一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置的制作方法

本实用新型属于单晶炉组件技术领域，具体涉及一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置。

背景技术：

直拉法生产硅单晶工艺中，简要过程是先将原料装入单晶炉炉内的石英坩埚中，将炉体密闭后通入保护气，通过加热器将料块加热至1400℃左右熔化，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾等操作，完成拉晶过程，最后关闭加热器停炉冷却。

在单晶拉制过程中，为降低拉晶生产成本，现业内使用连续拉晶工艺，简要过程是将硅原料装入炉内，通过加热器加热将料块融化后，通过引晶、放肩、转肩、等径、收尾操作，拉制出一个完整单晶，然后将晶体提升至副炉室中，通过隔离装置将单晶炉主炉室与单晶炉副炉室隔离开，将晶体在单晶炉副炉室中冷却一定的时间后，将单晶炉副炉室用氩气充至大气压，打开单晶炉副炉室，将晶体取出。再通过加料装置向单晶炉主炉室中的石英坩埚内添加原料，待原料融化后，再次进行拉晶，循环多次。

现因直拉法单晶炉副炉室高度不足，使得连续拉晶时第一、二根晶体长度不够长，导致拉晶生产成本降低不够明显；又因单晶生产车间厂房高度不足，如果只是简单地额外增加一定长度的副炉室后，会导致直拉法单晶炉完全打开后籽晶提升装置磕碰到厂房顶部，损坏设备器件；另额外增加一定长度的副炉室，还会导致直拉法单晶炉籽晶绳对中精度变差。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置，解决了现有的连续拉晶工艺因副炉室高度不足限制连续拉晶工艺的第一、二根晶体长度的问题。

本实用新型所采用的技术方案是：一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置，包括筒体，筒体上下两端分别与副炉室以及主炉室的隔离阀相连，筒体可沿其轴向方向伸长或收缩。

本实用新型的特点还在于，

筒体的下端通过隔离阀法兰与主炉室的隔离阀相连。

隔离阀法兰上设置密封圈进行密封。

密封圈为氟橡胶O圈。

筒体的上端通过副炉室法兰与副炉室的下端相连。

隔离阀法兰的上端面沿竖直方向设置有至少两根支撑杆，至少两根支撑杆穿过副炉室法兰且至少两根支撑杆的顶端设置有限位头。

筒体为波纹管。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置解决了现有的连续拉晶工艺因副炉室高度不足限制连续拉晶工艺的第一、二根晶体长度的问题。本实用新型的一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置结构简单，使用方便，可根据使用状态伸长或收缩，避免了改造单晶炉或者厂房结构产生的高额费用，产生了较高的生产效益，具有非常好的实用性能。

附图说明

图1是本实用新型的一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置的结构示意图；

图2是本实用新型的一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置使用时伸长状态示意图；

图3是本实用新型的一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置使用时收缩状态示意图。

图中，1.筒体，2.副炉室法兰，3.支撑杆，4.隔离阀法兰，5.密封圈，6.限位头，7.副炉室，8.主炉室，9.籽晶提升装置，10.副炉室立柱，11.直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。

本实用新型提供的一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置11结构如图1所示，包括筒体1，筒体1的上下两端分别与副炉室7以及主炉室8的隔离阀相连，筒体1为可伸缩活动体，其可沿轴向方向伸长或收缩。事例性的，筒体1可以选择波纹管。

事例性的，筒体1的上下两端分别焊接副炉室法兰2和隔离阀法兰4，利用副炉室法兰2将筒体1与副炉室7的下沿连接，利用隔离阀法兰4与主炉室8上端的隔离阀相连，并利用诸如氟橡胶O圈的密封圈5进行密封。

优选的，可以在隔离阀法兰4的上端面沿竖直方向设置有至少两根支撑杆3，至少两根支撑杆3穿过副炉室法兰2且至少两根支撑杆3的顶端设置有限位头6。副炉室法兰2可沿支撑杆3上下活动，支撑杆3防止筒体1处于收缩状态时向外变形导致筒体1破裂，限位头则防止筒体1伸长时超过其拉伸极限断裂。事例性的，支撑杆3可等间距地设置三根或四根。

本实用新型的一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置11使用状态分别如图2和图3所示，本实施例的筒体1选择波纹管。参见图2，单晶炉合闭时波纹管处于收缩状态。参见图3，单晶炉打开状时波纹管处于伸长状态，当进行连续拉晶工艺，第一根晶体收尾完成后，利用籽晶提升装置9将晶体提升至一定位置后，利用副炉室立柱10开始提升副炉室7，当波纹管处于完全伸展状态后，支撑杆3的限位头6与副炉室法兰2接触，此时通过隔离装置将主炉室8与副炉室7隔离开，待晶体冷却完毕后，将副炉室7打开，隔离阀法兰4通过支撑杆3被副炉室法兰2提升，波纹管不受力，可防止波纹管受力破裂导致炉台漏气。