1.一种电子束物理气相沉积用氧化锆基陶瓷靶材，其特征在于，包含：Y2O3及ZrO2，按氧化锆基陶瓷靶材重100％计，Y2O3含量为6～9wt％。
2.根据权利要求1所述的电子束物理气相沉积用氧化锆基陶瓷靶材，其特征在于，还包含以下稳定剂组分：TiO2 0.25～2.5wt％、Ta2O5 0.25～2.5wt％、Gd2O31.2～5.2wt％、Yb2O31.5～5.6wt％。
3.根据权利要求2所述的电子束物理气相沉积用氧化锆基陶瓷靶材，其特征在于，Gd2O3和Yb2O3的摩尔比为1：1。
4.一种电子束物理气相沉积用氧化锆基陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：分别称取权利要求1～3中任一项所述的原料粉末；
步骤二：将步骤一中称取的各原料粉末部分在500～700℃下烘干10～12h，获得原始细粉A，原始细粉A的平均粒径为10～30nm；将步骤一中称取的各原料粉末部分在1400～1500℃下烘干1～2h，获得粗颗粒粉末B，粗颗粒粉末B的平均粒径为400～1500nm；
步骤三：将粗颗粒粉末B及原始细粉A按照质量比为9：1～1:1的比例混合，并添加粗颗粒粉末B和原始细粉A的总质量的1～5％的聚乙烯醇作为粘结剂，进行离心喷雾干燥造粒处理，获得球形团聚粉末C；
步骤四：将球形团聚粉末C在80～100℃条件下烘干60～120min，放入氯丁橡胶套中，在振动频率10～30Hz，振动时间60～180s条件下振实；
步骤五：将振实后的球形团聚粉末C在100～150MPa、10～40min或150～200MPa、5～10min条件下压制成型，获得陶瓷压坯；
步骤六：将陶瓷压坯在1100～1300℃下烧结5～15h，制成电子束物理气相沉积用靶材。
5.根据权利要求4所述的电子束物理气相沉积用氧化锆基陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，氧化锆基陶瓷靶材含有多元稳定剂时，Gd2O3和Yb2O3的摩尔比为1：1。
6.根据权利要求4所述的电子束物理气相沉积用氧化锆基陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤一中所述的原料粉末均使用化学共沉淀法制备，且原料粉末经过喷雾干燥处理。
7.根据权利要求4所述的电子束物理气相沉积用氧化锆基陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤一中所述的原料粉末平均粒径小于20nm，纯度大于99.9％。
8.根据权利要求4所述的电子束物理气相沉积用氧化锆基陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，步骤三中球形团聚粉末C的粒度范围10～150μm，松装密度为1.0～1.5g/cm3，流动性小于120s/50g。
9.根据权利要求4所述的电子束物理气相沉积用氧化锆基陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，所制备的氧化锆基陶瓷靶材密度为3.5～4.5g/cm3，不同部位密度变化小于3％，平均晶粒尺寸小于3μm，尺寸为0.1～10μm的孔隙占比大于90％，碳含量小于0.02wt％，除碳外的杂质总量小于0.1wt％。