技术特征：
技术总结
本发明涉及一种带有二氧化钛纳米棒阵列的电介质薄膜的制备方法，属于电介质材料技术领域。电容器的电介质材料为TiO2纳米棒阵列与PVDF‑HFP的复合物。该方法首先用水热法在FTO基片上制备出TiO2纳米棒阵列，用多巴胺盐酸盐进行表面处理后，将PVDF‑HFP和DMF的溶液旋涂于阵列表面并在真空干燥箱内烘干。将复合薄膜进行热处理及淬火后，去除部分薄膜使FTO露出，作为底电极，再在复合薄膜表面镀上铜电极，即可完成该电介质电容器的制备。本发明制备的电介质电容器击穿场强可达3.7‑5.1MV/cm，室温储能密度可达10.7‑17.5J/cm3，并具有80‑86％的超高储能效率，且合成过程低成本、易加工，是一种有希望作为嵌入式电容器、静电储能元器件等应用的器件。
技术研发人员：林元华;廖书迪;南策文;沈洋
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：2017.04.20
技术公布日：2017.08.18