1.一种陶瓷氧化物主体，其包含熔铸氧化铝粉末、细氧化铝粉末和氧化钛粉末。
2.如权利要求1所述的主体，其特征在于，所述熔铸氧化铝粉末占所述陶瓷氧化物主体的约50重量％～约99.5重量％。
3.如权利要求2所述的主体，其特征在于，所述细氧化铝粉末占所述陶瓷氧化物主体的约10重量％～约50重量％。
4.如权利要求1所述的主体，其特征在于，所述熔铸氧化铝粉末具有约44微米～约700微米范围内的粒径分布。
5.如权利要求1所述的主体，其特征在于，所述陶瓷氧化物主体具有约11.4％～约21.3％范围内的孔隙率。
6.如权利要求1所述的主体，其特征在于，所述陶瓷氧化物主体在200℃下具有约10W/m·K～约14.5W/m·K范围内的热导率。
7.如权利要求1所述的主体，其特征在于，所述陶瓷氧化物主体在1200℃下具有约4W/m·K～约5.81W/m·K范围内的热导率。
8.一种成形装置，其包含权利要求1所述的陶瓷氧化物主体。
9.一种制造陶瓷氧化物主体的方法，所述方法包括以下步骤：
(I)对一种混合物进行批处理，所述混合物包含熔铸氧化铝粉末、细氧化铝粉末和氧化钛粉末；
(II)使所述混合物成形；以及
(III)烧制成形的所述混合物以形成陶瓷氧化物主体。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述熔铸氧化铝粉末占所述陶瓷氧化物主体的约50重量％～约99.5重量％。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述细氧化铝粉末占所述陶瓷氧化物主体的约10重量％～约50重量％。
12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述熔铸氧化铝粉末具有约44微米～约700微米范围内的粒径分布。
13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述陶瓷氧化物主体具有约11.4％～约21.3％范围内的孔隙率。
14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述陶瓷氧化物主体在200℃下具有约10W/m·K～约14.5W/m·K范围内的热导率。
15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述陶瓷氧化物主体在1200℃下具有约4W/m·K～约5.81W/m·K范围内的热导率。
16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述混合物通过选自以下组中的方法来成形：注浆成形、干压、冷等静压、热压、热等静压、注塑和流延成形。
17.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述烧制在约1550℃～约1650℃之间进行。
18.一种玻璃板的制造方法，所述方法包括使用陶瓷氧化物主体形成玻璃板，所述陶瓷氧化物主体包含熔铸氧化铝粉末、细氧化铝粉末和氧化钛粉末。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述陶瓷氧化物主体的至少一部分从加热块体获得热能。
20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述陶瓷氧化物主体具有约11.4％～约21.3％范围内的孔隙率。