1.一种氧化物烧结体，其以氧化物的形式含有铟和镓，并且以Ga/(In+Ga)原子数比计的所述镓的含量是0.20以上且0.60以下，并且含有氮，并且不含有锌，
其特征在于，实质上不含有纤锌矿型结构的GaN相。
2.如权利要求1所述的氧化物烧结体，其中，以Ga/(In+Ga)原子数比计的所述镓的含量是0.20以上且0.35以下。
3.如权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其中，氮浓度是1×1019原子/cm3以上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的氧化物烧结体，其中，其由方铁锰矿型结构的In2O3相和作为In2O3相以外的生成相的β-Ga2O3型结构的GaInO3相构成，或者由方铁锰矿型结构的In2O3相和作为In2O3相以外的生成相的β-Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga，In)2O3相构成。
5.如权利要求4所述的氧化物烧结体，其中，用下述式1定义的β-Ga2O3型结构的GaInO3相的X射线衍射峰强度比是在30％以上且98％以下的范围内，
100×I[GaInO3相(111)]/{I[In2O3相(400)]+I[GaInO3相(111)]}[％] 式1。
6.如权利要求1至5中任一项所述的氧化物烧结体，其中，其不含有β-Ga2O3型结构的Ga2O3相。
7.如权利要求1至6中任一项所述的氧化物烧结体，其中，其通过在氧体积分率超过20％的环境中的常压烧结法进行烧结。
8.一种溅射用靶，其中，其是通过对权利要求1至7中任一项所述的氧化物烧结体进行加工而获得。
9.一种非晶质的氧化物半导体薄膜，其中，其是在使用权利要求8所述的溅射用靶通过溅射法在基板上形成后进行了热处理的非晶质的氧化物半导体薄膜。
10.一种非晶质的氧化物半导体薄膜，其以氧化物的形式含有铟和镓，并且含有氮，并且不含有锌，其中，
以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量是0.20以上且0.60以下，并且氮浓度是1×1018原子/cm3以上，
并且，载流子迁移率是10cm2V-1sec-1以上。
11.如权利要求10所述的非晶质的氧化物半导体薄膜，其中，以Ga/(In+Ga)原子数比计的所述镓的含量是0.20以上且0.35以下。
12.如权利要求9至11中任一项所述的非晶质的氧化物半导体薄膜，其中，载流子浓度是3×1018cm-3以下。
13.如权利要求9至11中任一项所述的非晶质的氧化物半导体薄膜，其中，载流子迁移率是20cm2V-1sec-1以上。