晶体生长装置的制作方法

文档序号:12101744阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种晶体生长装置,其特征在于,包括金属坩埚、第一保温罩、加热线圈、隔热板、第二保温罩、第三保温罩、盖板及提拉杆;其中,所述金属坩埚位于所述第一保温罩内且所述金属坩埚与所述第一保温罩之间填充有保温砂;所述加热线圈绕在所述第一保温罩上;所述隔热板设在所述金属坩埚及所述第一保温罩的上方,所述隔热板上开设有过晶口;所述第二保温罩及所述第三保温罩位于所述隔热板上且所述第三保温罩套设在所述第二保温罩的外侧;所述盖板位于所述第二保温罩及所述第三保温罩上;所述盖板上设有提拉孔,所述提拉杆能够穿过所述提拉孔、所述第二保温罩及所述过晶口将籽晶送入所述金属坩埚。

2.如权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述金属坩埚为铱金坩埚。

3.如权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述第一保温罩为陶瓷保温罩或莫来石保温罩。

4.如权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述金属坩埚的开口端与所述第一保温罩的开口端齐平设置。

5.如权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述保温砂为锆砂。

6.如权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述第二保温罩为氧化锆保温罩。

7.如权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述第三保温罩为氧化铝保温罩或莫来石保温罩。

8.如权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述第二保温罩与所述第三保温罩之间无间隙。

9.如权利要求1所述的晶体生长装置,其特征在于,所述盖板为氧化锆板。

10.如权利要求1~9中任一项所述的晶体生长装置,其特征在于,所述盖板上设有观察孔。

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