1. 一种制备至少部分透明和传导的包含石墨烯的层的方法，所述方法包含下述步骤：
（a）将包含石墨烯氧化物的分散剂应用到衬底上，以在所述衬底上形成包含石墨烯氧化物的层，以及
（b）通过激光输出功率为至少0.036W的激光辐照，加热在步骤（a）中获得的层的至少部分，从而将所述石墨烯氧化物的至少部分化学地还原为石墨烯，并且通过消融物理地减小所述层的厚度，其中步骤（b）中的加热适配成提供小于6.4J/mm2的能量密度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含石墨烯氧化物的层通过激光输出功率为至少0.04W的激光辐照加热。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述包含石墨烯氧化物的层通过激光输出功率为至少0.058W的激光辐照加热。
4.根据权利要求1所述的方法，其中步骤（b）中的所述加热以0.1m/s或更小的射束速度执行。
5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤（b）中的所述加热以0.04m/s或更小的射束速度执行。
6.根据权利要求1所述的方法，其中步骤（b）中的所述加热提供至少0.036W的激光输出功率，并且以0.01m/s或更小的射束速度执行。
7.根据权利要求1所述的方法，其中步骤（b）中的所述加热提供至少0.05W的激光输出功率，并且以0.02m/s或更小的射束速度执行。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述层曝光于曝光时间少于15ms的步骤（b）中的加热。
9.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤（a）中获得的所述层的厚度在从5nm到100μm的范围内。
10.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤（a）中获得的所述层的厚度为至少100nm。
11.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤（a）中获得的所述层的厚度为至少10μm。
12.根据权利要求1所述的方法，其中得自步骤（b）的所述包含石墨烯的层的至少一区域具有1到10nm范围内的厚度。
13.一种通过根据权利要求1到12中任一项所述的方法可获得的石墨烯层。
14.一种光电子设备，其包含通过根据权利要求1到12中任一项所述的方法可获得的传导石墨烯层。
15.一种电子设备，其包含通过根据权利要求1到12中任一项所述的方法可获得的传导石墨烯层。