤(a)、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；(b)、然后在(a)步骤中处理过的玻璃基板上溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂；(C)、然后在(b)步骤中得到的薄膜上接着溅射一层稀土金属的氟化物薄膜；(d)、然后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600°C。有益效果本发明制备的碳纳米管材料经过光谱分析，显示纳米结构有序，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施例方式下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。实施例1该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射铁薄膜作为催化剂，厚度为20纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射一层氟化钕薄膜，厚度为100纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450°C。得到质量优良的碳纳米管。实施例2该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射钴薄膜作为催化剂，厚度为30纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射一层氟化镝薄膜，厚度为200纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为500°C。得到质量优良的碳纳米管。实施例3
该基板为普通玻璃，对该玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的玻璃基板上溅射镍薄膜作为催化剂，厚度为40纳米；然后在得到的薄膜上接着溅射一层氟化钕薄膜，厚度为300纳米；最后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为550°C。得到质量优良的 碳纳米管。
权利要求
1.一种碳纳米管的制备方法，其包括如下步骤(a)、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；(b)、然后在(a)步骤中处理过的玻璃基板上溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂； (C)、然后在(b)步骤中得到的薄膜上接着溅射一层稀土金属的氟化物薄膜；(d)、然后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-60(TC。
2.如权利要求1所述的方法，其中，稀土金属为钕、镝。
3.如权利要求1所述的方法，其中，催化剂薄膜厚度为20-40nm。
4.如权利要求1所述的方法，其中，氟化物薄膜厚度为100-300nm。
全文摘要
本发明提供一种碳纳米管的制备方法，其包括如下步骤(a)、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；(b)、然后在(a)步骤中处理过的玻璃基板上溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂；(c)、然后在(b)步骤中得到的薄膜上接着溅射一层稀土金属的氟化物薄膜；(d)、然后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600℃。
文档编号C01B31/02GK103043648SQ20121058109
公开日2013年4月17日 申请日期2012年12月27日 优先权日2012年12月27日
发明者李岗, 国欣鑫, 张晓辉 申请人:青岛艾德森能源科技有限公司