1.一种温度可控的碳化硅生长坩埚平台,其特征在于,包括长方体形石墨平台(2),所述的长方体形石墨平台(2)上开设有坩埚槽(1),且坩埚槽(1)凹陷在长方体形石墨平台(2)内部,开口与长方体形石墨平台(2)的上表面平齐;所述的坩埚槽(1)内铺设石墨毡(6),且石墨毡(6)内部均匀分布有电阻丝(5),电阻丝(5)的端部裸露在石墨毡(6)的外部,碳化硅生长坩埚(7)放置在坩埚槽(1)内部,其外表面与裸露的电阻丝端部相接;所述的长方体形石墨平台(2)底部设置有风扇开关(4)。
2.如权利要求1所述的温度可控的碳化硅生长坩埚平台,其特征在于,所述的石墨毡(6)外部设置有通电按钮(8)。
3.如权利要求1所述的温度可控的碳化硅生长坩埚平台,其特征在于,所述的石墨平台放置在不锈钢底座(3)上,风扇(9)位于不锈钢底座(3)内部,且受到风扇开关(4)的控制。