技术总结
本申请涉及碳化硅生产技术领域，具体为一种温度可控的碳化硅生长坩埚平台。本申请提供了一种新型的碳化硅生长坩埚平台，该装置通过在石墨平台上的坩埚槽内铺设石墨毡，石墨毡内部均匀分布有电阻丝，电阻丝的端部裸露在石墨毡外部，加热时，直接在石墨毡上通电加热，使得石墨毡发热，从而进一步加热坩埚。这样设置，避免了直接给坩埚通电，而造成糊锅等问题。另一方面，为了能够使得加热结束后，石墨平台能够在短时间内温度下降，在石墨槽对应的石墨平台底部，设置了风扇，风扇可以吹散石墨平台的热量，使得石墨坩埚中的温度迅速下降。
技术研发人员：梁庆瑞;高超;宗艳民;于国建;张红岩
受保护的技术使用者：山东天岳晶体材料有限公司
文档号码：201720036334
技术研发日：2017.01.12
技术公布日：2017.09.22