本实用新型涉及一种MBE分子束外延镀膜设备技术领域，特别是涉及一种MBE分子束外延束源炉。
背景技术：
现在传统的MBE束源炉中存在以下问题：加热温度低常规的加热温度1200摄氏度；拆装不便捷，不可分体；坩埚沿口存于源料，造成源料不必要的浪费；源料容量较小。
技术实现要素：
针对上述问题中存在的不足之处，本实用新型提供一种MBE分子束外延束源炉，使其采用大容量50CC坩埚，采取两段控温，在坩埚沿口特加有一路加热装置，避免源料在加热过程中，在坩埚沿口沉积，造成源料污染。
为了解决上述问题，本实用新型提供一种MBE分子束外延束源炉，其中，包括热解氮化硼坩埚、加热片电极、绝缘陶封电极、水冷管、水冷VCR接头和安装法兰，所述热解氮化硼坩埚的下端连接有安装法兰，所述热解氮化硼坩埚上设置有加热片电极和水冷管，所述加热片电极包括分别设置在左右两端的第一加热片电极和第二加热片电极，所述水冷管包括分别设置在左右两端的第一水冷管和第二水冷管，所述绝缘陶封电极包括分别设置在所述安装法兰左右两端的第一绝缘陶封电极和第二绝缘陶封电极，所述第一绝缘陶封电极与所述第一加热片电极连接，所述第二绝缘陶封电极与所述第二加热片电极连接，所述水冷管通过所述水冷VCR接头与所述安装法兰上的冷却水管相连接。
优选的，所述热解氮化硼坩埚的上端左右两侧分别设置有第一坩埚沿口加热片和第二坩埚沿口加热片，所述热解氮化硼坩埚的四周在竖直方向按蛇形方式盘有坩埚加热丝。
优选的，所述热解氮化硼坩埚的底端设置有束源炉支撑座，所述束源炉支撑座的中心处设置有绝缘座，所述绝缘座通过炉体支撑杆与所述安装法兰连接。
优选的，所述安装法兰上设置有测温电极，所述测温电极通过设置在所述炉体支撑杆之中的连接线与所述绝缘座连接。
优选的，所述绝缘座上设置有保护罩，所述保护罩通过螺钉固定到所述绝缘座上。
与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：
本实用新型采用水冷式大容量两段控温新型MBE束源炉，避免了在坩埚口沉积源料，造成源料蒸发过程中沉积到坩埚沿口的浪费，同时可装50CC以上容量源料，解决了传统束源炉小容量装料问题，温度可达1600摄氏度，控温精度在正负0.1摄氏度，实现了可生产化半导体镀膜设备上的应用。
附图说明
图1是本实用新型的实施例结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图与实例对本实用新型作进一步详细说明，但所举实例不作为对本实用新型的限定。
如图1所示，本实用新型的实施例包括热解氮化硼坩埚2、加热片电极4、绝缘陶封电极7、水冷管8、水冷VCR接头9和安装法兰11，热解氮化硼坩埚2的下端连接有安装法兰11，热解氮化硼坩埚2上设置有加热片电极4和水冷管8，加热片电极4包括分别设置在左右两端的第一加热片电极和第二加热片电极，水冷管8包括分别设置在左右两端的第一水冷管和第二水冷管，绝缘陶封电极7包括分别设置在安装法兰11左右两端的第一绝缘陶封电极和第二绝缘陶封电极，第一绝缘陶封电极与第一加热片电极连接，第二绝缘陶封电极与第二加热片电极连接，水冷管8通过水冷VCR接头9与安装法兰11上的冷却水管相连接。
热解氮化硼坩埚2的上端设置有坩埚沿口加热片3，坩埚沿口加热片3包括有分别设置在热解氮化硼坩埚2的上端左右两侧的第一坩埚沿口加热片和第二坩埚沿口加热片，热解氮化硼坩埚2的四周在竖直方向按蛇形方式盘有坩埚加热丝12。热解氮化硼坩埚2的底端设置有束源炉支撑座5，束源炉支撑座5的中心处设置有绝缘座13，绝缘座13通过炉体支撑杆10与安装法兰11连接。安装法兰11上设置有测温电极6，测温电极6通过设置在炉体支撑杆10之中的连接线与绝缘座13连接。绝缘座13上设置有保护罩1，保护罩1通过螺钉固定到绝缘座13上。
本实施例中，提供了一种用于MBE分子束外延镀膜设备上的束源炉设备，使其能够产生以下效果：
1、实现两端控温，大容量，解决坩埚沿口污染，浪费源料问题；
2、坩埚加热采用电阻式加热，在坩埚的上沿口有钽片加热控温，坩埚四周钽丝加热控温；
3、束源炉的加热通过水冷套与外壳固定到法兰电极上，拆装便捷.高温可控，精度可控，最高温度可达1700摄氏度，精度正负0.1摄氏度；
4、坩埚采用热解氮化硼材料，在高温下化学性能稳定，不会挥发污染物，保证制膜质量；
5、水冷接管与炉体采用VCR接头方式连接，便于更换零部件与维修。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。