1.SiC单晶的制造方法，其为使晶种基板与置于坩埚内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触以使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，
所述坩埚具有厚度Lu和厚度Ld，厚度Lu是在与所述Si-C溶液的液面相同高度之处的所述坩埚的水平方向的厚度，厚度Ld是在与所述坩埚的底部内壁相同高度之处的所述坩埚的水平方向的厚度，所述Ld相对于所述Lu之比即Ld/Lu为2.00～4.21；在所述厚度Lu与所述厚度Ld之间，所述坩埚的水平方向的厚度从所述厚度Lu向所述厚度Ld单调增加，
所述坩埚的壁厚为1mm以上，
所述坩埚的底部的铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下，
所述坩埚的底部外壁具有平坦部，所述平坦部的面积为100mm2以上，
使置于所述坩埚内的所述Si-C溶液距所述坩埚的底部内壁的深度为30mm以上，
该制造方法包括：
利用配置于所述坩埚周围的高频线圈对所述Si-C溶液进行加热和电磁搅拌。
2.权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其中，
所述坩埚具有配置在所述坩埚底部的下方的支持部件，
所述支持部件由与所述坩埚相同的材料构成，
将所述支持部件的端部的至少一部分与所述坩埚底部的至少一部分接合，
所述支持部件的外径Lzo相对于所述坩埚的外径OD之比即Lzo/OD为0.25以下，并且
所述支持部件的外径Lzo为10mm以上且长度为5mm以上。