微纳网状结构In2O3/SnO2复合材料及其生长方法与流程

文档序号:12937423阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明实施公开了一种微纳网状结构In2O3/SnO2复合材料及其生长方法,以氧化铟或者氧化锡微颗粒为基体,并利用利用热蒸镀的方式在上述微颗粒上原位生长包含另一种材料(氧化锡或者氧化铟)的纳米晶,同时,通过控制生长环境和生长时间使上述纳米晶形成一维或准一维的结构并且相互连通,进而构成氧化铟/氧化锡网状结构复合材料。本发明实施例提供的复合材料由两种材料复合而成,具有比单一金属氧化物更多表面活性位点和结构,因此可敏感探测气体种类和灵敏度更高;另外,该材料还具有高比表面积、网状相连结构不团聚、材料有序活性位点多且气敏性能优异,具有很好的工业化前景。

技术研发人员:不公告发明人
受保护的技术使用者:齐鲁工业大学
技术研发日:2017.06.28
技术公布日:2017.11.17
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