技术总结
本实用新型涉及一种晶体生长装置，其包括金属坩埚、第一保温罩、加热线圈、隔热板、第二保温罩、第三保温罩、盖板及提拉杆；其中，金属坩埚位于第一保温罩内且金属坩埚与第一保温罩之间填充有保温砂；加热线圈绕在第一保温罩上；隔热板设在金属坩埚及第一保温罩的上方，隔热板上开设有过晶口；第二保温罩及第三保温罩位于隔热板上且第三保温罩套设在第二保温罩的外侧；盖板位于第二保温罩及第三保温罩上；盖板上设有提拉孔，提拉杆能够穿过提拉孔、第二保温罩及过晶口将籽晶送入金属坩埚。该晶体生长装置可用于但不限Er掺杂LuAG晶体的制备过程中，可有效避免晶体生长过程中产生的开裂问题，晶体成炉率较高。
技术研发人员：权纪亮;黄晋强;郭勇文;金宁昌;黄国伟;郭建军;刘昌锬;李汉达
受保护的技术使用者：广州半导体材料研究所
文档号码：201620943125
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2017.03.22