技术总结
本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm2以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。
技术研发人员：大黑宽典;楠一彦;龟井一人;关和明;岸田丰
受保护的技术使用者：丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社
文档号码：201610325787
技术研发日：2016.05.17
技术公布日：2016.11.30