技术总结
本实用新型提供一种MBE分子束外延束源炉，涉及一种MBE分子束外延镀膜设备技术领域。该实用新型包括热解氮化硼坩埚、加热片电极、绝缘陶封电极、水冷管、水冷VCR接头和安装法兰，热解氮化硼坩埚的下端连接有安装法兰，热解氮化硼坩埚上设置有加热片电极和水冷管，绝缘陶封电极包括分别设置在安装法兰左右两端的第一绝缘陶封电极和第二绝缘陶封电极，第一绝缘陶封电极与第一加热片电极连接，第二绝缘陶封电极与第二加热片电极连接，水冷管通过水冷VCR接头与安装法兰上的冷却水管相连接。本实用新型采用大容量50CC坩埚，采取两段控温，在坩埚沿口特加有一路加热装置，避免源料在加热过程中，在坩埚沿口沉积，造成源料污染。
技术研发人员：赵俊华
受保护的技术使用者：沈阳聚智真空设备有限公司
文档号码：201621384071
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2017.07.14