一种保温装置的制作方法

本实用新型涉及碳化硅生产设备技术领域，具体涉及一种保温装置，特别是一种适用于坩埚保温的装置。

背景技术：

现有的液相法生长碳化硅晶体技术，都是通过加热的方式将硅在高纯石墨坩埚中融化，形成碳在硅中的溶液，再将头部贴付有籽晶的石墨轴伸入到溶液中进行生长；

现有技术中可以通过坩埚的升降或籽晶轴的升降来实现温度的变化，但是现有的坩埚升降装置结构复杂，且由于晶体生长过程中对于温度要求很高，现有的升降装置难以适应如此高的温度，故障率极高，无法适应晶体生长的要求，而如果采用高耐热材料制备则会极大提高设备的成本和后期维护压力，因此如何解决这一问题成为现有技术中的难题。

技术实现要素：

本实用新型针对现有技术的不足，提供了一种保温装置，主要用于晶体生长时对坩埚的保温，该保温装置包括主体和上盖，所述主体内部设置有空腔，所述空腔内壁设置有内螺纹，所述主体内还设置有托盘，所述托盘外侧设置有外螺纹，并通过该外螺纹与内壁设置有内螺纹配合连接；采用这种结构的保温装置，使用时可以根据不同晶体生长的需要将托盘调节到不同的高度，之后将坩埚放置在托盘上即可，较之现有技术中采用的坩埚举升装置结构更加简单，可以适应不同晶体的加工需要。

本实用新型的具体技术方案是：

一种保温装置，包括主体和上盖，所述主体内部设置有空腔，所述空腔内壁设置有内螺纹，所述主体内还设置有托盘，所述托盘外侧设置有外螺纹，并通过该外螺纹与内壁设置有内螺纹配合连接；

采用这种结构的保温装置，使用时可直接通过外螺纹与内螺纹将托盘旋入主体的空腔内，根据晶体生长的要求，调整对应的托盘高度，之后即可将坩埚置于托盘上，将上盖扣好后即可开始晶体的生长；采用这种模式，可以方便的实现坩埚在保温装置内的定位，同时确保在晶体生长过程中坩埚的稳定性，较之现有的坩埚升降装置结构更加简单，且成本大大降低。

所述托盘上均匀设置有通孔，这样当坩埚放置在托盘上之后，通孔有利于热量的传递，可以确保坩埚内温度均一性，同时当生产完毕需要降温时，通孔的存在也有利于坩埚底部温度的降低；

所述保温装置上盖上设置有通孔，方便籽晶轴的进出；

综上所述，采用这种结构的保温装置，使用时可以根据不同晶体生长的需要将托盘调节到不同的高度，之后将坩埚放置在托盘上即可，较之现有技术中采用的坩埚举升装置结构更加简单，可以适应不同晶体的加工需要。

附图说明

图1为本实用新型所述保温装置的结构剖视图；

图2为本实用新型所述保温装置主体的结构剖视图；

图3为本实用新型所述保温装置托盘的俯视图；

图中1为主体，2为内螺纹，3为托盘，4为通孔，5为外螺纹，6为上盖。

具体实施方式

一种保温装置，包括主体1和上盖6，所述主体1内部设置有空腔，所述空腔内壁设置有内螺纹2，所述主体1内还设置有托盘3，所述托盘3外侧设置有外螺纹5，并通过该外螺纹5与内壁设置的内螺纹2配合连接；

所述托盘3上均匀设置有通孔4，所述托盘3采用石墨材料制成；

所述保温装置上盖6上设置有方便籽晶轴的进出的通孔。