技术特征：
技术总结
本发明公开了一种坩埚制备方法，包括：步骤1，将粉末状SiO2和TiO2按照质量比1:1研磨均匀，作为备用物料；步骤2，在备用物料中加入分散剂、粘接剂进行混合后，在常温下进行搅拌0.5小时～1小时，形成低导热备用物料；步骤3，将坩埚本体加热到30℃～60℃；步骤4，在坩埚本体的外侧面距离坩埚底部100mm～250mm处涂刷低导热备用物料形成低导热涂层；步骤5，将涂刷完低导热涂层的坩埚本体在相对湿度低于40％的常温环境下自然干燥1小时～2小时。除此之外，本发明还公开了一种多晶铸锭炉，包括采用如上坩埚制备方法制成的坩埚。通过制备低导热涂层并设置在坩埚本体的外壁，取代现有的护毡隔热层，有效确保籽晶的平整性。
技术研发人员：李亮;肖贵云;黄晶晶;闫灯周;姜志兴;梅坤;陈伟
受保护的技术使用者：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
技术研发日：2017.07.12
技术公布日：2017.10.10